SIC
close

Дидж (166326)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Скороп ТОК - МАКС Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - обража тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt) СОПРЕТИВЛЕЕЕЕ @ if, f
BZT52-B30X Nexperia USA Inc. BZT52-B30X 0,0417
RFQ
 ECAD 8741 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) Пефер SOD-123 BZT52 590 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 50 Na @ 21 V 30 40 ОМ
HER107G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER107G B0G -
RFQ
 ECAD 6291 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй HER107 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
ZMD11B Diotec Semiconductor Zmd11b 0,1011
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AA 1 Вт DO-213AA, мини-серрид СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Zmd11btr 8541.10.0000 2500 500 NA @ 7 V 11 6 ОМ
BZM55B3V0-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55B3V0-TR3 0,0433
RFQ
 ECAD 5341 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101, BZM55 Lenta и катахка (tr) Актифен - -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA BZM55B3V0 500 м МИКРЕМЕЛЯ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 - @ 200 Ма 4 мка @ 1 В 3 В 600 ОМ
MB1505W-BP Micro Commercial Co MB1505W-BP 2.0042
RFQ
 ECAD 1673 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Чereз dыru 4 Квадрата, MB-35W MB1505 Станода MB-35W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH MB1505W-BPMS Ear99 8541.10.0080 400 1,2 - @ 7,5 А 10 мк -прри 50 15 а ОДИНАНАНА 50
PB61 Micro Commercial Co PB61 -
RFQ
 ECAD 8410 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4 Квадрата, PB-6 PB61 Станода PB-6 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH PB61MS Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 3 a 10 мк -пки 100 6 а ОДИНАНАНА 100
189NQ135 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 189nq135 -
RFQ
 ECAD 7470 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо ШASCI D-67 Half-Pak 189nq135 ШOTKIй D-67 Half-Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH *189NQ135 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 135 1.07 V @ 180 A 4,5 мая @ 135 180a 4500pf @ 5V, 1 мгновение
VBO54-16NO7 IXYS VBO54-16NO7 17.7672
RFQ
 ECAD 7134 0,00000000 Ixys - Коробка Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Eco-Pac1 VBO54 Станода Eco-Pac1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 25 1,15 - @ 20 a 40 мк @ 1600 54 а ОДИНАНАНА 1,6 кв
FES8JT-5410HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES8JT-5410HE3/45 -
RFQ
 ECAD 8175 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 FES8 Станода ДО-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,5 @ 8 a 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
DL4759A-TP Micro Commercial Co DL4759A-TP -
RFQ
 ECAD 8315 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AB, MELF DL4759 1 Вт Пособие СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,2 - @ 200 Ма 5 мка @ 47,1 62 125 ОМ
SS3030HE_R1_00001 Panjit International Inc. SS3030HE_R1_00001 0,4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123H SS3030 ШOTKIй SOD-123HE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 520 мВ @ 3 a 160 мкр 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
ZMC3B6 Diotec Semiconductor ZMC3B6 0,0688
RFQ
 ECAD 2655 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м Quadro Micromelf СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2796-Zmc3b6tr 8541.10.0000 2500 3,6 В. 85 ОМ
BZX784C30-TP Micro Commercial Co BZX784C30-TP -
RFQ
 ECAD 7761 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо ± 6,67% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-723 BZX784C30 150 м SOD-723 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0050 8000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 21 V 30 80 ОМ
SCS212AGC17 Rohm Semiconductor SCS212AGC17 5.9100
RFQ
 ECAD 189 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Sic (kremniewый karbid) DO-220ACFP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-SCS212AGC17 Ear99 8541.10.0080 1000 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,55 - @ 12 a 0 м 240 мк -пр. 600 175 ° С 12A 438pf @ 1V, 1 мгновение
JANS1N5554 Microchip Technology Jans1n5554 81.1500
RFQ
 ECAD 2182 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/420 МАССА Актифен Чereз dыru Б., Ос Станода Б., Ос - Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1.3 V @ 9 A 2 мкс 1 мка При 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 5A -
DZ23C2V4 Yangjie Technology DZ23C2V4 0,0240
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 300 м SOT-23 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-DZ23C2V4TR Ear99 3000 1 пар 2,4 В. 85 ОМ
GC4210-150A Microchip Technology GC4210-150A -
RFQ
 ECAD 3249 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° С. Умират Чip - DOSTISH 150-GC4210-150ATR 1 10 май 0,06pf pri 10-, 1 мгх Пин -Код - Сионгл 100 1,5 ом @ 20 май, 1 -е гонку
1N5350/TR12 Microchip Technology 1N5350/TR12 -
RFQ
 ECAD 5582 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 20% -65 ° С ~ 150 ° С. Чereз dыru Т-18, Ос 1N5350 5 Вт Т-18 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 1 a 1 мка, 9,4, 13 2,5 ОМ
BZT52C68K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C68K RKG 0,0511
RFQ
 ECAD 9285 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 Bzt52c 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 200 na @ 52 68 В 240 ОМ
MB156W-BP Micro Commercial Co MB156W-BP -
RFQ
 ECAD 2282 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Чereз dыru 4 Квадрата, MB-35W MB156 Станода MB-35W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 400 1,2 - @ 7,5 А 10 мк. 15 а ОДИНАНАНА 600
DB104 Micro Commercial Co DB104 -
RFQ
 ECAD 1938 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-e-edip (0,321 ", 8,15 мм) DB104 Станода DB-1 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH DB104MS Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 1 a 10 мка 400 1 а ОДИНАНАНА 400
SDB207-TP Micro Commercial Co SDB207-TP 0,4200
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло SDB207 Станода SDB-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 1,2 - @ 2 a 10 мк. 2 а ОДИНАНАНА 1 к
MB86 Micro Commercial Co MB86 -
RFQ
 ECAD 3431 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Чereз dыru 4 Квадрата, Br-6 MB86 Станода BR-6 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH MB86MS Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 4 a 10 мк. 8 а ОДИНАНАНА 600
AZ23C18-7-F Diodes Incorporated AZ23C18-7-F 0,3500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C18 300 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 18 50 ОМ
SET100111 Semtech Corporation SET100111 -
RFQ
 ECAD 2378 0,00000000 Semtech Corporation - МАССА Пркрэно ШAsci, Стало Модул Set100 - - СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) - 150 45A 1.1 V @ 54 A 30 млн 60 мк -при 150 -55 ° C ~ 150 ° С.
JAN1N4617UR-1 Microchip Technology Январь 4617UR-1 65550
RFQ
 ECAD 4970 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/435 МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AA (Стекло) 1n4617 500 м DO-213AA СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 1 мка @ 1 В 2,4 В. 1400 ОМ
RA255GP-BP Micro Commercial Co RA255GP-BP -
RFQ
 ECAD 7986 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо Пефер RaStwOr RA255 Станода RaStwOr - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 25 A 3 мкс 5 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 25 а 300PF @ 4V, 1 мгест
CD977B Microchip Technology CD977B 1.5029
RFQ
 ECAD 4736 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер Умират 500 м Умират СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-CD977B Ear99 8541.10.0050 1 1,5 - @ 200 Ма 500 NA @ 36 V 47 В 105 ОМ
SURS8360T3G-VF01 onsemi SURS8360T3G-VF01 -
RFQ
 ECAD 2476 0,00000000 OnSemi * Lenta и катахка (tr) Управо - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 488-SURS8360T3G-VF01TR Ear99 8541.10.0080 3000
PMEG3010EB-QX Nexperia USA Inc. PMEG3010EB-QX 0,1154
RFQ
 ECAD 3835 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-79, SOD-523 PMEG3010 ШOTKIй SOD-523 - Rohs3 DOSTISH 1727-PMEG3010EB-QXTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 680 мВ @ 1 a 500 мк. 150 ° С 1A 24pf @ 1V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть