SIC
close

Диоды(390)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Конфигурация диода Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф
WNSC5D206506Q WeEn Semiconductors WNSC5D206506Q -
запросить цену
 ECAD 6400 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС - 1740-WNSC5D206506Q EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 20 А 0 нс 100 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 20А 640пФ @ 1В, 1МГц
WNSC5D106506Q WeEn Semiconductors WNSC5D106506Q -
запросить цену
 ECAD 7918 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС - 1740-WNSC5D106506Q EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 10 А 0 нс 50 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 10А 323пФ @ 1В, 1МГц
NUR460P/L07U WeEn Semiconductors НУР460П/Л07У -
запросить цену
 ECAD 2363 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Устаревший Сквозное отверстие ДО-201АД, Осевой НУР460 Стандартный ДО-201АД скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 500 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,28 В при 4 А 75 нс 10 мкА при 600 В - 4А -
WNSC2D10650WQ WeEn Semiconductors WNSC2D10650WQ 2,7600
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 1740-WNSC2D10650WQ EAR99 8541.10.0080 30 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 10 А 0 нс 50 мкА при 650 В 175°С 10А 310пФ @ 1В, 1МГц
BYV34-400,127 WeEn Semiconductors BYV34-400,127 1,6700
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 BYV34 Стандартный ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 400 В 20А 1,35 В при 20 А 60 нс 50 мкА при 400 В -
WNSC2D03650MBJ WeEn Semiconductors WNSC2D03650MBJ 1,6700
запросить цену
 ECAD 11 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ДО-214АА, СМБ ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки СМБ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 3000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 3 А 0 нс 20 мкА при 650 В 175°С 3А 130пФ @ 1В, 1МГц
BYT28X-500Q WeEn Semiconductors BYT28X-500Q 0,3767
запросить цену
 ECAD 4290 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка БЮТ28 Стандартный ТО-220Ф скачать EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 500 В 10А 1,4 В при 5 А 60 нс 10 мкА при 500 В 150°С
BYC8B-600,118 WeEn Semiconductors BYC8B-600,118 0,5280
запросить цену
 ECAD 8125 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ BYC8 Стандартный Д2ПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 800 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 500 В 2,9 В при 8 А 52 нс 150 мкА при 600 В 150°С (макс.) 8А -
BYV10D-600PJ WeEn Semiconductors BYV10D-600PJ 0,2136
запросить цену
 ECAD 4015 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 BYV10 Стандартный ДПАК скачать EAR99 8541.10.0080 2500 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,3 В при 10 А 100 нс 10 мкА при 600 В 175°С 10А -
WNSC5D046506Q WeEn Semiconductors WNSC5D046506Q -
запросить цену
 ECAD 8122 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС - 1740-WNSC5D046506Q EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 4 А 0 нс 20 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 4А 138пФ @ 1В, 1МГц
WNSC5D04650T6J WeEn Semiconductors WNSC5D04650T6J -
запросить цену
 ECAD 6725 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 4-ВСФН Открытая площадка ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки 5-ДФН (8х8) - 1740-WNSC5D04650T6JTR EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 4 А 0 нс 20 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 4А 138пФ @ 1В, 1МГц
BYC58X-600,127 WeEn Semiconductors BYC58X-600,127 0,8415
запросить цену
 ECAD 3581 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка BYC58 Стандартный ТО-220ФП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 3,2 В при 8 А 12,5 нс 150 мкА при 600 В 150°С (макс.) 8А -
BYV30JT-600PMQ WeEn Semiconductors BYV30JT-600PMQ 0,7721
запросить цену
 ECAD 9894 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-3П-3, СК-65-3 BYV30 Стандартный ТО-3ПФ - EAR99 8541.10.0080 480 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,8 В при 30 А 65 нс 10 мкА при 600 В 175°С 30А -
BYV430J-600PQ WeEn Semiconductors BYV430J-600PQ 2.4300
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-3П-3, СК-65-3 BYV430 Стандартный ТО-3П скачать 1 (без блокировки) 934071202127 EAR99 8541.10.0080 30 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 600 В 30А 2 В @ 30 А 90 нс 10 мкА при 600 В 175°С (макс.)
WNB199V5APTSV WeEn Semiconductors WNB199V5APTSV 0,9319
запросить цену
 ECAD 8774 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж Править ВНБ199 Стандартный вафля - EAR99 8541.10.0080 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 2 В @ 60 А 55 нс 10 мкА при 600 В 175°С 60А -
BYV32EX-300PQ WeEn Semiconductors BYV32EX-300PQ 1.1200
запросить цену
 ECAD 35 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка BYV32 Стандартный ТО-220Ф скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 300 В 10А 1,25 В @ 10 А 35 нс 20 мкА при 300 В 175°С (макс.)
NXPSC046506Q WeEn Semiconductors NXPSC046506Q 2,6700
запросить цену
 ECAD 20 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Последняя покупка Сквозное отверстие ТО-220-2 НКПСК SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС скачать 1 (без блокировки) 934072071127 EAR99 8541.10.0080 50 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 4 А 0 нс 170 мкА при 650 В 175°С (макс.) 4А 130пФ @ 1В, 1МГц
NUR460P/L02U WeEn Semiconductors НУР460П/Л02У -
запросить цену
 ECAD 3178 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Устаревший Сквозное отверстие ДО-201АД, Осевой НУР460 Стандартный ДО-201АД скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 934067359112 EAR99 8541.10.0080 500 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,05 В при 3 А 75 нс 10 мкА при 600 В 175°С (макс.) 4А -
WN3S10H150CQ WeEn Semiconductors WN3S10H150CQ 0,6200
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 ВН3С10 Шоттки ТО-220АБ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 150 В 5А 1 В @ 5 А 50 мкА при 150 В 150°С
NXPS20S110C,127 WeEn Semiconductors НХПС20С110С, 127 -
запросить цену
 ECAD 8362 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Снято с производства в НИЦ НХПС20 - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 934067129127 EAR99 8541.10.0080 50
WNSC5D126506Q WeEn Semiconductors WNSC5D126506Q -
запросить цену
 ECAD 3206 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС - 1740-WNSC5D126506Q EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 12 А 0 нс 60 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 12А 420пФ @ 1В, 1МГц
WNS20S100CBJ WeEn Semiconductors WNS20S100CBJ 0,7400
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ ВНС20 Шоттки Д2ПАК скачать Соответствует RoHS Непригодный EAR99 8541.10.0080 800 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 100 В 10А 950 мВ при 10 А 50 мкА при 100 В 150°С (макс.)
WN3S20H150CQ WeEn Semiconductors WN3S20H150CQ 0,7500
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 ВН3С20 Шоттки ТО-220АБ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 150 В 10А 1,1 В при 10 А 50 мкА при 150 В 150°С
WNS30H100CQ WeEn Semiconductors WNS30H100CQ 1,0800
запросить цену
 ECAD 12 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 WNS30 Шоттки ТО-220Э скачать Соответствует RoHS Непригодный 934072050127 EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 100 В 15А 710 мВ при 15 А 50 мкА при 100 В 150°С (макс.)
WN3S30H100CQ WeEn Semiconductors WN3S30H100CQ 0,8900
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 ВН3С30 Шоттки ТО-220АБ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 100 В 15А 710 мВ при 15 А 50 мкА при 100 В 150°С
BYT79X-600PQ WeEn Semiconductors BYT79X-600PQ 1.0500
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка BYT79 Стандартный ТО-220ФП скачать Соответствует RoHS Непригодный 934070143127 EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,38 В @ 15 А 60 нс 10 мкА при 600 В 175°С (макс.) 15А -
NXPSC06650D6J WeEn Semiconductors NXPSC06650D6J 3.5800
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Последняя покупка Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 НКПСК SiC (карбид кремния) Шоттки ДПАК скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 2500 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 6 А 0 нс 200 мкА при 650 В 175°С (макс.) 6А 190пФ @ 1В, 1МГц
WND08P16XQ WeEn Semiconductors WND08P16XQ 0,3878
запросить цену
 ECAD 1749 г. 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка ВНД08 Стандартный ТО-220Ф скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 1600 В 1,2 В при 8 А 50 мкА при 1600 В 150°С 8А -
BYV42E-200,127 WeEn Semiconductors BYV42E-200,127 1,4300
запросить цену
 ECAD 12 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 BYV42 Стандартный ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 200 В 30А 1,2 В при 30 А 28 нс 100 мкА при 200 В 150°С (макс.)
WNS40100CQ WeEn Semiconductors WNS40100CQ 1.2000
запросить цену
 ECAD 15 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 WNS40 Шоттки ТО-220Э скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 100 В 20А 780 мВ при 20 А 50 мкА при 100 В 150°С
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.