SIC
close

Дидж (166326)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В приземлении Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Nabahuvый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
SMBG5367BE3/TR13 Microchip Technology SMBG5367BE3/TR13 1.1400
RFQ
 ECAD 2341 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер DO-215AA, кргло SMB Puld SMBG5367 5 Вт SMBG (DO-215AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 1 a 500 NA @ 31 V 43 В. 20 ОМ
D2450N06TXPSA1 Infineon Technologies D2450N06TXPSA1 244.1244
RFQ
 ECAD 9833 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Актифен Зaжimatth Do-200ab, b-puk D2450N06 Станода - СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 9 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 880 MV @ 2000 A 50 май @ 600 -40 ° C ~ 180 ° C. 2450a -
VS-VSKJS409/150 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKJS409/150 87.7100
RFQ
 ECAD 9753 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШASCI Add-a-pak (3) VSKJS409 ШOTKIй Add-a-pak® СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSVSKJS409150 Ear99 8541.10.0080 10 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 200a 1,03 В @ 200 a 6 май @ 150 -55 ° C ~ 175 ° C.
CZRFR52C2V7-HF Comchip Technology CZRFR52C2V7-HF 0,0805
RFQ
 ECAD 9359 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 1005 (2512 МЕТРИКА) CZRFR52 200 м 1005/SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 4000 900 мВ @ 10 мая 75 мка При 1в 2,7 В. 83 О
MTZJ5V1SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ5V1SB R0G 0,0305
RFQ
 ECAD 4032 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj5 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 5 мк -при 1,5 5,07 80 ОМ
JANTX1N968B-1/TR Microchip Technology Jantx1n968b-1/tr 2.3408
RFQ
 ECAD 5484 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/117 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 DOSTISH 150-Jantx1n968b-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 500 NA @ 14 V 20 25 ОМ
SMAJ4732CE3/TR13 Microchip Technology SMAJ4732CE3/TR13 0,6450
RFQ
 ECAD 3467 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер DO-214AC, SMA Smaj473 2 Вт DO-214AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 10 мка @ 1 В 4,7 В. 8 О
JAN1N2834B Microchip Technology Январь 2834b -
RFQ
 ECAD 8237 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru До 204 года. 1n2834 10 st До 204 года. (DO-3) - Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,5 - @ 2 a 10 мк 51,7 68 В 8 О
MMBZ5229ELT3G onsemi MMBZ5229ELT3G -
RFQ
 ECAD 9926 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 900 мВ @ 10 мая 5 мка @ 1 В 4,3 В. 22 ОМ
1N3322RA Solid State Inc. 1n3322ra 8,5000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Стало Do-203ab, do-5, Stud 1N3322 50 st До 5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-1N3322RA Ear99 8541.10.0080 10 1,5 - @ 10 a 5 мка @ 18 25 В 2,7 О
JANTXV1N975BUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n975bur-1/tr 68495
RFQ
 ECAD 3919 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/117 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AA (Стекло) 500 м DO-213AA - Rohs3 DOSTISH 150 Jantxv1n975bur-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 500 NA @ 30 V 39 80 ОМ
BAV70LT3G onsemi BAV70LT3G 0,1400
RFQ
 ECAD 72 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Bav70 Станода SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 100 200 май (DC) 1,25 В @ 150 6 м 2,5 мка прри 70 -55 ° C ~ 150 ° С.
1N1374 Microchip Technology 1n1374 44 3850
RFQ
 ECAD 2608 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен ± 10% - Стало DO-203AA, DO-4, Став 1n137 10 st DO-203AA (DO-4) - DOSTISH 150-1N1374 Ear99 8541.10.0050 1 91 35 ОМ
1N5954CP/TR8 Microsemi Corporation 1N5954CP/TR8 -
RFQ
 ECAD 5943 0,00000000 Microsemi Corporation - Lenta и катахка (tr) Управо ± 2% -65 ° С ~ 150 ° С. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N5954 1,5 DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 121,6 160 700 ОМ
JANTX1N4958US/TR Microchip Technology Jantx1n4958us/tr 9.4297
RFQ
 ECAD 7998 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/356 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер SQ-Melf, e 5 Вт D-5B - Rohs3 DOSTISH 150 jantx1n4958us/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,5 - @ 1 a 25 мк. 10 2 О
MBRB30150CTH-TP Micro Commercial Co MBRB30150CTH-TP 0,9264
RFQ
 ECAD 7802 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRB30150 ШOTKIй D2Pak СКАХАТА 353-MBRB30150CTH-TP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 30A 850 м. @ 15 A 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C.
JANTXV1N4984D Microchip Technology Jantxv1n4984d 23.4600
RFQ
 ECAD 8313 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/356 МАССА Актифен ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru E, osevoй 5 Вт E, osevoй - DOSTISH 150 Jantxv1n4984d Ear99 8541.10.0050 1 1,5 - @ 1 a 2 мка @ 91,2 120 170 ОМ
JANTX1N980CUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n980cur-1/tr 13.9384
RFQ
 ECAD 3030 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/117 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n980 500 м DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 DOSTISH 150 jantx1n980cur-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 500 NA @ 47 V 62 185 ОМ
JANTXV1N6328/TR Microchip Technology Jantxv1n6328/tr 14.8200
RFQ
 ECAD 5131 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/533 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) - DOSTISH 150 Jantxv1n6328/tr Ear99 8541.10.0050 106 1,4 w @ 1 a 50 NA @ 11 V 15 10 ОМ
GBPC2506-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC2506-E4/51 52000
RFQ
 ECAD 7800 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Коробка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC TERMINAL 4 Квадрата, GBPC GBPC2506 Станода GBPC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 100 1,1 В @ 12,5 А 5 мк. 25 а ОДИНАНАНА 600
TZX5V6D-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX5V6D-TR 0,2300
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101, TZX Lenta и катахка (tr) Актифен - -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй TZX5V6 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 - @ 200 Ма 5 мка @ 2 5,6 В. 40 ОМ
MBRS15H45CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS15H45CTH 0,6928
RFQ
 ECAD 4461 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS15 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRS15H45Cthtr Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 15A 800 м. @ 15 A 30 мка 45 -55 ° C ~ 175 ° C.
JANS1N4494US Semtech Corporation Jans1n4494us -
RFQ
 ECAD 8208 0,00000000 Semtech Corporation MIL-PRF-19500/406 МАССА Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C. Пефер SQ-Melf - СКАХАТА 600-Jans1n4494us Ear99 8541.10.0050 1 250 Na @ 128 V 160 1000 ОМ
VS-MURB1520-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-Murb1520-1PBF -
RFQ
 ECAD 5199 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FERED PT® Трубка Пркрэно Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA Murb1520 Станода 262-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,05 В @ 15 A 22 млн 10 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 15A -
120NQ045-1 SMC Diode Solutions 120NQ045-1 25.5842
RFQ
 ECAD 1657 0,00000000 SMC Diode Solutions - МАССА Актифен ШASCI Половина 120nq ШOTKIй Prm1-1 (napolovinumymodooly pak) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 120NQ045-1SMC Ear99 8541.10.0080 27 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 610 мВ @ 120 a 10 май @ 45 -55 ° C ~ 150 ° С. 120a 5200pf @ 5V, 1 мгновение
V8K202DUHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8K202DUHM3/H. 0,3663
RFQ
 ECAD 9416 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 8-Powertdfn ШOTKIй Flatpak 5x6 (Dvoйnoй) СКАХАТА DOSTISH 112-V8K202DUHM3/HTR Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 2 neзaviymый 200 1,8а 920 мВ @ 4 a 10 мк. -40 ° С ~ 150 ° С.
CDLL750A Microchip Technology CDLL750A 2.8650
RFQ
 ECAD 1946 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AB, MELF CDLL750 500 м DO-213AB СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 5 мк -при 1,5 4,7 В. 19 om
JANTXV1N4370CUR-1 Microchip Technology Jantxv1n4370cur-1 32 8050
RFQ
 ECAD 9135 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/435 МАССА Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AA (Стекло) 1N4370 500 м DO-213AA СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 100 мка @ 1 В 2,4 В. 30 ОМ
VS-10ETF12STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10etf12strrpbf -
RFQ
 ECAD 8726 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 10etf12 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Vs10etf12strrpbf Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 1,33 В @ 10 a 310 м 100 мк @ 1200 -40 ° С ~ 150 ° С. 10 часов -
DZ4J390K0R Panasonic Electronic Components DZ4J390K0R -
RFQ
 ECAD 8852 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-SMD, Плоскилили DZ4J39 200 м Smini4-F3-B СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0050 3000 2 neзaviymый 1 V @ 10 мая 50 Na @ 30 V 39 300 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть