SIC
close

Дидж (166326)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
PUUP8J Taiwan Semiconductor Corporation Puup8j 0,7400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn Pogruehenee Станода TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2 V @ 8 A 26 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 58pf @ 4V, 1 мгест
CDLL5270C Microchip Technology CDLL5270C 6.7200
RFQ
 ECAD 8300 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AA 10 м DO-213AA - DOSTISH 150-CDLL5270C Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 100 Na @ 69 V 91 400 ОМ
S5BB-HF Comchip Technology S5BB-HF 0,1091
RFQ
 ECAD 4316 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB S5BB Станода SMB/DO-214AA - Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-S5BB-HFTR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 5 A 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 40pf @ 4V, 1 мгест
NRVHP420MFDT3G onsemi NRVHP420MFDT3G 0,4291
RFQ
 ECAD 5734 0,00000000 OnSemi Automotive, AEC-Q101, SwitchMode ™ Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 8-Powertdfn NRVHP420 Станода 8-dfn (5x6) dvoйnoйflag (so8fl-dual) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 2 neзaviymый 200 2A 1.1 V @ 6 a 30 млн 500 NA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
DZ2J200M0L Panasonic Electronic Components DZ2J200M0L -
RFQ
 ECAD 7314 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 2,5% - Пефер SC-90, SOD-323F DZ2J200 200 м Smini2-F5-B СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 50 Na @ 15 V 20 80 ОМ
S3JHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3JHM3_A/H. 0,1873
RFQ
 ECAD 1462 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC S3J Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 112-S3JHM3_A/HTR Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,15 Е @ 2,5 А. 2,5 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
1N4148UR-1E3/TR Microchip Technology 1N4148UR-1E3/tr 1.5162
RFQ
 ECAD 7943 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AA 1N4148 Станода DO-213AA СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-1N4148UR-1E3/tr Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 75 1,2 Е @ 100 мая 20 млн 500 NA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C. 200 май 4pf @ 0V, 1 мгест
BZT52B43-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B43-G 0,0466
RFQ
 ECAD 2918 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52b 410 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52B43-GTR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 29,4 43 В. 130 ОМ
1PMT5943AE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT5943AE3/TR13 0,7350
RFQ
 ECAD 6010 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 10% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер DO-216AA 1pmt5943 3 Вт DO-216AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 12 000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 42,6 56 86 ОМ
D850N40TXPSA1 Infineon Technologies D850N40TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 3433 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо Зaжimatth Do-200ab, b-puk D850N Станода - СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 4000 1,28 В @ 850 A 50 май @ 4000 -40 ° C ~ 160 ° C. 850A -
PVRM05C Sanken Pvrm05c -
RFQ
 ECAD 1008 0,00000000 САНКЕН - МАССА Актифен PVRM05 - ROHS COMPRINT 1261-PVRM05C 4000
D3Z22BF-7 Diodes Incorporated D3Z22BF-7 0,0354
RFQ
 ECAD 7561 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SC-90, SOD-323F D3Z22 400 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,1 - @ 100mma 50 Na @ 17 V 22.01 V. 25 ОМ
JANTX1N4480C Microchip Technology Jantx1n4480c 22.5300
RFQ
 ECAD 1676 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/406 МАССА Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4480 1,5 DO-41 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MMA 50 Na @ 34,4 43 В. 40 ОМ
JANTXV1N6624US/TR Microchip Technology Jantxv1n6624us/tr 18.2700
RFQ
 ECAD 9116 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/585 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SQ-Melf, A Станода D-5A СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150 jantxv1n6624us/tr Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 900 1,55 - @ 1 a 60 млн 500 NA @ 150 V -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 10V, 1 мгха
1N5348B-AP Micro Commercial Co 1n5348b-ap 0,1458
RFQ
 ECAD 4966 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 1n5348 5 Вт ДО-15 СКАХАТА 353-1N5348B-AP Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 1 a 5 мка @ 8,4 11 2,5 ОМ
CBR1F-D020 Central Semiconductor Corp CBR1F-D020 -
RFQ
 ECAD 1289 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-таракальный, слюй Станода Sluчaй СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 1,3 V @ 1 a 10 мк. 1 а ОДИНАНАНА 200
BAT54V-7-2477 Diodes Incorporated BAT54V-7-2477 -
RFQ
 ECAD 8314 0,00000000 Дидж - МАССА Прохл Пефер SOT-563, SOT-666 ШOTKIй SOT-563 - 31-BAT54V-7-2477 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 2 neзaviymый 30 200 май 1 V @ 100 май 5 млн 2 мка 4 25 -65 ° C ~ 125 ° C.
DDZ9703T-7 Diodes Incorporated DDZ9703T-7 0,4500
RFQ
 ECAD 49 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 DDZ9703 150 м SOD-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 50 NA @ 12,1 16
JANTX1N829-1 Microchip Technology Jantx1n829-1 9.2100
RFQ
 ECAD 5103 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/159 МАССА Актифен ± 5% - Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n829 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 2 мка @ 3 В 6,2 В. 15 О
R7010405XXUA Powerex Inc. R7010405XXUA -
RFQ
 ECAD 5973 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен ШAsci, Стало DO-200AA, A-Puk R7010405 Ставень, обратно DO-200AA, R62 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,2 @ 1500 А 15 мкс 50 май @ 400 -65 ° С ~ 150 ° С. 550A -
MBR12060CTR GeneSiC Semiconductor MBR12060CTR 68.8455
RFQ
 ECAD 4537 0,00000000 Genesnыйpoluprovovodonyk - МАССА Актифен ШASCI Дон MBR12060 ШOTKIй Дон СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 1242-1083 Ear99 8541.10.0080 40 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 120a (DC) 750 мВ @ 60 a 3 мая @ 20 В -55 ° C ~ 150 ° С.
1N5992UR/TR Microchip Technology 1N5992UR/TR 3.7400
RFQ
 ECAD 1764 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) - Ear99 8541.10.0050 264 1,1 - @ 200 Ма 10 мка @ 1 В 4,7 В. 90 ОМ
MBR29AFC_R1_00001 Panjit International Inc. MBR29AFC_R1_00001 0,0690
RFQ
 ECAD 1384 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds MBR29 ШOTKIй SMAF-C СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 288 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 800 мВ @ 2 a 50 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 75pf @ 4v, 1 мгха
BZM55B33-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55B33-TR3 0,0433
RFQ
 ECAD 4330 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101, BZM55 Lenta и катахка (tr) Актифен - -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA BZM55B33 500 м МИКРЕМЕЛЯ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 - @ 200 Ма 100 na @ 24 33 В 220 ОМ
VS-50WQ03FNTRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50WQ03FNTRR-M3 0,3226
RFQ
 ECAD 2858 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 50WQ03 ШOTKIй D-PAK (DO 252AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS50WQ03FNTRRM3 Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 460 мВ @ 5 a 3 мая @ 30 -40 ° С ~ 150 ° С. 5,5а 590pf @ 5V, 1 мгновение
BZX84C5V6 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BZX84C5V6 0,1600
RFQ
 ECAD 1770 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 7,14% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C5 350 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 3000 900 мВ @ 10 мая 1 мка @ 2 5,6 В. 40 ОМ
JANTXV1N5622US/TR Microchip Technology Jantxv1n562222us/tr 16.6650
RFQ
 ECAD 3989 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/427 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SQ-Melf, A Станода D-5A - Rohs3 DOSTISH 150 Jantxv1n562222US/Tr Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.3 V @ 3 a 2 мкс 500 NA @ 1 V -65 ° C ~ 200 ° C. 1A -
JAN1N5541B-1 Microchip Technology Jan1n5541b-1 5.5200
RFQ
 ECAD 2343 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/437 МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1N5541 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 10 NA @ 19,8 22 100 ОМ
BZT52B15BS-TP Micro Commercial Co BZT52B15BS-TP 0,0355
RFQ
 ECAD 6425 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-76, SOD-323 BZT52B15 400 м SOD-323 СКАХАТА 353-BZT52B15BS-TP Ear99 8541.10.0050 1 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 1,5 15 30 ОМ
JANTXV1N825-1/TR Microchip Technology Jantxv1n825-1/tr 6.6300
RFQ
 ECAD 8624 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/159 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% - Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 DOSTISH 150 Jantxv1n825-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 2 мка @ 3 В 6,2 В. 15 О
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть