SIC
close

Дидж (166326)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
CDLL5522A/TR Microchip Technology CDLL5522A/TR 5.9052
RFQ
 ECAD 3005 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AB, MELF 500 м DO-213AB - Rohs3 DOSTISH 150-CDLL5522A/TR Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 2 мка пр. 1,5 4,7 В. 22 ОМ
SMZG3795BHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZG3795BHE3/5B 0,1980
RFQ
 ECAD 2597 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-215AA, кргло SMB Puld SMZG3795 1,5 DO-215AA (SMBG) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3200 5 мк. 18 12
BZT52B11BS-TP Micro Commercial Co BZT52B11BS-TP 0,0355
RFQ
 ECAD 4670 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-76, SOD-323 BZT52B11 400 м SOD-323 СКАХАТА 353-BZT52B11BS-TP Ear99 8541.10.0050 1 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 8 v 11 20 ОМ
FMXK-1106S Sanken FMXK-1106S 0,8800
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 САНКЕН - Трубка Управо Чereз dыru 220-2 Станода TO-220F-2L СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) FMXK-1106S DK Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,75 В @ 10 a 27 млн 100 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 10 часов -
1N4912A/TR Microchip Technology 1n4912a/tr 28.9950
RFQ
 ECAD 3071 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru DO-204AA, DO-7, OSEVOй 400 м ДО-7 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-1N4912a/tr Ear99 8541.10.0050 1 12,8 В. 25 ОМ
MMSZ5221BS_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5221BS_R1_00001 0,2100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Panjit International Inc. MMSZ5221BS Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F MMSZ5221 200 м SOD-323 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-MMSZ5221BS_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0050 5000 100 мка @ 1 В 2,4 В. 30 ОМ
SRM54ALF_R1_00001 Panjit International Inc. SRM54ALF_R1_00001 0,5800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AA, Plat Plat Heds SMB SRM54 ШOTKIй SMBF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-SRM54ALF_R1_00001CT Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 490 мВ @ 5 a 210 мка 45 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 350pf @ 4V, 1 мгест
1N3025BUR-1/TR Microchip Technology 1n3025bur-1/tr 15.4500
RFQ
 ECAD 6197 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AB, MELF (Стекло) 1 Вт DO-213AB (Melf, LL41) - Ear99 8541.10.0050 100 1,2 - @ 200 Ма 10 мк. 16 16 ОМ
VS-12TQ040STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TQ040STRR-M3 0,6694
RFQ
 ECAD 2133 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 12TQ040 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 560 мВ @ 15 A 1,75 мая @ 40 -55 ° C ~ 150 ° С. 15A 900pf @ 5V, 1 мгест
DF06M-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF06M-E3/45 0,7800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-e-edip (0,300 ", 7,62 мм) DF06 Станода DFM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 a 5 мк. 1 а ОДИНАНАНА 600
JANS1N6312DUS/TR Microchip Technology Jans1n6312dus/tr 497.2732
RFQ
 ECAD 2392 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/533 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-JANS1N6312DUS/TR Ear99 8541.10.0050 1 1,4 w @ 1 a 5 мка @ 1 В 3.3в 27 О
SB540_FR Diodes Incorporated SB540_FR -
RFQ
 ECAD 3382 0,00000000 Дидж - МАССА Управо СКАХАТА DOSTISH 31-SB540_FR Ear99 8541.10.0080 1
TZX2V4A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX2V4A-TAP 0,2300
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101, TZX Веса Актифен - -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй TZX2V4 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 - @ 200 Ма 5 мк -при 500 м. 2,4 В. 100 ОМ
BZX84W-C3V3-QX Nexperia USA Inc. BZX84W-C3V3-QX 0,0335
RFQ
 ECAD 4972 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, BZX84W-Q Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,06% 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BZX84W 275 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-BZX84W-C3V3-QXTR Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 5 мка @ 1 В 3.3в 95 ОМ
SS2PH10HM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2PH10HM3/85A -
RFQ
 ECAD 5575 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, ESMP® Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-220AA SS2PH10 ШOTKIй DO-220AA (SMP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 800 мВ @ 2 a 1 мка рри 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 2A 65pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C82PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82PHRHG -
RFQ
 ECAD 3271 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 62 82 200 ОМ
FEP16BTA Fairchild Semiconductor FEP16BTA 0,6100
RFQ
 ECAD 6792 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо Чereз dыru 220-3 Станода 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 346 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 16A 950 мВ @ 8 a 35 м 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
MBRB16H60-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB16H60-E3/81 -
RFQ
 ECAD 2645 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRB16 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 730 мВ @ 16 a 100 мк -пр. 60 -65 ° C ~ 175 ° C. 16A -
NTE5933 NTE Electronics, Inc NTE5933 15.6300
RFQ
 ECAD 103 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5933 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,23 Е @ 63 А 12 май @ 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 20 часов -
VBT1045CBP-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1045CBP-M3/8W 0,7192
RFQ
 ECAD 6256 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay TMBS® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB VBT1045 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 5A 580 мВ @ 5 a 500 мкр 45 -40 ° С ~ 150 ° С.
CSFB205-G Comchip Technology CSFB205-G 0,1328
RFQ
 ECAD 4112 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB CSFB205 Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 V @ 2 a 35 м 5 мк. 150 ° C (MMAKS) 2A -
SB360L-5705E3/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB360L-5705E3/72 -
RFQ
 ECAD 8674 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо - 1 (neograniчennnый) 112-SB360L-5705E3/72TR Ear99 8541.10.0080 1400
SB15AFC_R1_00001 Panjit International Inc. SB15AFC_R1_00001 0,3400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds SB15 ШOTKIй SMAF-C СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-SB15AFC_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 1 a 100 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 45pf @ 4V, 1 мгест
1N2137R Microchip Technology 1n2137r 74 5200
RFQ
 ECAD 3804 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud Ставень, обратно Do-5 (do-203ab) СКАХАТА DOSTISH 150-1N2137R Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 500 1,25 w @ 200 a 25 мк -при 500 -65 ° C ~ 200 ° C. 70A -
VS-70HFR40M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HFR40M 17.0803
RFQ
 ECAD 4572 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 70HFR40 Ставень, обратно Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS70HFR40M Ear99 8541.10.0080 100 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,35 В @ 220 a -65 ° C ~ 180 ° C. 70A -
SMB2EZ16D5HE3-TP Micro Commercial Co SMB2EZ16D5HE3-TP 0,1501
RFQ
 ECAD 2046 0,00000000 МИКРОМЕР СО Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB SMB2EZ10 2 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА 353-SMB2EZ16D5HE3-TP Ear99 8541.10.0050 1 1,5 - @ 200 Ма 500 NA @ 12,2 16 8 О
SMBJ5914B/TR13 Microchip Technology SMBJ5914B/TR13 1.5600
RFQ
 ECAD 3880 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер DO-214AA, SMB SMBJ5914 2 Вт SMBJ (DO-214AA) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 75 мка При 1в 3,6 В. 9 О
AR2502 EIC SEMICONDUCTOR INC. AR2502 0,2800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 EIC Semiconductor Inc. Автомобиль Симка Актифен Пефер Кнопро -микрода Станода Кнопро -микрода СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2439-AR2502 8541.10.0000 500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1 V @ 25 A 5 мка При 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 25 а -
BAV74LT1G onsemi BAV74LT1G 0,1200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Bav74 Станода SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 50 200 май (DC) 1 V @ 100 май 4 млн 100 na @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° С.
DZ23C3V6-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C3V6-HE3_A-18 -
RFQ
 ECAD 7081 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, DZ23 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 300 м SOT-23-3 СКАХАТА 112-DZ23C3V6-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 1 1 пар 3,6 В. 80 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть