SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Конфигурация диода Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt)
JAN1N4994CUS/TR Microchip Technology JAN1N4994CUS/TR -
запросить цену
ECAD 2419 0,00000000 Микрочиповая технология МИЛ-ПРФ-19500/356 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж SQ-MELF, E 5 Вт Э-МЕЛФ скачать 150-JAN1N4994CUS/TR EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В при 1 А 2 мкА при 251 В 330 В 1175 Ом
SMA2EZ14D5HE3-TP Micro Commercial Co SMA2EZ14D5HE3-TP 0,1404
запросить цену
ECAD 9645 0,00000000 Микро Коммерческая Компания Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-214АС, СМА SMA2EZ14 2 Вт ДО-214АС (СМА) скачать 353-SMA2EZ14D5HE3-TP EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В @ 200 мА 500 нА при 10,6 В 14 В 5,5 Ом
1N4448HWSQ-7-F Diodes Incorporated 1N4448HWSQ-7-F 0,0439
запросить цену
ECAD 7975 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 1N4448 Стандартный СОД-323 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 31-1N4448HWSQ-7-ФТР EAR99 8541.10.0070 3000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 80 В 1,25 В при 150 мА 4 нс 100 нА при 80 В -65°С ~ 150°С 250 мА 3,5 пФ при 0 В, 1 МГц
CMSH3-60M TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp КМШ3-60М ТР13 ПБФРИ 0,5600
запросить цену
ECAD 98 0,00000000 Центральная полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ДО-214АА, СМБ КМШ3 Шоттки СМБ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 3000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 60 В 750 мВ при 3 А 500 мкА при 60 В -65°С ~ 150°С 280пФ @ 4В, 1МГц
SET121212 Semtech Corporation SET121212 -
запросить цену
ECAD 7371 0,00000000 Корпорация Семтек - Масса Снято с производства в НИЦ Припой Модуль НАБОР121 Стандартный - скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 600 В 1,2 В при 9 А 2 мкс 2 мкА при 600 В -55°С ~ 150°С 30А -
1N4680 (DO35) Microsemi Corporation 1Н4680 (ДО35) -
запросить цену
ECAD 3496 0,00000000 Корпорация Микросеми - Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 1N4680 500 мВт ДО-35 скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 4 мкА при 1 В 2,2 В
DZ2703300L Panasonic Electronic Components ДЗ2703300Л -
запросить цену
ECAD 5763 0,00000000 Электронные компоненты Panasonic - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ ±5% - Поверхностный монтаж 2-СМД, плоский вывод ДЗ27033 120 мВт СССМини2-F4-B - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0050 10 000 1 В при 10 мА 20 мкА при 1 В 3,31 В 130 Ом
JANS1N4129D-1 Microchip Technology ЯНС1Н4129Д-1 101.3100
запросить цену
ECAD 2706 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/435 Масса Активный ±1% -65°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) - не соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 10 нА при 47,1 В 62 В 500 Ом
BZX55B7V5 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B7V5 0,0301
запросить цену
ECAD 8803 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный ±2% -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой BZX55 500 мВт ДО-35 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 1801-BZX55B7V5TR EAR99 8541.10.0050 10 000 1 В при 100 мА 100 нА при 5 В 7,5 В 7 Ом
EDZGTE6122B Rohm Semiconductor ЭДЗГТЭ6122Б -
запросить цену
ECAD 6203 0,00000000 Ром Полупроводник ЕМЗ Лента и катушка (TR) Устаревший - -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж ЭДЗГТ 100 мВт скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 846-ЭДЗГТЭ6122БТР EAR99 8541.10.0050 3000
JANTXV1N970BUR-1 Microchip Technology JANTXV1N970BUR-1 7.5600
запросить цену
ECAD 4081 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/117 Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-213АА (Стекло) 1N970 500 мВт ДО-213АА скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 500 нА при 18 В 24 В 33 Ом
1N4588RD Microchip Technology 1N4588RD 102.2400
запросить цену
ECAD 7975 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный Крепление шпильки ДО-205АА, ДО-8, Шпилька Стандартная, обратная полярность ДО-205АА (ДО-8) скачать REACH не касается 150-1Н4588РД EAR99 8541.10.0080 1 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 200 В 1,1 В при 200 А 50 мкА при 200 В -65°С ~ 200°С 150А -
JANTXV1N4119C-1/TR Microchip Technology JANTXV1N4119C-1/TR 20,6815
запросить цену
ECAD 7737 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/435 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANTXV1N4119C-1/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 10 нА при 21,3 В 28 В 200 Ом
NTE53512 NTE Electronics, Inc NTE53512 9.7000
запросить цену
ECAD 6439 0,00000000 НТЭ Электроникс, Инк. - Сумка Активный -40°С ~ 150°С (ТДж) Терминал контроля качества 4-квадратный Стандартный - скачать Соответствует ROHS3 2368-НТЭ53512 EAR99 8541.10.0080 1 1,19 В при 40 А 10 мкА при 1200 В 35 А Трехфазный 1,2 кВ
CDLL3029B/TR Microchip Technology CDLL3029B/ТР 13.7522
запросить цену
ECAD 6418 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-213АБ, МЭЛФ 1 Вт ДО-213АБ скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-CDLL3029B/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,2 В при 200 мА 500 нА при 18,2 В 24 В 25 Ом
BZX84C3V3ET3G onsemi BZX84C3V3ET3G -
запросить цену
ECAD 8183 0,00000000 онсеми - Лента и катушка (TR) Устаревший ±6% -65°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 BZX84C3 225 мВт СОТ-23-3 (ТО-236) скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 10 000 900 мВ при 10 мА 5 мкА при 1 В 3,3 В 95 Ом
SBM540-13-F Diodes Incorporated СБМ540-13-Ф -
запросить цену
ECAD 3533 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Устаревший Поверхностный монтаж Powermite®3 СБМ540 Шоттки Пауэрмит 3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Затронуто REACH EAR99 8541.10.0080 5000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 40 В 520 мВ при 5 А 500 мкА при 40 В -55°С ~ 125°С 250пФ @ 4В, 1МГц
1M150ZH Taiwan Semiconductor Corporation 1М150Ж 0,1188
запросить цену
ECAD 7472 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1М150 1 Вт ДО-204АЛ (ДО-41) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 5000 5 мкА при 114 В 150 В 1000 Ом
MM5Z10VT1G onsemi ММ5З10ВТ1Г 0,2500
запросить цену
ECAD 11 0,00000000 онсеми - Лента и катушка (TR) Активный ±5,5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-79, СОД-523 ММ5Z10 500 мВт СОД-523 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 900 мВ при 10 мА 100 нА при 8 В 10 В 20 Ом
1N3670R Solid State Inc. 1N3670R 1,9500
запросить цену
ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Активный Крепление шпильки ДО-203АА, ДО-4, Шпилька Стандартная, обратная полярность ДО-4 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Поставщик не определен 2383-1Н3670Р EAR99 8541.10.0080 10 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 700 В 1,2 В при 30 А 10 мкА при 700 В -65°С ~ 200°С 22А -
BZX85C12 onsemi BZX85C12 0,2900
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 онсеми - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой BZX85C12 1 Вт ДО-41 скачать Соответствует ROHS3 Непригодный REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 1,2 В при 200 мА 500 нА при 8,4 В 12 В 9 Ом
VFT3060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT3060C-E3/4W 0,6839
запросить цену
ECAD 3411 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов ТМБС® Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка ВФТ3060 Шоттки ИТО-220АБ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается VFT3060C-E3/4WGI EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 60 В 15А 700 мВ при 15 А 1,2 мА при 60 В -55°С ~ 150°С
JAN1N4148UB2 Microchip Technology ЯН1Н4148УБ2 23.0100
запросить цену
ECAD 2202 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/116 Масса Активный Поверхностный монтаж 2-СМД, без свинца 1N4148 Стандартный УБ2 скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0070 1 Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость 75 В 1,2 В @ 100 мА 20 нс 500 нА при 75 В -65°С ~ 200°С 200 мА 4пФ @ 0В, 1МГц
20ETF02S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20ETF02S -
запросить цену
ECAD 2247 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Трубка Устаревший Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 20ETF02 Стандартный ТО-263АБ (Д²ПАК) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 200 В 1,3 В при 20 А 160 нс 100 мкА при 200 В -40°С ~ 150°С 20А -
VS-VSKE270-16PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division ВС-ВСКЭ270-16ПБФ 152,5500
запросить цену
ECAD 6794 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Масса Активный Крепление на шасси 3-МАГН-А-ПАК™ ВСКЭ270 Стандартный МАГН-А-ПАК® скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается ВСВСКЕ27016ПБФ EAR99 8541.10.0080 2 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 1600 В 50 при мА 1600 В -40°С ~ 150°С 270А -
MBR160HW SMC Diode Solutions МБР160ХВ 0,4000
запросить цену
ECAD 33 0,00000000 Диодные решения SMC - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОД-123 МБР160 Шоттки СОД-123 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Затронуто REACH EAR99 8541.10.0080 3000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 60 В 720 мВ при 1 А 300 мкА при 60 В -55°С ~ 125°С 30пФ @ 5В, 1МГц
BZV55B18 L0G Taiwan Semiconductor Corporation БЗВ55Б18 Л0Г 0,0357
запросить цену
ECAD 9266 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 БЗВ55Б 500 мВт Мини МЕЛФ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 10 000 1 В при 100 мА 100 нА при 13 В 18 В 50 Ом
JANS1N4965CUS Microchip Technology JANS1N4965CUS 343,6210
запросить цену
ECAD 2123 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANS1N4965CUS EAR99 8541.10.0050 1
JANTXV1N4990 Microchip Technology JANTXV1N4990 33.8100
запросить цену
ECAD 8063 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/356 Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие Е, Осевой 1N4990 5 Вт Е, Осевой скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В при 1 А 2 мкА при 167 В 220 В 550 Ом
STZ6.8NT146 Rohm Semiconductor СТЗ6.8НТ146 0,4600
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный ±5% - Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 СТЗ6.8 200 мВт СМД3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 1 пара общего анода 500 нА при 3,5 В 6,8 В 40 Ом
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе