SIC
close

Дидж (166326)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Епако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Nabahuvый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
1N5987D Microchip Technology 1n5987d 5.1900
RFQ
 ECAD 2225 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n5987 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 50 мк @ 1 В 3 В 95 ОМ
GS5M Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS5M 0,4500
RFQ
 ECAD 5144 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 5 A 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 33pf @ 4V, 1 мгест
JAN1N4977CUS/TR Microchip Technology Jan1n4977cus/tr 23.7000
RFQ
 ECAD 6164 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА MIL-PRF-19500/356 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SQ-Melf, б 5 Вт Эlektronnnый - 150 января Ear99 8541.10.0050 100 1,5 - @ 1 a 2 мка 47,1 62 42 ОМ
1N5351C-TP Micro Commercial Co 1n5351c-tp -
RFQ
 ECAD 5416 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо ± 5% -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 1n5351 5 Вт ДО-15 - 353-1N5351C-TP Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 1 a 1 мка рри 10,6 14 2,5 ОМ
GBJA801-BP Micro Commercial Co GBJA801-BP 0,4399
RFQ
 ECAD 1274 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, Ja GBJA801 Станода JA СКАХАТА 353-GBJA801-BP Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 4 a 10 мк -пки 100 8 а ОДИНАНАНА 100
BZX55B7V5 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B7V5 0,0301
RFQ
 ECAD 8803 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX55B7V5TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 5 v 7,5 В. 7 О
LL101A-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LL101A-7 -
RFQ
 ECAD 1705 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 LL101 ШOTKIй SOD-80 Минимум - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 2500 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 60 410 мВ @ 1ma 1 млн 200 na @ 50 v 125 ° C (MMAKS) 30 май 2pf @ 0v, 1 мгест
AZ23C30W-TP Micro Commercial Co AZ23C30W-TP 0,0721
RFQ
 ECAD 7339 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен ± 5% - Пефер SC-70, SOT-323 AZ23C30 200 м SOT-323 СКАХАТА 353-AZ23C30W-TP Ear99 8541.10.0050 1 1 пар 100 Na @ 22,5 30 80 ОМ
S6MR GeneSiC Semiconductor S6MR 3.8625
RFQ
 ECAD 4228 0,00000000 Genesnыйpoluprovovodonyk - МАССА Актифен ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став S6M Ставень, обратно До 4 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) S6MRGN Ear99 8541.10.0080 250 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 6 a 10 мк -пки 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 6A -
MMSZ27T1 onsemi MMSZ27T1 -
RFQ
 ECAD 3453 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123 MMSZ27 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 50 NA @ 18,9 27 80 ОМ
2EZ130D/TR12 Microsemi Corporation 2EZ130D/TR12 -
RFQ
 ECAD 8574 0,00000000 Microsemi Corporation - Lenta и катахка (tr) Управо ± 20% -65 ° С ~ 150 ° С. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 2EZ130 2 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 4000 1,2 - @ 200 Ма 500 NA @ 98,8 130 400 ОМ
GBJ606 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBJ606 0,7500
RFQ
 ECAD 7767 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, GBJ Станода GBJ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 750 1 V @ 3 a 5 мк. 6 а ОДИНАНАНА 600
1N5353A/TR12 Microchip Technology 1n5353a/tr12 2.6250
RFQ
 ECAD 8914 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 10% -65 ° С ~ 150 ° С. Чereз dыru Т-18, Ос 1N5353 5 Вт Т-18 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 1 a 1 мка рри 11,5 16 2,5 ОМ
SS13LSH Taiwan Semiconductor Corporation SS13LSH 0,0712
RFQ
 ECAD 4141 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123H SS13 ШOTKIй SOD-123HE СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SS13LSHTR Ear99 8541.10.0080 20 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 мВ @ 1 a 400 мкр 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A 80pf @ 4V, 1 мгха
MBRB1645-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1645-E3/81 1.4300
RFQ
 ECAD 630 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRB1645 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 630 мВ @ 16 a 200 мк @ 45 -65 ° С ~ 150 ° С. 16A -
BZX85C100-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C100-TR -
RFQ
 ECAD 2319 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, BZX85 Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BZX85C100 1,3 DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 500 NA @ 75 V 100 350 ОМ
CDLL4763 Microchip Technology CDLL4763 3.4650
RFQ
 ECAD 9533 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AB, MELF CDLL4763 DO-213AB СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 200 Ма 100 na @ 69,2 91 250 ОМ
BZD17C3V6P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C3V6P-E3-18 0,1377
RFQ
 ECAD 2931 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер DO-219AB BZD17C3V6 800 м DO-219AB (SMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 50 000 1,2 - @ 200 Ма 100 мка @ 1 В 3,6 В.
1N2287 Solid State Inc. 1n2287 2,5000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud Станода До 5 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-1N2287 Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,19 В @ 90 a 10 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 40a -
MMSZ4714-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4714-HE3_A-18 0,0533
RFQ
 ECAD 1609 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 500 м SOD-123 СКАХАТА 112-MMMз4714-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10000 900 мВ @ 10 мая 10 Na @ 25 V 33 В
V3NM153-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V3NM153-M3/H. 0,4900
RFQ
 ECAD 5180 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, TMBS® МАССА Актифен PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 2-VDFN V3NM153 ШOTKIй DFN3820A СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 112-V3NM153-M3/H. 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 970 мВ @ 3 a 35 мка прри 150 -40 ° C ~ 175 ° C. 1,8а 160pf @ 4V, 1 мгха
BAT54J-QX Nexperia USA Inc. BAT54J-QX 0,0558
RFQ
 ECAD 8927 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-90, SOD-323F BAT54 ШOTKIй SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-BAT54J-QXTR Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 800 мВ @ 100 мая 2 мка 4 25 150 ° С 200 май 10pf @ 1V, 1 мгха
CD758 Microchip Technology CD758 1.6950
RFQ
 ECAD 5845 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер Умират 500 м Умират - DOSTISH 150-CD758 Ear99 8541.10.0050 1 1,5 - @ 200 Ма 1 мка @ 8 10 17 О
GIB2401HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division GIB2401HE3_A/I. 1.2800
RFQ
 ECAD 3851 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB GIB2401 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 50 16A 975 MV @ 8 A 35 м 50 мк -прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С.
DZ2W18000L Rohm Semiconductor DZ2W18000L -
RFQ
 ECAD 7208 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо - Rohs3 1 (neograniчennnый) 846-dz2w18000ltr Ear99 8541.10.0050 3000
1N4004-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4004-E3/73 0,0439
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4004 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 1 a 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
HSM880GE3/TR13 Microchip Technology HSM880GE3/TR13 1.5600
RFQ
 ECAD 1392 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-215AB, SMC Gull Wing HSM880 ШOTKIй DO-215AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 80 780mw @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 8. -
TSZU52C15 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C15 0,0669
RFQ
 ECAD 8543 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 0603 (1608 МЕТРИКА) TSZU52 150 м 0603 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-tszu52c15tr Ear99 8541.10.0050 20 000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 11 v 15 30 ОМ
1N5223BUR-1/TR Microchip Technology 1n5223bur-1/tr 3.0200
RFQ
 ECAD 1114 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AA 500 м DO-213AA - Ear99 8541.10.0050 329 1,1 - @ 200 Ма 75 мка При 1в 2,7 В. 30 ОМ
SE12DLGHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se12dlghm3/i 1.4300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 243а Станода SOT-89 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1 V @ 12 A 300 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 3.7a 96pf @ 4V, 1 мгха
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть