SIC
close

Дидж (166326)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
MMSZ5227B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5227B-E3-08 0,2700
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123 MMSZ5227 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 15 мк 3,6 В. 24
BZT52C12T-7 Diodes Incorporated BZT52C12T-7 0,2100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 BZT52 300 м SOD-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 8 v 12 25 ОМ
1SMB5956HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5956HR5G -
RFQ
 ECAD 1823 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5956 3 Вт DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка При 152 200 1200 ОМ
PZU20BA,115 NXP Semiconductors Pzu20ba, 115 0,0200
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-76, SOD-323 320 м SOD-323 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-Pzu20ba, 115-954 1 1,1 - @ 100mma 50 Na @ 15 V 20 20 ОМ
125NQ015R-1 SMC Diode Solutions 125NQ015R-1 25.5842
RFQ
 ECAD 5951 0,00000000 SMC Diode Solutions - МАССА Актифен ШASCI Половина 125nq ШOTKIй Prm1-1 (napolovinumymodooly pak) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 125NQ015R-1SMC Ear99 8541.10.0080 27 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 15 390 мВ @ 120 a 40 май @ 15 -55 ° C ~ 125 ° C. 120a 7700pf @ 5V, 1 мгновение
S1FLB-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1FLB-GS18 0,0512
RFQ
 ECAD 2538 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1F Станода DO-219AB (SMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 700 май 4pf @ 4V, 1 мгест
PR2007G-T Diodes Incorporated PR2007G-T -
RFQ
 ECAD 9225 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода ДО-15 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 V @ 2 a 500 млн 5 мк -пр. 1000 -65 ° С ~ 150 ° С. 2A 35pf @ 4V, 1 мгест
G3SBA20L-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20L-M3/51 -
RFQ
 ECAD 6359 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Поднос Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU G3SBA20 Станода GBU СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 2 A 5 мка При 200 2.3 а ОДИНАНАНА 200
CZRFR52C6V2-HF Comchip Technology CZRFR52C6V2-HF 0,0805
RFQ
 ECAD 7227 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 1005 (2512 МЕТРИКА) CZRFR52 200 м 1005/SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 4000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 2 v 6,2 В. 10 ОМ
VBT3045BP-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT3045BP-M3/8W 0,8412
RFQ
 ECAD 8157 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB VBT3045 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 700 мВ @ 30 a 2 мая @ 45 -40 ° С ~ 150 ° С. 30A -
1PMT5923BE3/TR13 Microsemi Corporation 1 PMT5923BE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 3546 0,00000000 Microsemi Corporation - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер DO-216AA 1PMT5923 3 Вт DO-216AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 12 000 1,2 - @ 200 Ма 5 мк. 8,2 В. 3,5 ОМ
CDLL5227/TR Microchip Technology Cdll5227/tr 2.7132
RFQ
 ECAD 7344 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AB, MELF 10 м DO-213AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-cdll5227/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 15 мк 3,6 В. 24
VS-40EPS16-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40EPS16-M3 5,6000
RFQ
 ECAD 6890 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-247-2 40EPS16 Станода К 247AC МОДИФИИРОВАНАН СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS-40EPS16-M3GI Ear99 8541.10.0080 25 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 1,14 В @ 40 a 100 мк @ 1600 -40 ° С ~ 150 ° С. 40a -
1N4626 BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N4626 BK PBFREE 0,2190
RFQ
 ECAD 3374 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 250 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 200 MMA 10 мка @ 4 5,6 В. 1400 ОМ
BZV55B9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B9V1 0,0357
RFQ
 ECAD 7347 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55B9V1TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 6,8 9.1. 10 ОМ
1N4051R Microchip Technology 1n4051r 158.8200
RFQ
 ECAD 9218 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-205ab, do-9, Stud Ставень, обратно DO-205AB (DO-9) СКАХАТА DOSTISH 150-1N4051R Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 500 1,3 В @ 300 А 75 мк -при 500 -65 ° C ~ 190 ° C. 275A -
JANTXV1N978CUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n978cur-1/tr 17.3166
RFQ
 ECAD 8613 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/117 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AA (Стекло) 500 м DO-213AA - Rohs3 DOSTISH 150 Jantxv1n978cur-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 500 NA @ 39 V 51 125 ОМ
BZT52-B20-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-B20-AU_R1_000A1 0,2200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 BZT52 410 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-BZT52-B20-AU_R1_000A1CT Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 15 V 20 50 ОМ
JANS1N6485DUS/TR Microchip Technology Jans1n6485dus/tr -
RFQ
 ECAD 5838 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА MIL-PRF-19500/406 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SQ-Melf, A 1,5 D-5A СКАХАТА 150-JANS1N6485DUS/TR Ear99 8541.10.0050 1 1,5 - @ 1 a 50 мк @ 1 В 3.3в 10 ОМ
JANTXV1N4987DUS/TR Microchip Technology Jantxv1n4987dus/tr 51.2700
RFQ
 ECAD 5141 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА MIL-PRF-19500/356 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SQ-Melf, б 5 Вт Эlektronnnый - 150 Jantxv1n4987dus/tr Ear99 8541.10.0050 100 1,5 - @ 1 a 2 мка @ 121,6 160 350 ОМ
BZT585B2V7T-7 Diodes Incorporated BZT585B2V7T-7 0,2300
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 BZT585 350 м SOD-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,1 - @ 100mma 20 мка При 1в 2,7 В. 100 ОМ
SMA2EZ6.2D5-TP Micro Commercial Co SMA2EZ6.2D5-TP -
RFQ
 ECAD 9902 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA SMA2EZ6.2 2 Вт DO-214AC (SMA) - Rohs3 353-SMA2EZ6.2D5-TPTR Ear99 8541.10.0050 7500 1,5 - @ 200 Ма 5 мка @ 3 В 6,2 В. 1,5 ОМ
2EZ5.1D2/TR12 Microsemi Corporation 2Ez5.1d2/tr12 -
RFQ
 ECAD 9844 0,00000000 Microsemi Corporation - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° С ~ 150 ° С. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 2EZ5.1 2 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 4000 1,2 - @ 200 Ма 5 мка @ 1 В 5,1 В. 3,5 ОМ
SS115LHMQG Taiwan Semiconductor Corporation SS115LHMQG -
RFQ
 ECAD 4948 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS115 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 900 мВ @ 1 a 50 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
MMSZ5251B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5251B-E3-18 0,0360
RFQ
 ECAD 5996 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123 MMSZ5251 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 100 Na @ 17 V 22 29 ОМ
MMSZ5232C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5232C-G3-08 0,0483
RFQ
 ECAD 1857 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123 MMSZ5232 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 15 000 5 мка @ 3 В 5,6 В. 11 О
BAV99WTQ Yangjie Technology Bav99wtq 0,0220
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 Bav99 Станода SOT-323 СКАХАТА ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BAV99WTQTR Ear99 3000 1 -й 75 150 май
1N5260BUR-1/TR Microchip Technology 1n5260bur-1/tr 3.0200
RFQ
 ECAD 9895 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AA 500 м DO-213AA - Ear99 8541.10.0050 329 1,1 - @ 200 Ма 100 na @ 33 43 В. 93 ОМ
1PMT4132C/TR13 Microchip Technology 1 PMT4132C/TR13 -
RFQ
 ECAD 9566 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА PowerMite® Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер DO-216AA 1pmt4132 1 Вт DO-216 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 12 000 1,1 - @ 200 Ма 10 Na @ 62,32 82 250 ОМ
BZX84W-B2V7-QX Nexperia USA Inc. BZX84W-B2V7-QX 0,0422
RFQ
 ECAD 4461 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, BZX84W-Q Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1,85% 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BZX84W 275 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-BZX84W-B2V7-QXTR Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 20 мка При 1в 2,7 В. 100 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть