SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Конфигурация диода Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.)
BYC30W-1200PQ WeEn Semiconductors BYC30W-1200PQ 3.0400
запросить цену
ECAD 851 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 BYC30 Стандартный ТО-247-2 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 934072005127 EAR99 8541.10.0080 30 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1200 В 3,3 В при 30 А 65 нс 250 мкА при 1200 В 175°С (макс.) 30А -
BYT28-500,127 WeEn Semiconductors BYT28-500127 0,5574
запросить цену
ECAD 1250 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 БЮТ28 Стандартный ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 500 В 10А 1,4 В при 10 А 60 нс 10 мкА при 500 В 150°С (макс.)
BYQ28E-200E,127 WeEn Semiconductors BYQ28E-200E, 127 0,7200
запросить цену
ECAD 4801 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 BYQ28 Стандартный ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 200 В 10А 1,25 В @ 10 А 25 нс 10 мкА при 200 В 150°С (макс.)
NXPSC08650D6J WeEn Semiconductors NXPSC08650D6J 4.7400
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Последняя покупка Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 НКПСК SiC (карбид кремния) Шоттки ДПАК скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 2500 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 8 А 0 нс 230 мкА при 650 В 175°С (макс.) 260пФ @ 1В, 1МГц
BYC5-600,127 WeEn Semiconductors BYC5-600,127 0,8700
запросить цену
ECAD 17 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 BYC5 Стандартный ТО-220АС скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 500 В 2,9 В при 5 А 50 нс 100 мкА при 600 В 150°С (макс.) -
WNSC5D10650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D10650X6Q -
запросить цену
ECAD 1726 г. 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС - 1740-WNSC5D10650X6Q EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 10 А 0 нс 50 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 10А 323пФ @ 1В, 1МГц
WDMF75M16T WeEn Semiconductors ВДМФ75М16Т 25,7984
запросить цену
ECAD 2484 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный 150°С (ТДж) Крепление на шасси Модуль ВДМФ75 Стандартный WMM01 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 8 1,25 В при 75 А 50 мкА при 1600 В 75 А Трехфазный 1,6 кВ
WNS20S100CXQ WeEn Semiconductors WNS20S100CXQ 0,2805
запросить цену
ECAD 9647 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка ВНС20 Шоттки ТО-220Ф скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 100 В 10А 950 мВ при 10 А 50 мкА при 100 В 150°С (макс.)
WNSC2D101200WQ WeEn Semiconductors WNSC2D101200WQ 4.7000
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 1740-WNSC2D101200WQ EAR99 8541.10.0080 600 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,65 В @ 10 А 0 нс 110 мкА при 1200 В 175°С 10А 490пФ @ 1В, 1МГц
WBSF30FC120ALV WeEn Semiconductors WBSF30FC120ALV 1,2113
запросить цену
ECAD 1167 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж Править ВБСФ30 Стандартный вафля скачать EAR99 8541.10.0080 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1200 В 3,5 В при 30 А 65 нс 250 мкА при 1200 В 175°С 30А -
BYV410-600PQ WeEn Semiconductors BYV410-600PQ 0,4219
запросить цену
ECAD 9831 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 BYV410 Стандартный ТО-220Э скачать EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 600 В 20А 1,7 В при 10 А 55 нс 10 мкА при 600 В 175°С
WNSC5D066506Q WeEn Semiconductors WNSC5D066506Q -
запросить цену
ECAD 6859 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС - 1740-WNSC5D066506Q EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 6 А 0 нс 30 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 201пФ @ 1В, 1МГц
BYV410-600,127 WeEn Semiconductors БВ410-600,127 1,6000
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 BYV410 Стандартный ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 600 В 20А 2,1 В @ 10 А 35 нс 50 мкА при 600 В 150°С (макс.)
WNSC10650WQ WeEn Semiconductors WNSC10650WQ 1,8808
запросить цену
ECAD 4854 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Последняя покупка Сквозное отверстие ТО-247-2 ВНСК1 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2 скачать Соответствует RoHS Непригодный 1740-WNSC10650WQ EAR99 8541.10.0080 30 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 10 А 0 нс 60 мкА при 650 В 175°С 10А 328пФ @ 1В, 1МГц
WNSC401200CWQ WeEn Semiconductors ВНСК401200CWQ 11.5500
запросить цену
ECAD 6471 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Последняя покупка Сквозное отверстие ТО-247-3 ВНСК4 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 30 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,75 В при 20 А 0 нс 200 мкА при 1200 В 175°С (макс.) 40А 810пФ @ 1В, 1МГц
WN3S40H100CQ WeEn Semiconductors WN3S40H100CQ 1.0500
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 ВН3С40 Шоттки ТО-220АБ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 100 В 20А 710 мВ при 20 А 50 мкА при 100 В 150°С
WNSC2D151200W6Q WeEn Semiconductors WNSC2D151200W6Q 2,8554
запросить цену
ECAD 4612 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2 скачать EAR99 8541.10.0080 600 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,7 В @ 15 А 0 нс 150 мкА при 1200 В 175°С 15А 700пФ @ 1В, 1МГц
BYC10X-600PQ WeEn Semiconductors BYC10X-600PQ 1.0500
запросить цену
ECAD 12 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка BYC10 Стандартный ТО-220ФП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 2,9 В при 10 А 40 нс 200 мкА при 600 В 150°С (макс.) 10А -
WND10M600XQ WeEn Semiconductors ВНД10М600XQ 0,3419
запросить цену
ECAD 9013 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка ВНД10 Стандартный ТО-220Ф скачать EAR99 8541.10.0080 1000 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 600 В 980 мВ при 10 А 10 мкА при 600 В 150°С 10А -
WNSC2D06650Q WeEn Semiconductors WNSC2D06650Q 1,8700
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 1740-WNSC2D06650Q EAR99 8541.10.0080 50 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 6 А 0 нс 30 мкА при 650 В 175°С 198пФ @ 1В, 1МГц
BYV415J-600PQ WeEn Semiconductors BYV415J-600PQ 1,2375
запросить цену
ECAD 1012 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-3ПФМ, СК-93-3 BYV415 - ТО-3ПФ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 934071203127 EAR99 8541.10.0080 480 - - - -
BYC10B-600,118 WeEn Semiconductors BYC10B-600,118 0,5445
запросить цену
ECAD 4641 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ BYC10 Стандартный Д2ПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 800 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 500 В 2,9 В при 10 А 55 нс 200 мкА при 600 В 150°С (макс.) 10А -
NXPSC08650B6J WeEn Semiconductors NXPSC08650B6J 4.8600
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Последняя покупка Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ НКПСК SiC (карбид кремния) Шоттки Д2ПАК скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 800 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 8 А 0 нс 230 мкА при 650 В 175°С (макс.) 260пФ @ 1В, 1МГц
BYV30W-600PQ WeEn Semiconductors BYV30W-600PQ 1,3879
запросить цену
ECAD 4984 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 BYV30 Стандартный ТО-247-2 скачать 1 (без блокировки) 934071199127 EAR99 8541.10.0080 600 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,55 В при 30 А 75 нс 10 мкА при 600 В 175°С (макс.) 30А -
WN3S40100CQ WeEn Semiconductors WN3S40100CQ 0,8900
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 ВН3С40 Шоттки ТО-220АБ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 100 В 20А 780 мВ при 20 А 50 мкА при 100 В 150°С
WNSC5D06650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D06650X6Q -
запросить цену
ECAD 8729 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС - 1740-WNSC5D06650X6Q EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 6 А 0 нс 30 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 201пФ @ 1В, 1МГц
WNSC5D06650T6J WeEn Semiconductors WNSC5D06650T6J -
запросить цену
ECAD 5098 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 4-ВСФН Открытая площадка ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки 5-ДФН (8х8) - 1740-WNSC5D06650T6JTR EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 6 А 0 нс 30 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 201пФ @ 1В, 1МГц
WNSC2D04650XQ WeEn Semiconductors WNSC2D04650XQ 1,3900
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220Ф - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 1740-WNSC2D04650XQ EAR99 8541.10.0080 50 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 4 А 0 нс 20 мкА при 650 В 175°С 125пФ @ 1В, 1МГц
BYC30WT-600PSQ WeEn Semiconductors BYC30WT-600PSQ 1,3879
запросить цену
ECAD 4791 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 BYC30 Стандартный ТО-247-3 скачать EAR99 8541.10.0080 600 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 2,75 В при 30 А 35 нс 10 мкА при 600 В 175°С 30А -
WNSC2D101200CW6Q WeEn Semiconductors WNSC2D101200CW6Q 2.0518
запросить цену
ECAD 9405 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3 скачать EAR99 8541.10.0080 600 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1 пара с общим катодом 1200 В 10А 1,6 В при 5 А 0 нс 25 мкА при 1200 В -55°С ~ 175°С
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе