Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Толерантность | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Конфигурация | Скорость | Конфигурация диода | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Время обратного восстановления (trr) | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) | Эмкость @ Вр, Ф | Тип диода | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Импеданс (Макс) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JAN1N4994CUS/TR | - | ![]() | 2419 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500/356 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, E | 5 Вт | Э-МЕЛФ | скачать | 150-JAN1N4994CUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 1 А | 2 мкА при 251 В | 330 В | 1175 Ом | |||||||||||||||||
![]() | SMA2EZ14D5HE3-TP | 0,1404 | ![]() | 9645 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Масса | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | SMA2EZ14 | 2 Вт | ДО-214АС (СМА) | скачать | 353-SMA2EZ14D5HE3-TP | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В @ 200 мА | 500 нА при 10,6 В | 14 В | 5,5 Ом | ||||||||||||||||
![]() | 1N4448HWSQ-7-F | 0,0439 | ![]() | 7975 | 0,00000000 | Диодс Инкорпорейтед | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СК-76, СОД-323 | 1N4448 | Стандартный | СОД-323 | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 31-1N4448HWSQ-7-ФТР | EAR99 | 8541.10.0070 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 80 В | 1,25 В при 150 мА | 4 нс | 100 нА при 80 В | -65°С ~ 150°С | 250 мА | 3,5 пФ при 0 В, 1 МГц | ||||||||||||
| КМШ3-60М ТР13 ПБФРИ | 0,5600 | ![]() | 98 | 0,00000000 | Центральная полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | КМШ3 | Шоттки | СМБ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 60 В | 750 мВ при 3 А | 500 мкА при 60 В | -65°С ~ 150°С | 3А | 280пФ @ 4В, 1МГц | ||||||||||||||
![]() | SET121212 | - | ![]() | 7371 | 0,00000000 | Корпорация Семтек | - | Масса | Снято с производства в НИЦ | Припой | Модуль | НАБОР121 | Стандартный | - | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 600 В | 1,2 В при 9 А | 2 мкс | 2 мкА при 600 В | -55°С ~ 150°С | 30А | - | |||||||||||||
![]() | 1Н4680 (ДО35) | - | ![]() | 3496 | 0,00000000 | Корпорация Микросеми | - | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 1N4680 | 500 мВт | ДО-35 | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 4 мкА при 1 В | 2,2 В | |||||||||||||||
![]() | ДЗ2703300Л | - | ![]() | 5763 | 0,00000000 | Электронные компоненты Panasonic | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | ±5% | - | Поверхностный монтаж | 2-СМД, плоский вывод | ДЗ27033 | 120 мВт | СССМини2-F4-B | - | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 В при 10 мА | 20 мкА при 1 В | 3,31 В | 130 Ом | |||||||||||||||
| ЯНС1Н4129Д-1 | 101.3100 | ![]() | 2706 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/435 | Масса | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | - | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 10 нА при 47,1 В | 62 В | 500 Ом | |||||||||||||||||
![]() | BZX55B7V5 | 0,0301 | ![]() | 8803 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | BZX55 | 500 мВт | ДО-35 | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 1801-BZX55B7V5TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 В при 100 мА | 100 нА при 5 В | 7,5 В | 7 Ом | ||||||||||||||
![]() | ЭДЗГТЭ6122Б | - | ![]() | 6203 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | ЕМЗ | Лента и катушка (TR) | Устаревший | - | -55°С ~ 125°С | Поверхностный монтаж | ЭДЗГТ | 100 мВт | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 846-ЭДЗГТЭ6122БТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | ||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N970BUR-1 | 7.5600 | ![]() | 4081 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/117 | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА (Стекло) | 1N970 | 500 мВт | ДО-213АА | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 500 нА при 18 В | 24 В | 33 Ом | ||||||||||||||
![]() | 1N4588RD | 102.2400 | ![]() | 7975 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | Крепление шпильки | ДО-205АА, ДО-8, Шпилька | Стандартная, обратная полярность | ДО-205АА (ДО-8) | скачать | REACH не касается | 150-1Н4588РД | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 200 В | 1,1 В при 200 А | 50 мкА при 200 В | -65°С ~ 200°С | 150А | - | |||||||||||||||
| JANTXV1N4119C-1/TR | 20,6815 | ![]() | 7737 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/435 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTXV1N4119C-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 10 нА при 21,3 В | 28 В | 200 Ом | ||||||||||||||||
![]() | NTE53512 | 9.7000 | ![]() | 6439 | 0,00000000 | НТЭ Электроникс, Инк. | - | Сумка | Активный | -40°С ~ 150°С (ТДж) | Терминал контроля качества | 4-квадратный | Стандартный | - | скачать | Соответствует ROHS3 | 2368-НТЭ53512 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,19 В при 40 А | 10 мкА при 1200 В | 35 А | Трехфазный | 1,2 кВ | ||||||||||||||||
![]() | CDLL3029B/ТР | 13.7522 | ![]() | 6418 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АБ, МЭЛФ | 1 Вт | ДО-213АБ | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-CDLL3029B/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 В при 200 мА | 500 нА при 18,2 В | 24 В | 25 Ом | |||||||||||||||
![]() | BZX84C3V3ET3G | - | ![]() | 8183 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±6% | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | BZX84C3 | 225 мВт | СОТ-23-3 (ТО-236) | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 900 мВ при 10 мА | 5 мкА при 1 В | 3,3 В | 95 Ом | |||||||||||||||
![]() | СБМ540-13-Ф | - | ![]() | 3533 | 0,00000000 | Диодс Инкорпорейтед | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Поверхностный монтаж | Powermite®3 | СБМ540 | Шоттки | Пауэрмит 3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 40 В | 520 мВ при 5 А | 500 мкА при 40 В | -55°С ~ 125°С | 5А | 250пФ @ 4В, 1МГц | |||||||||||||
![]() | 1М150Ж | 0,1188 | ![]() | 7472 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1М150 | 1 Вт | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 5000 | 5 мкА при 114 В | 150 В | 1000 Ом | |||||||||||||||
![]() | ММ5З10ВТ1Г | 0,2500 | ![]() | 11 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5,5% | -65°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СК-79, СОД-523 | ММ5Z10 | 500 мВт | СОД-523 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 900 мВ при 10 мА | 100 нА при 8 В | 10 В | 20 Ом | ||||||||||||||
![]() | 1N3670R | 1,9500 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | Коробка | Активный | Крепление шпильки | ДО-203АА, ДО-4, Шпилька | Стандартная, обратная полярность | ДО-4 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | 2383-1Н3670Р | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 700 В | 1,2 В при 30 А | 10 мкА при 700 В | -65°С ~ 200°С | 22А | - | |||||||||||||
![]() | BZX85C12 | 0,2900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | онсеми | - | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 200°С | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | BZX85C12 | 1 Вт | ДО-41 | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1,2 В при 200 мА | 500 нА при 8,4 В | 12 В | 9 Ом | ||||||||||||||
![]() | VFT3060C-E3/4W | 0,6839 | ![]() | 3411 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | ТМБС® | Трубка | Активный | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ВФТ3060 | Шоттки | ИТО-220АБ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | VFT3060C-E3/4WGI | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 60 В | 15А | 700 мВ при 15 А | 1,2 мА при 60 В | -55°С ~ 150°С | ||||||||||||
![]() | ЯН1Н4148УБ2 | 23.0100 | ![]() | 2202 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/116 | Масса | Активный | Поверхностный монтаж | 2-СМД, без свинца | 1N4148 | Стандартный | УБ2 | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 75 В | 1,2 В @ 100 мА | 20 нс | 500 нА при 75 В | -65°С ~ 200°С | 200 мА | 4пФ @ 0В, 1МГц | ||||||||||||
![]() | 20ETF02S | - | ![]() | 2247 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 20ETF02 | Стандартный | ТО-263АБ (Д²ПАК) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200 В | 1,3 В при 20 А | 160 нс | 100 мкА при 200 В | -40°С ~ 150°С | 20А | - | ||||||||||||
![]() | ВС-ВСКЭ270-16ПБФ | 152,5500 | ![]() | 6794 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Активный | Крепление на шасси | 3-МАГН-А-ПАК™ | ВСКЭ270 | Стандартный | МАГН-А-ПАК® | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | ВСВСКЕ27016ПБФ | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1600 В | 50 при мА 1600 В | -40°С ~ 150°С | 270А | - | |||||||||||||
![]() | МБР160ХВ | 0,4000 | ![]() | 33 | 0,00000000 | Диодные решения SMC | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СОД-123 | МБР160 | Шоттки | СОД-123 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 60 В | 720 мВ при 1 А | 300 мкА при 60 В | -55°С ~ 125°С | 1А | 30пФ @ 5В, 1МГц | |||||||||||||
![]() | БЗВ55Б18 Л0Г | 0,0357 | ![]() | 9266 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | БЗВ55Б | 500 мВт | Мини МЕЛФ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 В при 100 мА | 100 нА при 13 В | 18 В | 50 Ом | ||||||||||||||
![]() | JANS1N4965CUS | 343,6210 | ![]() | 2123 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANS1N4965CUS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N4990 | 33.8100 | ![]() | 8063 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/356 | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | Е, Осевой | 1N4990 | 5 Вт | Е, Осевой | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 1 А | 2 мкА при 167 В | 220 В | 550 Ом | ||||||||||||||
![]() | СТЗ6.8НТ146 | 0,4600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | - | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СТЗ6.8 | 200 мВт | СМД3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1 пара общего анода | 500 нА при 3,5 В | 6,8 В | 40 Ом |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)