Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Толерантность | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Конфигурация | Скорость | Конфигурация диода | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Время обратного восстановления (trr) | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Импеданс (Макс) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | НТЕ585 | 0,9400 | ![]() | 4 | 0,00000000 | НТЭ Электроникс, Инк. | - | Сумка | Активный | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Шоттки | ДО-41 | скачать | Соответствует ROHS3 | 2368-НТЭ585 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 40 В | 600 мВ при 1 А | 1 при мА 40 В | -65°С ~ 125°С | 1А | 110пФ @ 4В, 1МГц | |||||||||||||
![]() | 2М150ЖБ0Г | - | ![]() | 3130 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Масса | Активный | ±5% | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АС, ДО-15, осевой | 2М150 | 2 Вт | ДО-204АС (ДО-15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1000 | 500 нА при 114 В | 150 В | 575 Ом | |||||||||||||
![]() | 1N3294A | 33,5805 | ![]() | 6744 | 0,00000000 | GeneSiC Полупроводник | - | Масса | Активный | Шасси, Крепление на шпильке | ДО-205АА, ДО-8, Шпилька | 1N3294 | Стандартный | ДО-205АА (ДО-8) | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | 1N3294АГН | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 800 В | 1,5 В @ 100 А | 13 при мА 800 В | -40°С ~ 200°С | 100А | - | |||||||||||
![]() | 1N3613 | - | ![]() | 5586 | 0,00000000 | Корпорация Семтек | - | Масса | Снято с производства в НИЦ | Сквозное отверстие | Осевой | Стандартный | Осевой | скачать | Непригодный | 1Н3613С | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 600 В | 1,1 В @ 1 А | 2 мкс | 500 нА при 600 В | -65°С ~ 175°С | 1А | - | ||||||||||||
![]() | 1N4936RL | - | ![]() | 9089 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N4936 | Стандартный | Осевой | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 400 В | 1,2 В @ 1 А | 300 нс | 5 мкА при 400 В | -65°С ~ 150°С | 1А | - | ||||||||||
![]() | FR157GP-AP | - | ![]() | 1102 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Лента и коробка (ТБ) | Активный | Сквозное отверстие | ДО-204АС, ДО-15, осевой | ФР157 | Стандартный | ДО-15 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1000 В | 1,3 В @ 1,5 А | 500 нс | 5 мкА при 1000 В | -55°С ~ 150°С | 1,5 А | 20пФ @ 4В, 1МГц | ||||||||||
![]() | СС150ТК60110 | - | ![]() | 4711 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | - | Трубка | Устаревший | Поверхностный монтаж | 6-SMD, открытая площадка с выводами | СС150 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ДЭ150 | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 3 Общий Катод | 600 В | 10А | 1,8 В @ 5 А | 0 нс | 50 мкА при 600 В | -55°С ~ 175°С | ||||||||||||
![]() | МБРБ745 | - | ![]() | 3762 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | МБРБ7 | Шоттки | ТО-263АБ (Д²ПАК) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 45 В | 840 мВ при 7,5 А | 100 мкА при 45 В | -65°С ~ 150°С | 7,5 А | - | |||||||||||
![]() | 1N6642UBCA/ТР | 14.4300 | ![]() | 9911 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | - | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
| УФ4001-Г | - | ![]() | 4004 | 0,00000000 | Комчип Технология | - | Лента и коробка (ТБ) | Устаревший | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | УФ4001 | Стандартный | ДО-41 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 В | 1 В @ 1 А | 50 нс | 5 мкА при 50 В | -55°С ~ 150°С | 1А | 20пФ @ 4В, 1МГц | |||||||||||
![]() | ДЖАН1Н4117УР-1 | 8.7150 | ![]() | 8836 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/435 | Масса | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА (Стекло) | 1N4117 | ДО-213АА | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В @ 200 мА | 10 нА при 19 В | 25 В | 150 Ом | |||||||||||||
| МБР3100 | - | ![]() | 1643 г. | 0,00000000 | онсеми | - | Масса | Устаревший | Сквозное отверстие | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | МБР3100 | Шоттки | Осевой | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100 В | 790 мВ при 3 А | 600 мкА при 100 В | -65°С ~ 175°С | 3А | - | ||||||||||||
![]() | MA3X717E0L | - | ![]() | 6455 | 0,00000000 | Электронные компоненты Panasonic | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | MA3X717 | Шоттки | Мини3-Г1 | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3000 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 1 пара с общим катодом | 30 В | 30 мА (постоянный ток) | 1 В @ 30 мА | 1 нс | 30 мкА при 30 В | 125°С (макс.) | ||||||||||||
![]() | AZ23C5V6 | 0,0786 | ![]() | 3123 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | AZ23C | 300 мВт | СОТ-23 | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 1801-AZ23C5V6TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1 пара общего анода | 100 нА при 1 В | 5,6 В | 40 Ом | ||||||||||||
| JANTXV1N4622C-1 | 14.7750 | ![]() | 6430 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/435 | Масса | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 1N4622 | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В @ 200 мА | 2,5 мкА при 2 В | 3,9 В | 1650 Ом | |||||||||||||
![]() | JANTXV1N6631 | - | ![]() | 5995 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/590 | Масса | Снято с производства в НИЦ | Сквозное отверстие | Е, Осевой | Стандартный | Э-ПАК | - | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1100 В | 1,6 В при 1,4 А | 60 нс | 4 мкА при 1100 В | -65°С ~ 150°С | 1,4 А | 40пФ @ 10В, 1МГц | |||||||||||
![]() | CDZVT2R3.9B | 0,2700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | - | 150°С | Поверхностный монтаж | 2-СМД, плоский вывод | ЦДЗВТ2 | 100 мВт | ВМН2М | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 8000 | 5 мкА при 1 В | 3,9 В | 100 Ом | |||||||||||||
![]() | SF22GHB0G | - | ![]() | 2055 год | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Масса | Снято с производства в НИЦ | Сквозное отверстие | ДО-204АС, ДО-15, осевой | SF22 | Стандартный | ДО-204АС (ДО-15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100 В | 950 мВ при 2 А | 35 нс | 5 мкА при 100 В | -55°С ~ 150°С | 2А | 40пФ @ 4В, 1МГц | ||||||||||
![]() | ES8DC-HF | 0,2291 | ![]() | 7774 | 0,00000000 | Комчип Технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АБ, СМК | ES8D | Стандартный | ДО-214АБ (СМК) | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 641-ES8DC-HFTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200 В | 980 мВ при 8 А | 35 нс | 10 мкА при 200 В | -55°С ~ 150°С | 8А | 90пФ @ 4В, 1МГц | ||||||||||
![]() | CDBM140L-G | 0,1320 | ![]() | 4984 | 0,00000000 | Комчип Технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СОД-123Т | CDBM140 | Шоттки | Мини СМА/СОД-123 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 2500 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 40 В | 400 мВ при 1 А | 1 при мА 40 В | -55°С ~ 100°С | 1А | - | |||||||||||
| CDLL3043A | 15.3000 | ![]() | 2707 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±10% | -55°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АБ, МЭЛФ | CDLL3043 | 1 Вт | ДО-213АБ | - | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 В @ 200 мА | 500 нА при 69,2 В | 91 В | 250 Ом | |||||||||||||
![]() | Р306070Ф | 49.0050 | ![]() | 2549 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | * | Масса | Активный | - | REACH не касается | 150-Р306070Ф | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | БЗТ52Б7В5-Г3-18 | 0,0483 | ![]() | 8646 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | БЗТ52-Г | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СОД-123 | БЗТ52Б7В5 | 410 мВт | СОД-123 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 100 нА при 5 В | 7,5 В | 4 Ом | |||||||||||||
![]() | ЭДЗТЕ619.1Б | 0,3600 | ![]() | 750 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±2% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СК-79, СОД-523 | ЭДЗТЕ619 | 150 мВт | ЭМД2 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 500 нА при 6 В | 9,1 В | 30 Ом | |||||||||||||
![]() | ВС-МБР2090СТ-1-М3 | 0,8705 | ![]() | 5904 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Активный | Сквозное отверстие | ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA | МБР2090 | Шоттки | ТО-262-3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 90 В | 10А | 800 мВ при 10 А | 100 мкА при 90 В | -55°С ~ 150°С | |||||||||||
![]() | 1N5351AE3/TR13 | 0,9900 | ![]() | 9033 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±10% | -65°С ~ 150°С | Сквозное отверстие | Т-18, Осевой | 1N5351 | 5 Вт | Т-18 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1250 | 1,2 В @ 1 А | 1 мкА при 10,1 В | 14 В | 2,5 Ом | ||||||||||||
![]() | 1Н4933ГП-М3/73 | - | ![]() | 6047 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и коробка (ТБ) | Устаревший | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N4933 | Стандартный | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 В | 1,2 В @ 1 А | 200 нс | 5 мкА при 50 В | -65°С ~ 175°С | 1А | 15пФ @ 4В, 1МГц | ||||||||||
![]() | СБР10У200CTFP | 0,9380 | ![]() | 7215 | 0,00000000 | Диодс Инкорпорейтед | СБР® | Трубка | Активный | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | СБР10 | Супер Барьер | ИТО-220АБ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 200 В | 5А | 820 мВ при 5 А | 30 нс | 200 мкА при 200 В | -65°С ~ 175°С | ||||||||||
![]() | СТТХ20Р04ФП | - | ![]() | 7839 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | - | Трубка | Устаревший | Сквозное отверстие | ТО-220-2 Полный пакет | СТТХ20 | Стандартный | ТО-220ФПАК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 400 В | 1,7 В при 20 А | 45 нс | 20 мкА при 400 В | 175°С (макс.) | 20А | - | ||||||||||
![]() | 1Н749А | - | ![]() | 7682 | 0,00000000 | онсеми | - | Масса | Устаревший | ±5% | -65°С ~ 200°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 1Н749 | 500 мВт | ДО-35 | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1000 | 1,5 В при 200 мА | 2 мкА при 1 В | 4,3 В | 22 Ом |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)