SIC
close

Дидж (166326)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
SS3P4L-E3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P4L-E3/87A -
RFQ
 ECAD 5773 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 277, 3-Powerdfn SS3P4 ШOTKIй TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 470 мВ @ 3 a 250 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
1N5937BP/TR8 Microchip Technology 1N5937BP/TR8 1.8900
RFQ
 ECAD 4259 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n5937 1,5 DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 25,1 33 В 33 О
BZD27C75PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75PHMQG -
RFQ
 ECAD 5547 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 56 74,5. 100 ОМ
JANTXV1N4496DUS Microchip Technology Jantxv1n4496dus 56.4150
RFQ
 ECAD 3976 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/406 МАССА Актифен ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SQ-Melf, A 1,5 D-5A - DOSTISH 150-jantxv1n4496dus Ear99 8541.10.0050 1 1,5 - @ 1 a 250 Na @ 160 V 200 1500 ОМ
GT1MMA_R1_00001 Panjit International Inc. Gt1mma_r1_00001 0,3900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA GT1M Станода SMA (DO-214AC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-GT1MMA_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0080 1800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 2 мкс 1 мка При 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
1SMA5926H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5926H 0,0995
RFQ
 ECAD 6196 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA5926 1,5 DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 500 NA @ 8,4 11 5,5 ОМ
S5M-CT Diotec Semiconductor S5M-CT 0,6192
RFQ
 ECAD 495 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Полески Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2721-S5M-CT 8541.10.0000 15 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 5 A 1,5 мкс 10 мк -прри 50 -50 ° C ~ 150 ° C. 5A -
VS-6TQ035STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6TQ035Strl-M3 0,5613
RFQ
 ECAD 9889 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 6tq035 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 600 мВ @ 6 a 800 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 6A 400pf @ 5V, 1 мгновение
ZY6.8 Diotec Semiconductor ZY6.8 0,0986
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 2 Вт DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zy6.8tr 8541.10.0000 5000 1 мка @ 2 6,8 В. 1 О
SB52AFC_R1_00001 Panjit International Inc. SB52AFC_R1_00001 0,3900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds SB52 ШOTKIй SMAF-C СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-SB52AFC_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 540 мВ @ 5 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 159pf @ 10V, 1 мгха
1N4937GP-AP-B002 Micro Commercial Co 1N4937GP-AP-B002 -
RFQ
 ECAD 9463 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Прохл Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4937 Станода DO-41 - 353-1N4937GP-AP-B002TB Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,2 - @ 1 a 200 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
BZT52B39S Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BZT52B39S 0,1300
RFQ
 ECAD 9175 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2,03% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-76, SOD-323 300 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 3000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 29 V 39 90 ОМ
SFAF805G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF805G -
RFQ
 ECAD 3663 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 Станода ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SFAF805G Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1.3 V @ 8 a 35 м 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 60pf @ 4V, 1 мгест
1N3156A Microchip Technology 1n3156a 31.5600
RFQ
 ECAD 1030 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AA, DO-7, OSEVOй 1N3156 500 м ДО-7 СКАХАТА DOSTISH 150-1N3156A Ear99 8541.10.0050 1 10 мк. 8,4 В. 15 О
S1GALH Taiwan Semiconductor Corporation S1Galh 0,4000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds S1G Станода ТОНКИЯ СМА - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 1 a 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
JANTX1N6626U Microchip Technology Jantx1n6626u 18.1050
RFQ
 ECAD 4266 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/590 МАССА Актифен Пефер SQ-Melf, A 1n6626 Станода D-5A - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,35 - @ 2 a 30 млн 2 мка При 200 -65 ° С ~ 150 ° С. 1,75а -
ES3A Taiwan Semiconductor Corporation Es3a -
RFQ
 ECAD 6854 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-ES3ATR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 3 a 35 м 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
1N3784 Microchip Technology 1N3784 38.6100
RFQ
 ECAD 1391 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен ± 5% - Чereз dыru DO-204AA, DO-7, OSEVOй 400 м ДО-7 - DOSTISH 150-1N3784 Ear99 8541.10.0050 1 6,7 В. 10 ОМ
1N3999RA Solid State Inc. 1n3999ra 8.0000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Стало DO-203AA, DO-4, Став 10 st До 4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-1N3999RA Ear99 8541.10.0080 10 1,5 - @ 2 a 10 мк @ 2 6,8 В. 1,2 ОМ
SJPL-H6VR Sanken SJPL-H6VR -
RFQ
 ECAD 6044 0,00000000 САНКЕН - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, J-Lead SJPL-H6 Станода SJP СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) SJPL-H6VR DK Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,5 - @ 2 a 50 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 2A -
SK345AFL-TP-HF Micro Commercial Co SK345AFL-TP-HF -
RFQ
 ECAD 8834 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds SK345 ШOTKIй DO-221AC (SMA-FL) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 500 м. @ 3 a 500 мкр 45 -50 ° C ~ 125 ° C. 3A 180pf @ 4V, 1 мгха
2A06GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A06GHB0G -
RFQ
 ECAD 9215 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2A06 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1 V @ 2 A 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 15pf @ 4V, 1 мг
MM3Z3V9 Diotec Semiconductor MM3Z3V9 -
RFQ
 ECAD 8434 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F 300 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-MM3Z3V9TR 8541.10.0000 3000 1 V @ 10 мая 5 мка @ 1 В 3,9 В. 85 ОМ
MSS1P3HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSS1P3HM3_A/H. 0,3900
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Microsmp MSS1P3 ШOTKIй Microsmp (do-219AD) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 1 a 200 мка прри 30 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 50pf @ 4V, 1 мгест
GBJ8005 Diodes Incorporated GBJ8005 2.0100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Дидж * Трубка Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 600
JANTXV1N6320US/TR Microchip Technology Jantxv1n6320us/tr 19.1254
RFQ
 ECAD 1688 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/533 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер SQ-Melf, б 500 м B, SQ-Melf СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150 Jantxv1n6320us/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,4 w @ 1 a 2 мка При 5в 6,8 В. 3 О
SD330S_L2_00001 Panjit International Inc. SD330S_L2_00001 0,2187
RFQ
 ECAD 9463 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 SD330 ШOTKIй 252 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 201 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 м. @ 3 a 200 мка прри 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
SK220-LTP Micro Commercial Co SK220-LTP 0,1075
RFQ
 ECAD 5365 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SK220 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SK220-LTPMSTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 900 мВ @ 2 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 2A 170pf @ 4V, 1 мгха
JAN1N6320US Microchip Technology Январь 6320us 15.2850
RFQ
 ECAD 1977 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/533 МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SQ-Melf, б 1n6320 500 м B, SQ-Melf СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,4 w @ 1 a 2 мка @ 4 В 6,8 В. 3 О
B140AE-13 Diodes Incorporated B140ae-13 -
RFQ
 ECAD 6159 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AC, SMA B140 ШOTKIй СМА СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 мВ @ 1 a 200 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 50pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть