SIC
close

Дидж (166326)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
B380C3700A Diotec Semiconductor B380C3700A 1.5341
RFQ
 ECAD 4732 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip Станода 4-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-B380C3700A 8541.10.0000 500 1 V @ 3 a 5 мк -400 2,7 а ОДИНАНАНА 800 В
GS1001FL-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. GS1001FL-AU_R1_000A1 -
RFQ
 ECAD 9129 0,00000000 Panjit International Inc. Automotive, AEC-Q101, GS1000FL-AU Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SOD-123F GS1001 Станода SOD-123fl СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-GS1001FL-AU_R1_000A1DKR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 1 мка рри 100 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A 4pf @ 4V, 1 мгест
CDLL4493/TR Microchip Technology Cdll4493/tr 14.2310
RFQ
 ECAD 6030 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) Пефер DO-213AB, MELF (Стекло) 1,5 DO-213AB (Melf, LL41) - Rohs3 DOSTISH 150-cdll4493/tr Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MMA 250 Na @ 120 V 150 700 ОМ
SSP8H100SH Taiwan Semiconductor Corporation SSP8H100SH 0,6600
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn ШOTKIй TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 920 мВ @ 8 a 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 204pf @ 4V, 1 мгха
JAN1N6340DUS/TR Microchip Technology Jan1n6340dus/tr 49 8300
RFQ
 ECAD 4227 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА MIL-PRF-19500/533 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SQ-Melf, б 500 м B, SQ-Melf - 150-я Ear99 8541.10.0050 100 1,4 w @ 1 a 50 Na @ 36 V 47 В 75 ОМ
MUR860 Yangjie Technology MUR860 0,3960
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Yangjie Technology - Трубка Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-MUR860 Ear99 1000
JAN1N3824AUR-1 Microchip Technology Январь 3824AUR-1 13.8750
RFQ
 ECAD 6628 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/115 МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AB, MELF (Стекло) 1N3824 1 Вт DO-213AB (Melf, LL41) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 200 Ма 5 мка @ 1 В 4,3 В. 9 О
HZK6CLTR-S-E Renesas Electronics America Inc Hzk6cltr-se 0,1100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500
CD5336B Microchip Technology CD5336B 5.0274
RFQ
 ECAD 7959 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Пефер Умират 5 Вт Умират СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-CD5336B Ear99 8541.10.0050 1 1,5 - @ 1 a 10 мка @ 1 В 4,3 В. 2 О
BZV55-C39,115 Nexperia USA Inc. BZV55-C39,115 0,2100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-C39 500 м LLDS; Минимум СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 900 мВ @ 10 мая 50 NA @ 27,3 39 130 ОМ
70HFR120 Solid State Inc. 70hfr120 3.7500
RFQ
 ECAD 5895 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-70HFR120 Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1,3 - @ 70 a 200 мк @ 1200 -65 ° С ~ 150 ° С. 70A -
JANTXV1N991CUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n991cur-1/tr -
RFQ
 ECAD 8495 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА MIL-PRF-19500/117 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AA 400 м DO-213AA - 150 Jantxv1n991cur-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,3 - @ 200 Ма 500 NA @ 137 V 180 2200 ОМ
BZX584B47 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B47 0,0379
RFQ
 ECAD 4022 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX584 150 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX584B47TR Ear99 8541.10.0050 8000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 36 47 В 170 ОМ
MBRF30L45CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF30L45CTH 1.1409
RFQ
 ECAD 5210 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF30 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRF30L45CTH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 30A 740 мВ @ 30 a 400 мкр 45 -55 ° C ~ 150 ° С.
NRVUD620CTG-VF01 onsemi NRVUD620CTG-VF01 0,2373
RFQ
 ECAD 4109 0,00000000 OnSemi SwitchMode ™ Трубка Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NRVUD620 Станода Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 75 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 3A 1 V @ 3 a 35 м 5 мка При 200 -65 ° C ~ 175 ° C.
BZX384C33-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C33-E3-18 0,0324
RFQ
 ECAD 3669 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay BZX384 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-76, SOD-323 BZX384C33 200 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 50 NA @ 23,1 33 В 80 ОМ
M3F Yangjie Technology M3f 0,0160
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-M3FTR Ear99 3000
GBJ10J SURGE GBJ10J 0,8300
RFQ
 ECAD 250 0,00000000 Вес - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, KBJ Станода GBJ (5S) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2616-GBJ10J 3A001 8541.10.0080 1 1 V @ 5 A 5 мк. 10 а ОДИНАНАНА 600
PDA6T6R61620 Powerex Inc. PDA6T6R61620 -
RFQ
 ECAD 3067 0,00000000 Powerex Inc. * МАССА Актифен PDA6T6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 10
BZX84B12-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B12-G3-08 0,2900
RFQ
 ECAD 6265 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay BZX84-G Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B12 300 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 15 000 100 na @ 8 v 12 25 ОМ
CD4704 Microchip Technology CD4704 2.3408
RFQ
 ECAD 2990 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер Умират 500 м Умират СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-CD4704 Ear99 8541.10.0050 1 1,5 - @ 200 Ма 50 NA @ 12,9 17
JAN1N5195UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5195UR-1/Tr 54.1500
RFQ
 ECAD 2344 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен - 150 января 5195UR-1/tr 100
1N4774/TR Microchip Technology 1n4774/tr 130.0500
RFQ
 ECAD 3023 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 0 ° C ~ 75 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-1N4774/tr Ear99 8541.10.0050 1 9.1. 200 ОМ
1N961B Microchip Technology 1n961b 3.4400
RFQ
 ECAD 160 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AA, DO-7, OSEVOй 1n961 500 м ДО-7 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1n961bms Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 10 мк. 10 8,5 ОМ
JAN1N5525C-1 Microchip Technology Jan1n5525c-1 14.1300
RFQ
 ECAD 7484 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/437 МАССА Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1N5525 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 1 мка При 5в 6,2 В. 30 ОМ
JANTXV1N4121C-1/TR Microchip Technology Jantxv1n4121c-1/tr 20.6815
RFQ
 ECAD 7252 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/435 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150 Jantxv1n4121c-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 10 Na @ 25,1 33 В 200 ОМ
MD75S18M2 Yangjie Technology MD75S18M2 23.8413
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Yangjie Technology - МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул Станода М2 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-MD75S18M2 Ear99 8 1,6 В @ 150 А 300 мк @ 1800 75 а Трип 1,8 кв
1N943B/TR Microchip Technology 1n943b/tr 18.4950
RFQ
 ECAD 9864 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AA, DO-7, OSEVOй 500 м ДО-7 - DOSTISH 150-1N943b/tr Ear99 8541.10.0050 100 15 мк @ 8 11,7 В. 30 ОМ
DB206S Yangjie Technology DB206S 0,1230
RFQ
 ECAD 150 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-db206str Ear99 1500
1N4957 Semtech Corporation 1N4957 -
RFQ
 ECAD 3205 0,00000000 Semtech Corporation - МАССА Пркрэно ± 4,95% -55 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru Оос 1N4957 5 Вт Оос СКАХАТА Neprigodnnый 1n4957s Ear99 8541.10.0050 1 25 мк. 9.1. 2 О
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть