SIC
close

Дидж (166326)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
JANTXV1N4462CUS Microchip Technology Jantxv1n4462cus 30.8850
RFQ
 ECAD 7199 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/406 МАССА Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SQ-Melf, A 1,5 D-5A - DOSTISH 150 jantxv1n4462cus Ear99 8541.10.0050 1 1,5 - @ 1 a 1 мка 4,5 7,5 В. 2,5 ОМ
NTE6059 NTE Electronics, Inc NTE6059 13.9900
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6059 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 300 1,25 Е @ 20 мая 2 мая @ 300 -65 ° C ~ 190 ° C. 70A -
HZS5B2TD-E Renesas Electronics America Inc HZS5B2TD-E 0,1100
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0050 1
JANTX1N4567AUR-1 Microchip Technology Jantx1n4567aur-1 11.9400
RFQ
 ECAD 9670 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/452 МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AA (Стекло) 1N4567 500 м DO-213AA СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 2 мка @ 3 В 3 В 200 ОМ
DSA75-12B IXYS DSA75-12B -
RFQ
 ECAD 7776 0,00000000 Ixys - Коробка Управо ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud DSA75 Лавина Do-203ab СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1,17 В @ 150 a 6 май @ 1200 -40 ° C ~ 180 ° C. 110a -
JANTXV1N4372D-1 Microchip Technology Jantxv1n4372d-1 31.9500
RFQ
 ECAD 5104 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/435 МАССА Актифен ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1N4372 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 30 мка @ 1 В 3 В 29 ОМ
JAN1N4626C-1/TR Microchip Technology Jan1n4626c-1/tr 8.6317
RFQ
 ECAD 6529 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/435 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 DOSTISH 150 января Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 5 мка @ 4 В 5,6 В. 1400 ОМ
BZX85B33-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B33-TAP 0,3800
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, BZX85 Веса Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BZX85B33 1,3 DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 500 NA @ 24 33 В 35 ОМ
SS1040HEWS_R1_00001 Panjit International Inc. SS1040HEWS_R1_00001 0,4800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-90, SOD-323F SS1040 ШOTKIй SOD-323HE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 580 мВ @ 1 a 100 мка 40, -40 ° С ~ 150 ° С. 1A -
CLL4705 TR Central Semiconductor Corp Cll4705 Tr -
RFQ
 ECAD 6397 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м SOD-80 СКАХАТА 1514-CLL4705TR Ear99 8541.10.0050 1 1,5 Е @ 100 мая 50 NA @ 13,6 18
LLSD101B-13 Diodes Incorporated LLSD101B-13 -
RFQ
 ECAD 4800 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-213AA ШOTKIй Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH LLSD101B-13DI Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 50 950 мВ @ 15 мая 1 млн 200 na @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C. 15 май 2.1pf @ 0V, 1 мгест
1N5821 Taiwan Semiconductor Corporation 1n5821 0,1788
RFQ
 ECAD 7613 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5821 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 м. @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 3A 200pf @ 4V, 1 мгха
MM5Z2V4T1 onsemi MM5Z2V4T1 -
RFQ
 ECAD 9251 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо ± 8% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 MM5Z2 200 м SOD-523 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 50 мк @ 1 В 2,4 В. 100 ОМ
BZG03C11-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C11-M3-08 0,5000
RFQ
 ECAD 2419 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay BZG03C-M Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,45% 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA BZG03C11 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 1,2 Е @ 500 Ма 4 мка 4,2 11 7 О
VS-VS38ESR16M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VS38ESR16M -
RFQ
 ECAD 4178 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Прохл VS38 - 112-VS-VS38ESR16M 1
SR810-AP Micro Commercial Co SR810-AP 0,1755
RFQ
 ECAD 3072 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR810 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА 353-SR810-AP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 8 a 500 мк -пки 100 -55 ° C ~ 125 ° C. 8. 165pf @ 4V, 1 мгха
60CDQ040 Microchip Technology 60CDQ040 84.1950
RFQ
 ECAD 7943 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Чereз dыru TO-204AA, TO-3 ШOTKIй До 204AA (TO-3) - DOSTISH 150-60CDQ040 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 680 мВ @ 30 a 1,2 мая @ 40 -65 ° C ~ 175 ° C. 30A -
JAN1N4107C-1 Microchip Technology Jan1n4107c-1 9.0300
RFQ
 ECAD 3592 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/435 МАССА Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n4107 DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 50 NA @ 9,9 13 200 ОМ
SK26 Diotec Semiconductor SK26 0,0648
RFQ
 ECAD 5283 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2796-SK26TR 8541.10.0000 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 2 a 500 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 2A -
JANTX1N4977US/TR Microchip Technology Jantx1n4977us/tr 11.2200
RFQ
 ECAD 6836 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА MIL-PRF-19500/356 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SQ-Melf, б 5 Вт Эlektronnnый - 150 Jantx1n4977us/tr Ear99 8541.10.0050 100 1,5 - @ 1 a 2 мка 47,1 62 42 ОМ
SMBJ5367B-TP Micro Commercial Co SMBJ5367B-TP 0,4800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер DO-214AA, SMB SMBJ5367 5 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 1 a 500 NA @ 32,7 43 В. 20 ОМ
JANTXV1N4111CUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n4111cur-1/tr 25.6690
RFQ
 ECAD 1627 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/435 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AA (Стекло) 500 м DO-213AA - Rohs3 DOSTISH 150 Jantxv1n4111cur-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 50 Na @ 13 V 17 100 ОМ
1N5526B/TR Microchip Technology 1n5526b/tr 1.7689
RFQ
 ECAD 6224 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-1N5526b/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 1 мка рри 6,2 6,8 В. 30 ОМ
ES1LGH Taiwan Semiconductor Corporation Es1lgh 0,0779
RFQ
 ECAD 9300 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Es1l Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 18pf @ 4V, 1 мгха
FFPF20UP20DPTU onsemi FFPF20UP20DPTU -
RFQ
 ECAD 3779 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо Чereз dыru 220-3- FFPF20 Станода TO-220F-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 10 часов 1,15 Е @ 10 a 45 м 100 мк. -65 ° С ~ 150 ° С.
BYG22DHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byg22dhm3_a/i 0,2251
RFQ
 ECAD 6329 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Byg22 Лавина DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1.1 V @ 2 A 25 млн 1 мка, 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
SMBG5345B/TR13 Microchip Technology SMBG5345B/TR13 2.2500
RFQ
 ECAD 5400 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер DO-215AA, кргло SMB Puld SMBG5345 5 Вт SMBG (DO-215AA) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 1 a 10 мк. 8,7 В. 2 О
MMBZ5230B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5230B-G3-18 -
RFQ
 ECAD 1757 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5230 225 м SOT-23-3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 5 мка @ 2 4,7 В. 19 om
ZPY5V1-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZPY5V1-TAP 0,3700
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Веса Актифен ± 5% 175 ° С Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй ZPY5V1 1,3 DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 500 NA @ 700 MV 5,1 В. 2 О
VS-E4PH3006L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E4PH3006L-N3 1.1872
RFQ
 ECAD 3818 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FERED PT® Трубка Актифен Чereз dыru ДО-247-2 E4PH3006 Станода DO-247AD СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 25 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2 V @ 30 A 55 м 50 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 30A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть