SIC
close

Диоды(390)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Конфигурация диода Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф
WNSC5D08650T6J WeEn Semiconductors WNSC5D08650T6J -
запросить цену
 ECAD 2007 год 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 4-ВСФН Открытая площадка ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки 5-ДФН (8х8) - 1740-WNSC5D08650T6JTR EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 8 А 0 нс 40 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 8А 267пФ @ 1В, 1МГц
WNS20S100CQ WeEn Semiconductors WNS20S100CQ 0,7200
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 ВНС20 Шоттки ТО-220Э скачать Соответствует RoHS Непригодный 934072011127 EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 100 В 10А 950 мВ при 10 А 50 мкА при 100 В 150°С (макс.)
WNSC06650T6J WeEn Semiconductors WNSC06650T6J 2.8400
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Последняя покупка Поверхностный монтаж 4-ВСФН Открытая площадка ВНСК0 SiC (карбид кремния) Шоттки 5-ДФН (8х8) скачать 1 (без блокировки) 1740-WNSC06650T6JCT EAR99 8541.10.0080 3000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 6 А 0 нс 40 мкА при 650 В 175°С (макс.) 6А 190пФ @ 1В, 1МГц
BYC5X-600PQ WeEn Semiconductors BYC5X-600PQ 1.1200
запросить цену
 ECAD 11 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка BYC5 Стандартный ТО-220Ф скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 3,3 В при 5 А 25 нс 10 мкА при 600 В -65°С ~ 175°С 5А -
WNS40H100CBJ WeEn Semiconductors WNS40H100CBJ 1,6100
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ WNS40 Шоттки Д2ПАК скачать Соответствует RoHS Непригодный EAR99 8541.10.0080 800 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 100 В 20А 710 мВ при 20 А 50 мкА при 100 В 150°С (макс.)
BYV25FX-600,127 WeEn Semiconductors BYV25FX-600,127 0,3465
запросить цену
 ECAD 1669 г. 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка BYV25 Стандартный ТО-220ФП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,9 В при 5 А 35 нс 50 мкА при 600 В 150°С (макс.) 5А -
BYC75W-1200PQ WeEn Semiconductors BYC75W-1200PQ 6.0000
запросить цену
 ECAD 888 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 BYC75 Стандартный ТО-247-2 скачать Соответствует RoHS Непригодный 934072042127 EAR99 8541.10.0080 30 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1200 В 85 нс 250 мкА при 1200 В 175°С (макс.) 75А -
NXPSC086506Q WeEn Semiconductors NXPSC086506Q 4.8000
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Последняя покупка Сквозное отверстие ТО-220-2 НКПСК SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС скачать 1 (без блокировки) 934072073127 EAR99 8541.10.0080 50 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 8 А 0 нс 230 мкА при 650 В 175°С (макс.) 8А 260пФ @ 1В, 1МГц
NURS360BJ WeEn Semiconductors НУРС360BJ -
запросить цену
 ECAD 2146 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Устаревший Поверхностный монтаж ДО-214АА, СМБ НУРС360 Стандартный СМБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 934067461118 EAR99 8541.10.0080 3000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1 В @ 3 А 75 нс 175°С (макс.) 3А -
MURS160BJ WeEn Semiconductors MURS160BJ 0,4300
запросить цену
 ECAD 8 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ДО-214АА, СМБ МУРС1 Стандартный СМБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 3000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,25 В @ 1 А 75 нс 5 мкА при 600 В 175°С (макс.) 1А -
WNSC2D30650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D30650CWQ 6.8600
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 30 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1 пара с общим катодом 650 В 30А 1,7 В @ 15 А 0 нс 50 мкА при 650 В 175°С
NXPSC206506Q WeEn Semiconductors NXPSC206506Q 7.6200
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Последняя покупка Сквозное отверстие ТО-220-2 НКПСК SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС скачать 1 (без блокировки) 934072076127 EAR99 8541.10.0080 50 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 20 А 0 нс 500 мкА при 650 В 175°С (макс.) 20А 600пФ @ 1В, 1МГц
WNSC6D20650B6J WeEn Semiconductors WNSC6D20650B6J 5.1900
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ ВНСК6 SiC (карбид кремния) Шоттки Д2ПАК скачать 3 (168 часов) EAR99 8541.10.0080 800 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,55 В при 20 А 0 нс 80 мкА при 650 В 175°С 20А 780пФ @ 1В, 1МГц
WNSC101200CWQ WeEn Semiconductors WNSC101200CWQ 6.4099
запросить цену
 ECAD 1793 г. 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Последняя покупка Сквозное отверстие ТО-247-3 ВНСК1 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 30 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,6 В при 5 А 0 нс 50 мкА при 1200 В 175°С (макс.) 10А 250пФ @ 1В, 1МГц
BYV410X-600PQ WeEn Semiconductors BYV410X-600PQ 1,3100
запросить цену
 ECAD 9 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка BYV410 Стандартный ТО-220Ф скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 600 В 20А 1,75 В @ 16 А 55 нс 10 мкА при 600 В 175°С (макс.)
BYV29X-600,127 WeEn Semiconductors BYV29X-600,127 0,9700
запросить цену
 ECAD 9 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка BYV29 Стандартный ТО-220ФП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,26 В @ 8 А 60 нс 50 мкА при 600 В 150°С (макс.) 9А -
WNSC201200WQ WeEn Semiconductors ВНСК201200ВК 9.3555
запросить цену
 ECAD 8594 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Последняя покупка Сквозное отверстие ТО-247-2 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 30 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,6 В при 20 А 0 нс 220 мкА при 1200 В 175°С (макс.) 20А 1020пФ @ 1В, 1МГц
WND10P08XQ WeEn Semiconductors WND10P08XQ 0,8900
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка ВНД10 Стандартный ТО-220Ф скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 800 В 1,3 В при 10 А 10 мкА при 800 В 150°С 10А -
BYT79X-600,127 WeEn Semiconductors BYT79X-600,127 1,4600
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка BYT79 Стандартный ТО-220ФП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,38 В @ 15 А 60 нс 50 мкА при 600 В 150°С (макс.) 15А -
BYV72EW-200,127 WeEn Semiconductors BYV72EW-200,127 1,9400
запросить цену
 ECAD 9 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 BYV72 Стандартный ТО-247-3 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 30 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 200 В 15А 1,2 В при 30 А 28 нс 100 мкА при 200 В 150°С (макс.)
NXPSC04650DJ WeEn Semiconductors NXPSC04650DJ -
запросить цену
 ECAD 2836 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Последняя покупка Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 НКПСК SiC (карбид кремния) Шоттки ДПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 2500 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 4 А 0 нс 170 мкА при 650 В 175°С (макс.) 4А 130пФ @ 1В, 1МГц
BYR29X-800,127 WeEn Semiconductors BYR29X-800 127 1,2700
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка 29 белорусских рублей Стандартный ТО-220ФП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 800 В 1,7 В при 8 А 75 нс 10 мкА при 800 В 150°С (макс.) 8А -
BYC30W-600PT2Q WeEn Semiconductors BYC30W-600PT2Q 2.3400
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 BYC30 Стандартный ТО-247-2 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 934072030127 EAR99 8541.10.0080 450 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 2,75 В при 30 А 34 нс 10 мкА при 600 В 175°С (макс.) 30А -
BYC5DX-500,127 WeEn Semiconductors BYC5DX-500,127 0,4125
запросить цену
 ECAD 1052 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка BYC5 Стандартный ТО-220ФП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 500 В 2 В @ 5 А 16 нс 40 мкА при 500 В 150°С (макс.) 5А -
WNSC2D10650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D10650DJ 2.7300
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ДПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 2500 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 10 А 0 нс 50 мкА при 650 В 175°С 10А 310пФ @ 1В, 1МГц
WNSC5D04650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D04650X6Q -
запросить цену
 ECAD 5301 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС - 1740-WNSC5D04650X6Q EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 4 А 0 нс 20 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 4А 138пФ @ 1В, 1МГц
BYV44-500,127 WeEn Semiconductors BYV44-500,127 1,8400
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 BYV44 Стандартный ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 500 В 30А 1,36 В при 30 А 60 нс 50 мкА при 500 В 150°С (макс.)
NXPLQSC10650Q WeEn Semiconductors NXPLQSC10650Q -
запросить цену
 ECAD 1984 г. 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Последняя покупка Сквозное отверстие ТО-220-2 НХПЛКСК SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,85 В при 10 А 0 нс 230 мкА при 650 В 175°С (макс.) 10А 250пФ @ 1В, 1МГц
NXPSC08650Q WeEn Semiconductors NXPSC08650Q -
запросить цену
 ECAD 9977 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Последняя покупка Сквозное отверстие ТО-220-2 НКПСК SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 8 А 0 нс 230 мкА при 650 В 175°С (макс.) 8А 260пФ @ 1В, 1МГц
BYV60W-600PSQ WeEn Semiconductors BYV60W-600PSQ 2,0689
запросить цену
 ECAD 1643 г. 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 BYV60 Стандартный ТО-247-2 скачать EAR99 8541.10.0080 600 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 2 В @ 60 А 55 нс 10 мкА при 600 В 175°С 60А -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.