Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Толерантность | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Скорость | Конфигурация диода | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Время обратного восстановления (trr) | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) | Эмкость @ Вр, Ф | Тип диода | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Импеданс (Макс) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMSZ4681-HE3-08 | 0,0368 | ![]() | 7420 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Последняя покупка | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СОД-123 | ММСЗ4681 | 500 мВт | СОД-123 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 2 мкА при 1 В | 2,4 В | |||||||||||||||
![]() | МБРФ2050 C0G | - | ![]() | 9342 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Трубка | Активный | Сквозное отверстие | ТО-220-2 Полный пакет | МБРФ2050 | Шоттки | ИТО-220АС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 В | 820 мВ при 20 А | 200 мкА при 50 В | -55°С ~ 150°С | 20А | - | ||||||||||||
![]() | ПЗУ20Б2,115 | 0,0300 | ![]() | 32 | 0,00000000 | НХП Полупроводники | - | Масса | Активный | ±2% | -65°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СК-90, СОД-323Ф | 310 мВт | СОД-323Ф | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 2156-ПЗУ20Б2,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 100 мА | 50 нА при 15 В | 20 В | 20 Ом | ||||||||||||||
![]() | СС22ШЕ3_Б/Ч | 0,0759 | ![]() | 9600 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | ВС22 | Шоттки | ДО-214АС (СМА) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1800 г. | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 20 В | 550 мВ при 2 А | 200 мкА при 20 В | -55°С ~ 150°С | 2А | 130пФ @ 4В, 1МГц | ||||||||||||
| CDLL5237B | 2,8650 | ![]() | 5484 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АБ, МЭЛФ | CDLL5237 | 10 мВт | ДО-213АБ | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В @ 200 мА | 3 мкА при 6,5 В | 8,2 В | 8 Ом | ||||||||||||||
![]() | 1N4938TR | - | ![]() | 5750 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 1N4938 | Стандартный | ДО-35 | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0070 | 30 000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200 В | 1 В @ 100 мА | 50 нс | 100 нА при 75 В | 175°С (макс.) | 500 мА | 5 пФ @ 0 В, 1 МГц | ||||||||||||
![]() | SMZJ3796BHM3_A/I | 0,1815 | ![]() | 8707 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | СМЗЖ3796 | 1,5 Вт | ДО-214АА (СМБ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3200 | 5 мкА при 15,2 В | 20 В | 14 Ом | ||||||||||||||
![]() | 1N4961US.TR | - | ![]() | 2854 | 0,00000000 | Корпорация Семтек | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | ±5% | -55°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | SQ-MELF | 5 Вт | - | скачать | Непригодный | EAR99 | 8541.10.0050 | 250 | 10 мкА при 9,9 В | 13 В | 3 Ом | |||||||||||||||||
![]() | 1SMA5936BT3 | - | ![]() | 1658 г. | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±5% | -65°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | 1SMA5936 | 1,5 Вт | СМА | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 5000 | 1,5 В при 200 мА | 500 нА при 22,8 В | 30 В | 26 Ом | |||||||||||||
![]() | MMSZ5263B-E3-18 | 0,0360 | ![]() | 4981 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СОД-123 | ММСЗ5263 | 500 мВт | СОД-123 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 100 нА при 43 В | 56 В | 150 Ом | ||||||||||||||
| 1N5805 | - | ![]() | 9962 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Снято с производства в НИЦ | Сквозное отверстие | А, Осевой | Стандартный | А, Осевой | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 125 В | 875 мВ при 1 А | 25 нс | 1 мкА при 125 В | -65°С ~ 125°С | 1А | 25пФ @ 10В, 1МГц | |||||||||||||
![]() | JANTXV1N4124CUR-1 | 28.8000 | ![]() | 7461 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/435 | Масса | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА (Стекло) | 1N4124 | 500 мВт | ДО-213АА | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В @ 200 мА | 10 нА при 32,7 В | 43 В | 250 Ом | |||||||||||||
![]() | MSQ1PG-M3/H | 1,5600 | ![]() | 51 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | eSMP® | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | МикроСМП | MSQ1 | Стандартный | МикроСМП (ДО-219АД) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 4500 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 400 В | 1,2 В @ 1 А | 650 нс | 1 мкА при 400 В | -55°С ~ 175°С | 1А | 4пФ @ 4В, 1МГц | |||||||||||
![]() | ММБЗ5241БТ-7-Г | - | ![]() | 1090 | 0,00000000 | Диодс Инкорпорейтед | * | Лента и катушка (TR) | Устаревший | - | 1 (без блокировки) | REACH не касается | MMBZ5241BT-7-GDI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | БЗД27К120П-М3-08 | 0,1733 | ![]() | 6016 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | БЗД27-М | Лента и катушка (TR) | Активный | - | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-219АБ | БЗД27С120 | 800 мВт | ДО-219АБ (СМФ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 30 000 | 1,2 В @ 200 мА | 1 мкА при 91 В | 120 В | 250 Ом | |||||||||||||
![]() | JANTXV1N4473US | - | ![]() | 6277 | 0,00000000 | Корпорация Семтек | МИЛ-ПРФ-19500/406 | Масса | Снято с производства в НИЦ | ±5% | -55°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | SQ-MELF | - | скачать | 600-JANTXV1N4473US | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 нА при 17,6 В | 22 В | 14 Ом | ||||||||||||||||||
![]() | BZX884S-B47-QYL | 0,3700 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±1,91% | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОД-882 | 365 мВт | DFN1006BD-2 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 900 мВ при 10 мА | 50 нА при 32,9 В | 47 В | 170 Ом | ||||||||||||||
| JANTX1N5529C-1/ТР | 17.5294 | ![]() | 9587 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/437 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTX1N5529C-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В @ 200 мА | 100 нА при 8,2 В | 9,1 В | 45 Ом | |||||||||||||||
![]() | 1Н4743А,113 | 0,0400 | ![]() | 408 | 0,00000000 | NXP США Инк. | * | Масса | Активный | 1Н47 | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 5000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR60040CTRL | - | ![]() | 2096 | 0,00000000 | GeneSiC Полупроводник | - | Масса | Устаревший | Крепление на шасси | Башня-близнец | Шоттки | Башня-близнец | - | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара общего анода | 40 В | 300А | 600 мВ при 300 А | 5 при мА 40 В | -55°С ~ 150°С | |||||||||||||||
![]() | НРВТС560ЕМФСТ3Г | 0,5600 | ![]() | 9564 | 0,00000000 | онсеми | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | 8-PowerTDFN, 5 выводов | НРВТС560 | Шоттки | 5-ДФН (5х6) (8-СОФЛ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 60 В | 610 мВ при 5 А | 30 мкА при 60 В | -55°С ~ 175°С | 5А | - | ||||||||||||
![]() | БЗГ03Б240-ХМ3-08 | 0,2310 | ![]() | 4959 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZG03B-M | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | БЗГ03Б240 | 1,25 Вт | ДО-214АС (СМА) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 6000 | 1,2 В при 500 мА | 1 мкА при 180 В | 240 В | 850 Ом | |||||||||||||
![]() | GP15DHE3/54 | - | ![]() | 1848 г. | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Сквозное отверстие | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ГП15 | Стандартный | ДО-204АС (ДО-15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 4000 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 200 В | 1,1 В при 1,5 А | 3,5 мкс | 5 мкА при 200 В | -65°С ~ 175°С | 1,5 А | - | |||||||||||
![]() | CPT30045 | - | ![]() | 6215 | 0,00000000 | Корпорация Микросеми | - | Масса | Устаревший | Крепление на шасси | MD3CC | Шоттки | Башня-близнец | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 45 В | 150А | 760 мВ при 200 А | 4 при мА 45 В | |||||||||||||||
![]() | CD5924B | 3,8437 | ![]() | 1492 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-CD5924B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SBLB1640CT-E3/81 | - | ![]() | 4430 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | СБЛБ1640 | Шоттки | ТО-263АБ (Д²ПАК) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 40 В | 8А | 550 мВ при 8 А | 500 мкА при 40 В | -40°С ~ 125°С | ||||||||||||
![]() | 1N5955CG | 6,7950 | ![]() | 9475 | 0,00000000 | Корпорация Микросеми | - | Масса | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N5955 | 1,25 Вт | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 В @ 200 мА | 1 мкА при 136,8 В | 180 В | 900 Ом | |||||||||||||
| ЯН1Н975С-1 | 4.3950 | ![]() | 8726 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/117 | Масса | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 1N975 | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В @ 200 мА | 500 нА при 30 В | 39 В | 80 Ом | ||||||||||||||
| JANTX1N966BUR-1 | 5,6850 | ![]() | 4218 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/117 | Масса | Активный | ±5% | -55°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 1N966 | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В @ 200 мА | 500 нА при 12 В | 16 В | 17 Ом | ||||||||||||||
![]() | GBJ5010-BP | 2,6100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБЖ | GBJ5010 | Стандартный | ГБЖ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | GBJ5010-BPMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 В при 25 А | 10 мкА при 1000 В | 50 А | Однофазный | 1 кВ |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)