SIC
close

Дидж (166326)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
PTV11B-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV11B-M3/85A 0,1153
RFQ
 ECAD 4422 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% 150 ° С Пефер DO-220AA PTV11 600 м DO-220AA (SMP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 - @ 200 Ма 10 мк @ 8 11,7 В. 8 О
DT-2326/TR Microchip Technology DT-2326/tr -
RFQ
 ECAD 1295 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Rohs3 DOSTISH 150-DT-2326/TR Ear99 8541.10.0050 1
V30KM45HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30KM45HM3/H. 0,9900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 8-Powertdfn ШOTKIй Flatpak (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 610 мВ @ 30 a 200 мк @ 45 -40 ° C ~ 165 ° C. 5.2a 4300PF @ 4V, 1 мгновение
1PGSMC5369H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5369h 0,3477
RFQ
 ECAD 4932 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101, 1PGSMC53 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 500 NA @ 38,8 51 27 О
BZX84W-B39-QX Nexperia USA Inc. BZX84W-B39-QX 0,0422
RFQ
 ECAD 6744 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, BZX84W-Q Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2,05% 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BZX84W 275 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-BZX84W-B39-QXTR Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 50 NA @ 27,3 39 130 ОМ
JANTX1N3822D-1/TR Microchip Technology Jantx1n3822d-1/tr 24.4986
RFQ
 ECAD 8027 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/115 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1 Вт DO-41 - Rohs3 DOSTISH 150 Jantx1n3822d-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 200 Ма 75 мка При 1в 3,6 В. 10 ОМ
SB360L-5705E3/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB360L-5705E3/72 -
RFQ
 ECAD 8674 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо - 1 (neograniчennnый) 112-SB360L-5705E3/72TR Ear99 8541.10.0080 1400
HZM3.3NB2TR-E Renesas Electronics America Inc HZM3.3NB2TR-E 0,1800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000
BZT52C43K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C43K RKG 0,0474
RFQ
 ECAD 5058 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 Bzt52c 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 2 мка @ 33 43 В. 150 ОМ
JAN1N753D-1 Microchip Technology Январь 753d-1 6.4950
RFQ
 ECAD 3395 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/127 МАССА Актифен ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n753 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 5 мк. 6,2 В. 7 О
RKZ3.3B2KG#P1 Renesas Electronics America Inc Rkz3.3b2kg#P1 0,1000
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0050 3000
BZX79C9V1-T50A onsemi BZX79C9V1-T50A 0,1700
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 OnSemi - Веса Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79C9 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 100 мая 500 NA @ 6 V 9.1. 15 О
JANS1N6343CUS Microchip Technology Jans1n6343cus 527.5650
RFQ
 ECAD 7847 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/533 МАССА Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SQ-Melf, б 500 м B, SQ-Melf - DOSTISH 150-JANS1N6343CUS Ear99 8541.10.0050 1 1,4 w @ 1 a 50 Na @ 47 V 62 125 ОМ
SRM54ALF_R1_00001 Panjit International Inc. SRM54ALF_R1_00001 0,5800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AA, Plat Plat Heds SMB SRM54 ШOTKIй SMBF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-SRM54ALF_R1_00001CT Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 490 мВ @ 5 a 210 мка 45 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 350pf @ 4V, 1 мгест
BAV103 Diotec Semiconductor BAV103 0,0607
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AA Станода DO-213AA, мини-серрид СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2796-BAV103TR 8541.10.0000 2500 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 200 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 5 мка При 200 -50 ° C ~ 175 ° C. 200 май -
1N4934 onsemi 1N4934 -
RFQ
 ECAD 6662 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4934 Станода DO-41 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,2 - @ 1 a 150 млн 5 мк -4 100 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
JAN1N6658R Microchip Technology Январь 16658r 213.6600
RFQ
 ECAD 7806 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Чereз dыru 254-3, до 254AA (пр. Станода 254 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,2 - @ 20 a 35 м 10 мк. - 15A 150pf @ 10 v, 1 мгха
BZT52C22S-TPS01-HF Micro Commercial Co BZT52C22S-TPS01-HF -
RFQ
 ECAD 7492 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-76, SOD-323 BZT52C22 200 м SOD-323 СКАХАТА 353-BZT52C22S-TPS01-HF Ear99 8541.10.0050 1 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 15,4 22 55 ОМ
1SS400T9TE61 Rohm Semiconductor 1SS400T9TE61 -
RFQ
 ECAD 4375 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо 1SS400 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 846-1SS400T9TE61TR Управо 3000
NRVBM130LT1G onsemi NRVBM130LT1G 0,5300
RFQ
 ECAD 5847 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-216AA NRVBM130 ШOTKIй Powermite СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 520 мВ @ 3 a 50 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
BAS70LP-TP Micro Commercial Co BAS70LP-TP -
RFQ
 ECAD 1774 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOD-882 BAS70 ШOTKIй SOD-882 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 70 1 V @ 15 мая 100 мк -прри 50 125 ° C (MMAKS) 70 май -
BZY93C10R Solid State Inc. BZY93C10R 7,5000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. Bzy93 Коробка Актифен ± 6% 175 ° C (TJ) Стало DO-203AA, DO-4, Став 20 Вт До 4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-bzy93c10r Ear99 8541.10.0080 10 50 мк. 10 0,5 ОМ
SBR0240LPWQ-7B-52 Diodes Incorporated SBR0240LPWQ-7B-52 0,0541
RFQ
 ECAD 4574 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 0402 (1006 МЕТРИКА) Yperrarher X1-DFN1006-2 СКАХАТА 31-SBR0240LPWQ-7B-52 Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 590 мВ @ 200 Ма 3,8 млн 10 мка 40, -65 ° С ~ 150 ° С. 200 май 8pf @ 5V, 1 мгха
BZT55C36 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C36 L1G -
RFQ
 ECAD 5002 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 100 na @ 27 36 80 ОМ
SF32G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SF32G R0G -
RFQ
 ECAD 6045 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF32 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 3 a 35 м 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
CMOZ13V TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMOZ13V TR PBFREE 0,5800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 CMOZ13 300 м SOD-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 8 v 13 30 ОМ
SK25A M2G Taiwan Semiconductor Corporation SK25A M2G -
RFQ
 ECAD 2847 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA SK25 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 2 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
MMBZ5235ELT1G onsemi MMBZ5235ELT1G -
RFQ
 ECAD 5217 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 3 мка @ 5 6,8 В. 5 ОМ
3N256 onsemi 3N256 -
RFQ
 ECAD 4801 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, KBPM 3n25 Станода KBPM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 30 1,1 В @ 3,14 А 5 мка 400 2 а ОДИНАНАНА 400
JANTXV1N4148UBCDP/TR Microchip Technology Jantxv1n4148ubcdp/tr 33 6490
RFQ
 ECAD 5086 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/116 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA Станода UBC - DOSTISH 150 jantxv1n4148ubcdp/tr Ear99 8541.10.0070 100 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 75 1,2 Е @ 100 мая 5 млн 500 NA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C. 200 май 4pf @ 0V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть