Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Толерантность | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Скорость | Конфигурация диода | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Время обратного восстановления (trr) | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) | Эмкость @ Вр, Ф | Тип диода | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Импеданс (Макс) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1Н5988УР-1/ТР | 3.7400 | ![]() | 9372 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | - | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-213АА | 500 мВт | ДО-213АА | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 264 | 1,1 В при 200 мА | 3,3 В | |||||||||||||||||||
![]() | ББ640 | 1,0000 | ![]() | 8265 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Активный | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | БЗТ52ХК4В7ВФ-7 | 0,2500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Диодс Инкорпорейтед | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±6,38% | -65°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СОД-123Ф | БЗТ52 | 375 мВт | СОД-123Ф | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 900 мВ при 10 мА | 3 мкА при 2 В | 4,7 В | 78 Ом | |||||||||||||
| 1N4756AUR | 3,4650 | ![]() | 1437 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АБ, МЭЛФ | 1N4756 | 1 Вт | ДО-213АБ | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 В @ 200 мА | 5 мкА при 35,8 В | 47 В | 80 Ом | ||||||||||||||
![]() | ФМЭН-230А | - | ![]() | 5112 | 0,00000000 | Санкен | - | Масса | Устаревший | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет | Шоттки | ТО-220Ф | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | ФМЭН-230А ДК | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 100 В | 15А | 850 мВ при 15 А | 300 мкА при 100 В | -40°С ~ 150°С | |||||||||||||
![]() | МБР15200С | 0,7800 | ![]() | 90 | 0,00000000 | Диодные решения SMC | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ТО-277, 3-PowerDFN | МБР15200 | Шоттки | ТО-277Б | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200 В | 920 мВ при 15 А | 1 при мА 200 В | -55°С ~ 200°С | 15А | 400пФ @ 5В, 1МГц | ||||||||||||
![]() | ПЭФ20470ХВ1.1 | 36,5900 | ![]() | 87 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | 5А991С1 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4935G А0Г | - | ![]() | 3789 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и коробка (ТБ) | Активный | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N4935 | Стандартный | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200 В | 1,2 В при 1 А | 200 нс | 5 мкА при 200 В | -55°С ~ 150°С | 1А | 10пФ @ 4В, 1МГц | |||||||||||
| CDLL756A | 2,8650 | ![]() | 3797 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АБ, МЭЛФ | CDLL756 | 500 мВт | ДО-213АБ | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 1 мкА при 6 В | 8,2 В | 8 Ом | ||||||||||||||
![]() | КБП06М-М4/51 | - | ![]() | 4051 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Поднос | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, КБПМ | КБП06 | Стандартный | КБПМ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1,1 В при 3,14 А | 5 мкА при 600 В | 1,5 А | Однофазный | 600 В | |||||||||||||
| JANTX1N5419US/TR | 11.0400 | ![]() | 4424 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500/411 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, Б | Стандартный | Б, SQ-MELF | - | 150-JANTX1N5419US/TR | 100 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 500 В | 1,5 В @ 9 А | 250 нс | 1 мкА при 500 В | -65°С ~ 175°С | 3А | - | |||||||||||||||||
![]() | СС36Б | 0,3800 | ![]() | 6257 | 0,00000000 | Янчжоу Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | Шоттки | ДО-214АА (СМБ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 60 В | 700 мВ при 3 А | 500 мкА при 60 В | -55°С ~ 150°С | 3А | - | ||||||||||||||
| ЦМЗ16(ТЭ12Л,К,М) | 0,5400 | ![]() | 4384 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±10% | -40°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОД-128 | CMZ16 | 2 Вт | М-ПЛОСКАЯ (2,4х3,8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1,2 В @ 200 мА | 10 мкА при 11 В | 16 В | 30 Ом | |||||||||||||||
![]() | ВССАФ5Л45ХМ3_А/И | 0,1320 | ![]() | 3827 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TMBS®, SlimSMA™ | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | DO-221AC, плоские выводы SMA | САФ5Л45 | Шоттки | ДО-221АС (СлимСМА) | скачать | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 14 000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 45 В | 560 мВ при 5 А | 650 мкА при 45 В | -40°С ~ 150°С | 5А | 740пФ @ 4В, 1МГц | ||||||||||||||
| 1N5520/ТР | 1,9950 | ![]() | 8554 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±20% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | - | REACH не касается | 150-1Н5520/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 477 | 1,1 В при 200 мА | 1 мкА при 900 мВ | 3,9 В | |||||||||||||||||
![]() | MBRB2050CTHE3/45 | - | ![]() | 5610 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Трубка | Устаревший | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | МБРБ20 | Шоттки | ТО-263АБ (Д²ПАК) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 50 В | 10А | 800 мВ при 10 А | 150 мкА при 50 В | -65°С ~ 150°С | ||||||||||||
| JANTXV1N5622US/TR | 16,6650 | ![]() | 3989 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/427 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, А | Стандартный | Д-5А | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTXV1N5622US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1000 В | 1,3 В при 3 А | 2 мкс | 500 нА при 1 В | -65°С ~ 200°С | 1А | - | |||||||||||||
![]() | HS2G | 0,1207 | ![]() | 4307 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | HS2G | Стандартный | ДО-214АА (СМБ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 400 В | 1,3 В при 2 А | 50 нс | 5 мкА при 400 В | -55°С ~ 150°С | 2А | 50пФ @ 4В, 1МГц | |||||||||||
![]() | SBL2030PT-E3/45 | 1,2614 | ![]() | 9253 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Активный | Сквозное отверстие | ТО-3П-3, СК-65-3 | СБЛ2030 | Шоттки | ТО-247АД (ТО-3П) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 30 В | 20А | 550 мВ при 10 А | 1 при мА 30 В | -40°С ~ 125°С | ||||||||||||
![]() | 1N4937 | - | ![]() | 1436 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N4937 | Стандартный | ДО-41 | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 600 В | 1,2 В при 1 А | 150 нс | 5 мкА при 600 В | -50°С ~ 150°С | 1А | 12пФ @ 4В, 1МГц | ||||||||||||
![]() | SK320BHR5G | - | ![]() | 3367 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | СК320 | Шоттки | ДО-214АА (СМБ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200 В | 950 мВ при 3 А | 100 мкА при 200 В | -55°С ~ 150°С | 3А | - | ||||||||||||
![]() | PLZ7V5C-G3/H | 0,2800 | ![]() | 8765 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | ПЛЗ | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2,54% | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-219АС | ПЛЗ7В5 | 960 мВт | ДО-219АС (микроСМФ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 4500 | 900 мВ при 10 мА | 500 нА при 4 В | 7,48 В | 8 Ом | |||||||||||||
![]() | СКЛ35 | 0,1322 | ![]() | 8194 | 0,00000000 | Диотек Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СОД-123Ф | Шоттки | СОД-123Ф (СМФ) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | 2796-SKL35TR | 8541.10.0000 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 В | 700 мВ при 3 А | 200 мкА при 50 В | -50°С ~ 150°С | 3А | - | |||||||||||||
![]() | 1Н4003ГПХМ3/54 | - | ![]() | 7326 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N4003 | Стандартный | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 5500 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 200 В | 1,1 В при 1 А | 5 мкА при 200 В | -50°С ~ 150°С | 1А | 15пФ @ 4В, 1МГц | ||||||||||||
![]() | MMXZ5249C-TP | 0,0488 | ![]() | 6232 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Активный | ±2% | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СК-76, СОД-323 | MMXZ5249 | 200 мВт | СОД-323 | скачать | 353-MMXZ5249C-TP | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 мВ при 100 мА | 100 нА при 14 В | 19 В | 23 Ом | |||||||||||||||
![]() | CZRER52C6V8 | 0,0810 | ![]() | 5617 | 0,00000000 | Комчип Технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 125°С | Поверхностный монтаж | 0503 (1308 Метрическая единица) | CZRER52 | 150 мВт | 0503 (1308 Метрическая единица) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 4000 | 900 мВ при 10 мА | 100 нА при 3 В | 6,8 В | 8 Ом | |||||||||||||
![]() | 1N5385CE3/TR8 | - | ![]() | 7833 | 0,00000000 | Корпорация Микросеми | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±2% | -65°С ~ 150°С | Сквозное отверстие | Т-18, Осевой | 1N5385 | 5 Вт | Т-18 | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1000 | 1,2 В при 1 А | 500 нА при 122 В | 170 В | 380 Ом | ||||||||||||||
![]() | M3Z2V2C | 0,0294 | ![]() | 6326 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СК-90, СОД-323Ф | М3З2 | 200 мВт | СОД-323Ф | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 1801-M3Z2V2CTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6000 | 120 мкА при 1 В | 2,2 В | 100 Ом | ||||||||||||||
![]() | SMAJ4744E3/TR13 | 0,6450 | ![]() | 3263 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±10% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | SMAJ4744 | 2 Вт | ДО-214АС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 7500 | 1,2 В @ 200 мА | 5 мкА при 11,4 В | 15 В | 14 Ом | |||||||||||||
| JANTXV1N3017D-1 | 38.0400 | ![]() | 6917 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/115 | Масса | Активный | ±1% | -55°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО041, осевой | 1N3017 | 1 Вт | ДО-41 | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 В @ 200 мА | 100 мкА при 5,7 В | 7,5 В | 4 Ом |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)