SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Конфигурация диода Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Сопротивление @ Если, F
JANS1N4985CUS/TR Microchip Technology JANS1N4985CUS/TR 368.3100
запросить цену
ECAD 4632 0,00000000 Микрочиповая технология МИЛ-ПРФ-19500/356 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж SQ-MELF, E 5 Вт Э-МЕЛФ - 150-JANS1N4985CUS/TR EAR99 8541.10.0050 50 1,5 В при 1 А 2 мкА при 98,8 В 130 В 190 Ом
JANS1N4620-1 Microchip Technology ЯНС1Н4620-1 59.3250
запросить цену
ECAD 8734 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/435 Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) - не соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 3,5 мкА при 1,5 В 3,3 В 1650 Ом
JANTXV1N4121-1/TR Microchip Technology JANTXV1N4121-1/ТР 8.1662
запросить цену
ECAD 1923 год 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/435 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANTXV1N4121-1/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 10 нА при 25,1 В 33 В 200 Ом
TSS42L RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSS42L РРГ -
запросить цену
ECAD 9366 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Устаревший Поверхностный монтаж 1005 (2512 Метрическая единица) ТСС42 Шоттки 1005 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0070 4000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 30 В 650 мВ при 50 мА 5 нс 500 нА при 25 В -55°С ~ 125°С 200 мА 10пФ @ 1В, 1МГц
VS-43CTQ100-1-011P Vishay General Semiconductor - Diodes Division ВС-43CTQ100-1-011П -
запросить цену
ECAD 3842 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Трубка Устаревший 43CTQ100 - Непригодный EAR99 8541.10.0080 900
RDBF36-13 Diodes Incorporated РДБФ36-13 0,2456
запросить цену
ECAD 6483 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-SMD, плоские выводы РДБФ36 Стандартный ДБФ - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Затронуто REACH EAR99 8541.10.0080 3000 1,3 В @ 2,5 А 5 мкА при 600 В 3 А Однофазный 600 В
RA254GP-BP Micro Commercial Co РА254ГП-БП -
запросить цену
ECAD 1550 г. 0,00000000 Микро Коммерческая Компания - Масса Устаревший Поверхностный монтаж РА РА254 Стандартный РА - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 400 В 1,1 В при 25 А 3 мкс 5 мкА при 400 В -50°С ~ 150°С 25А 300пФ @ 4В, 1МГц
SDT2060VCT Diodes Incorporated SDT2060VCT 0,7316
запросить цену
ECAD 1103 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 СДТ2060 Шоттки ТО-220-3 скачать REACH не касается 31-SDT2060VCT EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 60 В 10А 580 мВ при 10 А 200 мкА при 60 В -55°С ~ 150°С
ES2FHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES2FHE3_A/I 0,1947
запросить цену
ECAD 8478 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ДО-214АА, СМБ ES2F Стандартный ДО-214АА (СМБ) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 3200 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 300 В 1,1 В @ 2 А 35 нс 10 мкА при 50 В -55°С ~ 150°С 15пФ @ 4В, 1МГц
1N5948AG Microsemi Corporation 1N5948AG 3.4050
запросить цену
ECAD 9130 0,00000000 Корпорация Микросеми - Масса Активный ±10% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1N5948 1,25 Вт ДО-204АЛ (ДО-41) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,2 В @ 200 мА 1 мкА при 69,2 В 91 В 200 Ом
BYG10M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG10M-E3/TR3 0,3900
запросить цену
ECAD 12 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ДО-214АС, СМА BYG10 лавина ДО-214АС (СМА) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 7500 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 1000 В 1,15 В @ 1,5 А 4 мкс 1 мкА при 1000 В -55°С ~ 150°С 1,5 А -
S6HVM2.5F Semtech Corporation С6ХВМ2.5Ф -
запросить цену
ECAD 5491 0,00000000 Корпорация Семтек - Масса Снято с производства в НИЦ Шасси, Крепление на шпильке Модуль С6ХВМ2.5 Стандартный - - не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 2500 В 3,45 В при 6 А 2,5 мкс 2 мкА при 2500 В -55°С ~ 150°С -
SZNZ8F5V6SMX2WT5G onsemi СЗНЗ8Ф5В6SMX2WT5G 0,4100
запросить цену
ECAD 8 0,00000000 онсеми Автомобильная промышленность, AEC-Q101, NZ8F Лента и катушка (TR) Активный ±2,32% -65°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность 2-XDFN 250 мВт 2-Х2ДФНВ (1х0,6) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 8000 900 мВ при 10 мА 1 мкА при 2,5 В 5,6 В 60 Ом
JANTXV1N6844U3 Microchip Technology JANTXV1N6844U3 172,8750
запросить цену
ECAD 6849 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/578 Масса Активный Поверхностный монтаж 3-СМД, без свинца 1N6844 Стандартный U3 скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0070 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 75 В 1,2 В при 100 мА 20 нс 500 нА при 75 В -65°С ~ 175°С 300 мА 5 пФ @ 0 В, 1 МГц
V12P22HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division В12П22ХМ3/Ч 1,6400
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-277, 3-PowerDFN Шоттки ТО-277А (СМПК) скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 1500 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 200 В 900 мВ при 12 А 300 мкА при 200 В -40°С ~ 175°С 3,2А 720пФ @ 4В, 1МГц
FES16ATR Fairchild Semiconductor ФЕС16АТР 1,0000
запросить цену
ECAD 9743 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Трубка Устаревший Сквозное отверстие ТО-220-2 Стандартный ТО-220-2 скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 50 В 950 мВ при 8 А 35 нс 10 мкА при 50 В -65°С ~ 150°С 16А 170пФ @ 4В, 1МГц
BZX84B11-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B11-HE3_A-18 0,0498
запросить цену
ECAD 3547 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZX84 Лента и катушка (TR) Активный ±2% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 300 мВт СОТ-23-3 скачать 112-BZX84B11-HE3_A-18TR EAR99 8541.10.0050 10 000 100 нА при 8 В 11 В 20 Ом
BZX84W-B8V2X Nexperia USA Inc. BZX84W-B8V2X 0,0389
запросить цену
ECAD 3167 0,00000000 Нексперия США Инк. BZX84W Лента и катушка (TR) Активный ±2% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 BZX84W 275 мВт СОТ-323 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 900 мВ при 10 мА 700 нА при 5 В 8,2 В 15 Ом
UH4PCCHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH4PCCHM3_A/I 0,3816
запросить цену
ECAD 6744 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eSMP® Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-277, 3-PowerDFN UH4 Стандартный ТО-277А (СМПК) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 6500 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 150 В 1,05 В при 2 А 25 нс 5 мкА при 150 В -55°С ~ 175°С 21пФ @ 4В, 1МГц
VS-ETH1506-1HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ВС-ETH1506-1HM3 1,9455
запросить цену
ECAD 4591 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101, FRED Pt® Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA ETH1506 Стандартный ТО-262АА скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается ВСЕТХ15061ХМ3 EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 2,45 В при 15 А 42 нс 15 мкА при 600 В -65°С ~ 175°С 15А -
GC6002-450A Microchip Technology GC6002-450A -
запросить цену
ECAD 5608 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Активный -55°С ~ 150°С Править Чип - REACH не касается 150-GC6002-450А EAR99 8541.10.0060 1 1пФ @ 6В, 1МГц PIN-код – одиночный 14 В -
BZX85B4V7-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B4V7-TAP 0,3800
запросить цену
ECAD 24 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZX85 Разрезанная лента (CT) Активный ±2% -55°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой BZX85B4V7 1,3 Вт ДО-204АЛ (ДО-41) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 5000 3 мкА при 1 В 4,7 В 13 Ом
UZ117 Microchip Technology УЗ117 22.4400
запросить цену
ECAD 3815 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие А, Осевой 3 Вт А, Осевой - REACH не касается 150-УЗ117 EAR99 8541.10.0050 1 1 мкА при 129 В 170 В 750 Ом
1N5920APE3/TR12 Microchip Technology 1N5920APE3/TR12 0,9150
запросить цену
ECAD 1575 г. 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±10% -65°С ~ 150°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1N5920 1,5 Вт ДО-204АЛ (ДО-41) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 4000 1,2 В @ 200 мА 5 мкА при 4 В 6,2 В 2 Ом
JAN1N6312CUS Microchip Technology JAN1N6312CUS 39.1350
запросить цену
ECAD 6732 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/533 Масса Активный ±2% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж SQ-MELF, Б 1N6312 500 мВт Б, SQ-MELF скачать не соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,4 В @ 1 А 5 мкА при 1 В 3,3 В 27 Ом
S2DALH Taiwan Semiconductor Corporation С2ДАЛХ 0,0683
запросить цену
ECAD 1295 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж DO-221AC, плоские выводы SMA Стандартный Тонкая СМА скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 1801-S2ДАЛЬХТР EAR99 8541.10.0080 28 000 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 200 В 1,1 В @ 2 А 1 мкА при 200 В -55°С ~ 150°С 12пФ @ 4В, 1МГц
1PMT5953BE3/TR7 Microchip Technology 1PMT5953BE3/TR7 -
запросить цену
ECAD 1067 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ДО-216АА 1PMT5953 3 Вт ДО-216АА скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 1,2 В @ 200 мА 1 мкА при 114 В 150 В 600 Ом
S2KHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division С2ХЕ3_А/Ч 0,1119
запросить цену
ECAD 1815 г. 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ДО-214АА, СМБ С2К Стандартный ДО-214АА (СМБ) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 750 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 800 В 1,15 В @ 1,5 А 2 мкс 1 мкА при 800 В -55°С ~ 150°С 1,5 А 16пФ @ 4В, 1МГц
B0540WS-TP Micro Commercial Co B0540WS-TP 0,3800
запросить цену
ECAD 8 0,00000000 Микро Коммерческая Компания - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 B0540 Шоттки СОД-323 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0070 3000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 40 В 550 мВ при 500 мА 80 мкА при 40 В -55°С ~ 125°С 500 мА 30пФ @ 4В, 1МГц
1N5242BUR-1 Microchip Technology 1Н5242БУР-1 2,8650
запросить цену
ECAD 8995 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-213АА 1N5242 500 мВт ДО-213АА скачать не соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 1 мкА при 9,1 В 12 В 30 Ом
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе