SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Конфигурация диода Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф
BYC8DX-600,127 WeEn Semiconductors BYC8DX-600,127 0,9300
запросить цену
ECAD 6 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка BYC8 Стандартный ТО-220ФП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 2,9 В при 8 А 20 нс 40 мкА при 600 В 150°С (макс.) -
BYC30-600P,127 WeEn Semiconductors BYC30-600P, 127 2.7400
запросить цену
ECAD 8 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 BYC30 Стандартный ТО-220АС скачать Соответствует RoHS Непригодный EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,8 В при 30 А 35 нс 10 мкА при 600 В 175°С (макс.) 30А -
WNSC5D10650B6J WeEn Semiconductors WNSC5D10650B6J -
запросить цену
ECAD 5688 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки ДПАК - 1740-WNSC5D10650B6JTR EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 10 А 0 нс 50 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 10А 323пФ @ 1В, 1МГц
WB75FC65ALZ WeEn Semiconductors WB75FC65ALZ 1,2113
запросить цену
ECAD 2969 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж Править ВБ75 Стандартный вафля - EAR99 8541.10.0080 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 650 В 2,75 В при 75 А 50 нс 10 мкА при 650 В 175°С 75А -
BYC100W-1200PQ WeEn Semiconductors BYC100W-1200PQ 4.3904
запросить цену
ECAD 2829 0,00000000 ВеЭн Полупроводники ЕЕПП™ Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 BYC100 Стандартный ТО-247-2 скачать Непригодный 934072041127 EAR99 8541.10.0080 450 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1200 В 3,3 В при 100 А 90 нс 250 мкА при 1200 В 175°С (макс.) 100А -
WNSC2D401200W6Q WeEn Semiconductors WNSC2D401200W6Q 7.1044
запросить цену
ECAD 5248 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2 скачать EAR99 8541.10.0080 600 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,6 В при 40 А 0 нс 200 мкА при 1200 В -55°С ~ 175°С 40А 2068пФ @ 1В, 1МГц
WNSC208006Q WeEn Semiconductors ВНСК208006Q -
запросить цену
ECAD 5632 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Последняя покупка Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС - EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 800 В 1,7 В при 20 А 0 нс 450 мкА при 800 В 175°С 20А 655пФ @ 1В, 1МГц
BYV32E-200,127 WeEn Semiconductors BYV32E-200,127 1,3500
запросить цену
ECAD 17 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 BYV32 Стандартный ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 200 В 20А 1,15 В при 20 А 25 нс 30 мкА при 200 В 150°С (макс.)
BYV5ED-600PJ WeEn Semiconductors BYV5ED-600PJ 0,4500
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 Стандартный ДПАК скачать Соответствует ROHS3 Непригодный EAR99 8541.10.0080 2500 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,8 В @ 5 А 50 нс 10 мкА при 600 В 175°С -
BYC10-600CT,127 WeEn Semiconductors BYC10-600CT, 127 0,5280
запросить цену
ECAD 1616 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 BYC10 Стандартный ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0070 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 600 В 10А 2,9 В при 5 А 50 нс 100 мкА при 600 В 150°С (макс.)
WNSC5D20650CW6Q WeEn Semiconductors WNSC5D20650CW6Q -
запросить цену
ECAD 1487 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3 - 1740-WNSC5D20650CW6Q EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1 пара с общим катодом 650 В 20А 1,7 В при 20 А 0 нс 50 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С
WNSC5D08650D6J WeEn Semiconductors WNSC5D08650D6J -
запросить цену
ECAD 5032 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки ДПАК - 1740-WNSC5D08650D6JTR EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 8 А 0 нс 40 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 267пФ @ 1В, 1МГц
NXPSC20650W6Q WeEn Semiconductors NXPSC20650W6Q 8.6300
запросить цену
ECAD 707 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 НКПСК SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3 скачать 1 (без блокировки) 934072090127 EAR99 8541.10.0080 240 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1 пара с общим катодом 650 В 20А 1,7 В при 10 А 0 нс 250 мкА при 650 В 175°С (макс.)
WND45P16WQ WeEn Semiconductors WND45P16WQ 3.0000
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 ВНД45 Стандартный ТО-247-2 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 30 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 1600 В 1,4 В @ 45 А 10 мкА при 1600 В 150°С 45А -
WNSC2D301200W6Q WeEn Semiconductors WNSC2D301200W6Q 5.3483
запросить цену
ECAD 9168 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2 скачать EAR99 8541.10.0080 600 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,6 В при 30 А 0 нс 150 мкА при 1,2 кВ -55°С ~ 175°С 30А 1407пФ @ 1В, 1МГц
BYC10X-600,127 WeEn Semiconductors BYC10X-600,127 1.2500
запросить цену
ECAD 12 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка BYC10 Стандартный ТО-220ФП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 500 В 2,9 В при 10 А 55 нс 200 мкА при 600 В 150°С (макс.) 10А -
BYC15-1200PQ WeEn Semiconductors BYC15-1200PQ 1,3100
запросить цену
ECAD 11 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 BYC15 Стандартный ТО-220АС скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 934072039127 EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1200 В 3,2 В при 15 А 61 нс 100 мкА при 1200 В 175°С (макс.) 15А -
BYV34-500,127 WeEn Semiconductors BYV34-500,127 1,6700
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 BYV34 Стандартный ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 500 В 20А 1,35 В при 20 А 60 нс 50 мкА при 500 В 150°С (макс.)
BYV32EB-200,118 WeEn Semiconductors BYV32EB-200,118 1,5700
запросить цену
ECAD 16 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ BYV32 Стандартный Д2ПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 800 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 200 В 20А 1,15 В при 20 А 25 нс 30 мкА при 200 В 150°С (макс.)
BYV74W-400,127 WeEn Semiconductors BYV74W-400,127 1.1897
запросить цену
ECAD 6692 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 BYV74 Стандартный ТО-247-3 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 600 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 400 В 30А 1,36 В при 30 А 60 нс 50 мкА при 400 В 150°С (макс.)
BYW29EX-200,127 WeEn Semiconductors BYW29EX-200,127 1.1600
запросить цену
ECAD 17 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка BYW29 Стандартный ТО-220ФП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 200 В 1,05 В @ 8 А 25 нс 10 мкА при 200 В 150°С (макс.) -
BYR16W-1200Q WeEn Semiconductors BYR16W-1200Q 1,4871
запросить цену
ECAD 2592 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 16 белорусских рублей Стандартный ТО-247-2 скачать 1 (без блокировки) 934067917127 EAR99 8541.10.0080 600 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1200 В 2,7 В при 16 А 105 нс 100 мкА при 1200 В 175°С (макс.) 16А -
BYV10X-600PQ WeEn Semiconductors BYV10X-600PQ 0,7600
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка BYV10 Стандартный ТО-220ФП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 2 В @ 10 А 20 нс 10 мкА при 600 В 175°С (макс.) 10А -
WNSC2D10650XQ WeEn Semiconductors WNSC2D10650XQ 1,4550
запросить цену
ECAD 6616 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220Ф - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 1740-WNSC2D10650XQ EAR99 8541.10.0080 50 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 10 А 0 нс 50 мкА при 650 В 175°С 10А 310пФ @ 1В, 1МГц
WNSC2D20650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CWQ 5.1300
запросить цену
ECAD 480 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3 скачать 1 (без блокировки) 1740-WNSC2D20650CWQ EAR99 8541.10.0080 30 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1 пара с общим катодом 650 В 20А 1,7 В при 10 А 0 нс 50 мкА при 650 В 175°С
BYR29-600,127 WeEn Semiconductors 29-600 127 рублей 0,4785
запросить цену
ECAD 6230 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 29 белорусских рублей Стандартный ТО-220АС скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,5 В @ 8 А 75 нс 10 мкА при 600 В 150°С (макс.) -
WNSC04650T6J WeEn Semiconductors WNSC04650T6J 1,0313
запросить цену
ECAD 1979 год 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Последняя покупка Поверхностный монтаж 4-ВСФН Открытая площадка ВНСК0 SiC (карбид кремния) Шоттки 5-ДФН (8х8) скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 3000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 4 А 0 нс 25 мкА при 650 В 175°С (макс.) 141пФ @ 1В, 1МГц
WNSC5D086506Q WeEn Semiconductors WNSC5D086506Q -
запросить цену
ECAD 4911 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС - 1740-WNSC5D086506Q EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 8 А 0 нс 40 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 267пФ @ 1В, 1МГц
NXPSC20650WQ WeEn Semiconductors NXPSC20650WQ -
запросить цену
ECAD 3444 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Снято с производства в НИЦ Сквозное отверстие ТО-247-3 НКПСК SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3 скачать 1 (без блокировки) 934070881127 EAR99 8541.10.0080 240 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1 пара с общим катодом 650 В 20А 1,7 В при 10 А 0 нс 250 мкА при 650 В 175°С (макс.)
WNSC5D08650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D08650X6Q -
запросить цену
ECAD 4656 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС - 1740-WNSC5D08650X6Q EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 8 А 0 нс 40 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 267пФ @ 1В, 1МГц
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе