SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt) СОПРЕТИВЛЕЕЕЕ @ if, f
BZD27C160P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C160P RTG -
RFQ
ECAD 7850 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 120 162 В 350 ОМ
1N2841B Microchip Technology 1n2841b 94 8900
RFQ
ECAD 7260 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru До 204 года. 1n2841 50 st До 204 года. (DO-3) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,5 - @ 10 a 10 мк. 120 40 ОМ
MSASC150H30LX/TR Microchip Technology MSASC150H30LX/TR -
RFQ
ECAD 6710 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * Lenta и катахка (tr) Актифен - DOSTISH 150-MSASC150H30LX/TR 100
CLL4731A TR Central Semiconductor Corp Cll4731a tr -
RFQ
ECAD 9669 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Пефер DO-213AB, MELF 1 Вт Пособие СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 1,2 - @ 200 Ма 10 мка @ 1 В 4,3 В. 9 О
JANS1N6347DUS/TR Microchip Technology Jans1n6347dus/tr 527 7150
RFQ
ECAD 4733 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА MIL-PRF-19500/533 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SQ-Melf, б 500 м B, SQ-Melf - 150-JANS1N6347DUS/TR Ear99 8541.10.0050 50 1,4 w @ 1 a 50 Na @ 69 V 91 270
FS1BE-TP Micro Commercial Co Fs1be-tp -
RFQ
ECAD 6441 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA Fs1b Станода СМГ - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 353-FS1BE-TPTR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мк -4 100 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
BZD17C68P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C68P-E3-08 0,1452
RFQ
ECAD 9881 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер DO-219AB BZD17C68 800 м DO-219AB (SMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 30 000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 51в 68 В
VS-26MB06 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-26MB06 7.6870
RFQ
ECAD 2940 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Поднос Актифен - QC TERMINAL 4 Квадрата, D-34 26MB06 Станода D-34 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS26MB06 Ear99 8541.10.0080 20 10 мк -при 60 В 25 а ОДИНАНАНА 600
BZB84-B4V3215 Nexperia USA Inc. BZB84-B4V3215 0,0300
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Nexperia USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 1
MMBZ5261B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5261B-E3-08 -
RFQ
ECAD 9140 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5261 225 м SOT-23-3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 15 000 100 Na @ 36 47 В 105 ОМ
MSCDC150KK170D1PAG Microchip Technology MSCDC150KK170D1PAG 365.1600
RFQ
ECAD 8220 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Коробка Актифен ШASCI Модул MSCDC150 Sic (kremniewый karbid) D1P СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-MSCDC150KK170D1PAG Ear99 8541.10.0080 1 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1 пар 1700 В. 150a 1,8 В @ 150 a 0 м 600 мк. -40 ° C ~ 175 ° C.
1N5916CP/TR12 Microsemi Corporation 1N5916CP/TR12 -
RFQ
ECAD 4778 0,00000000 Microsemi Corporation - Lenta и катахка (tr) Управо ± 2% -65 ° С ~ 150 ° С. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n5916 1,5 DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 4000 1,2 - @ 200 Ма 5 мка @ 1 В 4,3 В. 6 ОМ
MUR1020 Yangjie Technology MUR1020 0,3530
RFQ
ECAD 100 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Станода ДО-220AC - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-MUR1020TR Ear99 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 10 a 35 м 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 160pf @ 4V, 1 мгха
MUR360S Taiwan Semiconductor Corporation Mur360s 0,2299
RFQ
ECAD 7002 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC MUR360 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
FLZ36VD Fairchild Semiconductor Flz36vd 1.0000
RFQ
ECAD 4385 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м SOD-80 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 2500 1,2 - @ 200 Ма 133 Na @ 27 V 34,9 В. 63 ОМ
GBPC2501 onsemi GBPC2501 6.9700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC TERMINAL 4 Квадрата, GBPC GBPC25 Станода GBPC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 1,1 В @ 7,5 А 5 мк -4 100 25 а ОДИНАНАНА 100
UM4001CR Microchip Technology UM4001CR -
RFQ
ECAD 9675 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА UM4000 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 175 ° C. Шpiolga - - DOSTISH 150-UM4001CRTR Ear99 8541.10.0060 1 25 Вт 3pf @ 100V, 1 мгха Пин -Код - Сионгл 100 500mohm @ 100ma, 100 мгр.
TZX4V7A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX4V7A-TR 0,2400
RFQ
ECAD 30 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101, TZX Lenta и катахка (tr) Актифен - -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй TZX4V7 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 - @ 200 Ма 5 мка @ 2 4,7 В. 100 ОМ
PZ1AH28B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. Pz1ah28b-au_r1_000a1 0,0756
RFQ
ECAD 4256 0,00000000 Panjit International Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123H Pz1ah28 1 Вт SOD-123HE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 501 000 1 мка @ 21в 28 15 О
BAS70-06E6327 Infineon Technologies BAS70-06E6327 -
RFQ
ECAD 8731 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 ШOTKIй PG-SOT23 СКАХАТА Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 70 70 май (DC) 1 V @ 15 мая 100 с 100 na @ 50 v 150 ° С
RD7.5ES-AZ Renesas Electronics America Inc Rd7.5es-az 0,0600
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0050 1
1SMC5365_R1_00001 Panjit International Inc. 1SMC5365_R1_00001 0,1863
RFQ
ECAD 8174 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1SMC5365 5 Вт SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 165 600 500 NA @ 27,4 36 11 О
SURS8210T3G-VF01 onsemi SURS8210T3G-VF01 -
RFQ
ECAD 7438 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Surs8210 Станода МАЛИ - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 940 мВ @ 2 a 30 млн 2 мк -60 ° C ~ 175 ° C. 2A -
JANTX1N4574AUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n4574aur-1/tr 35,7000
RFQ
ECAD 7917 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/452 Lenta и катахка (tr) Актифен - -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AA 500 м DO-213AA - Rohs3 DOSTISH 150 jantx1n4574aur-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 2 мка @ 3 В 100 ОМ
CDLL4568AE3/TR Microchip Technology Cdll4568ae3/tr 14.4750
RFQ
ECAD 9808 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен - -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер DO-213AA 500 м DO-213AA - Rohs3 DOSTISH 150-cdll4568ae3/tr Ear99 8541.10.0050 1 2 мка @ 3 В 200 ОМ
21FQ035 Microchip Technology 21FQ035 54 5550
RFQ
ECAD 6564 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став ШOTKIй DO-4 (DO-203AA) - DOSTISH 150-21FQ035 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 630 мВ @ 30 a 1,5 мая @ 35 -55 ° C ~ 175 ° C. 30A -
1N971BE3/TR Microchip Technology 1n971be3/tr 2.3275
RFQ
ECAD 2110 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-1n971be3/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 5 мка прри 20,6 27 41 О
MMBZ5256BW-TP Micro Commercial Co MMBZ5256BW-TP 0,0363
RFQ
ECAD 8546 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 MMBZ5256 200 м SOT-323 СКАХАТА 353-MMBZ5256BW-TP Ear99 8541.10.0050 1 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 23 В 30 49 ОМ
JANTX1N6324 Microchip Technology Jantx1n6324 13.9950
RFQ
ECAD 8410 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/533 МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n6324 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,4 w @ 1 a 1 мка @ 8 10 6 ОМ
APT15D60BCAG Microchip Technology APT15D60BCAG -
RFQ
ECAD 7291 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Трубка Управо Чereз dыru 247-3 APT15 Станода ДО-247 [B] СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 30 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 14. 1,8 В @ 15 A 80 млн 150 мкр. -55 ° C ~ 175 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе