SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ТЕКУИГИГ Naprayeseee Naprayжeniee - yзolyahip
FPAM50LH60 onsemi FPAM50LH60 -
RFQ
ECAD 7851 0,00000000 OnSemi PFC SPM® 2 Трубка Управо Чereз dыru Модуль 32-PowerDip (1370 ", 34,80 мм) Igbt FPAM50 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2156-FPAM50LH60-488 Ear99 8542.39.0001 48 2 феврал 50 а 600 2500vrms
STGIPN3H60AT STMicroelectronics Stgipn3h60at 8.2400
RFQ
ECAD 236 0,00000000 Stmicroelectronics SLLIMM ™ Трубка Актифен Чereз dыru Модул 26-PowerDip (0,846 ", 21,48 мм) Igbt Stgipn3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 17 3 феврал 3 а 600 1000 дней
PSS35SA2FT Powerex Inc. PSS35SA2FT -
RFQ
ECAD 6135 0,00000000 Powerex Inc. - Поднос Пркрэно Чereз dыru Модуль 42-PowerDip (1404 ", 35,67 мм) Igbt СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 3 февраля 35 а 1,2 кв 2500vrms
FNA25060 onsemi FNA25060 61.2200
RFQ
ECAD 6513 0,00000000 OnSemi Дюйни Spm® 2 Трубка Актифен Чereз dыru Модуль 34-PowerDip (1480 ", 37,60 мм) Igbt FNA25 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8542.39.0001 24 3 февраля 50 а 600 2500vrms
STGIPL30C60-H STMicroelectronics STGIPL30C60-H -
RFQ
ECAD 1166 0,00000000 Stmicroelectronics SLLIMM ™ Трубка Управо Чereз dыru Модуль 38-PowerDip (1,146 ", 29,10 мм) Igbt Stgipl30 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 3 февраля 30 а 600 2500vrms
STIPN2M50T-HL STMicroelectronics Stipn2m50t-hl 9.0700
RFQ
ECAD 522 0,00000000 Stmicroelectronics SLLIMM ™ Трубка Актифен Чereз dыru 26-powerdip momodooly (0,573 ", 14,50 мм) МОСС Stipn2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 17 3 феврал 2 а 500 1000 дней
IKCM10B60GAXKMA1 Infineon Technologies IKCM10B60GAXKMA1 -
RFQ
ECAD 4095 0,00000000 Infineon Technologies Cipos ™ Трубка Управо Чereз dыru Модул 24-PowerDip (1028 ", 26,10 мм) Igbt СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001247196 Ear99 8542.39.0001 280 3 февраля 10 а 600 2000vrms
IRAM538-0865A Infineon Technologies IRAM538-0865A -
RFQ
ECAD 2889 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо - Igbt СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001533500 Ear99 8542.39.0001 130 3 февраля 8 а 600 -
FPAM50LH60 Fairchild Semiconductor FPAM50LH60 31.8600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor PFC SPM® 2 МАССА Актифен Чereз dыru Модуль 32-PowerDip (1370 ", 34,80 мм) Igbt СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 2 феврал 50 а 600 2500vrms
FSB70450 Fairchild Semiconductor FSB70450 -
RFQ
ECAD 7759 0,00000000 Fairchild Semiconductor Дюйни Spm® 7 МАССА Актифен Пефер 27-powerlqfn momodi МОСС СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 3 февраля 4,8 а 500 1500vrms
FNA22512A Fairchild Semiconductor FNA22512A 1.0000
RFQ
ECAD 9038 0,00000000 Fairchild Semiconductor Дюйни Spm® 2 МАССА Актифен Чereз dыru Модуль 34-PowerDip (1480 ", 37,60 мм) Igbt СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 3 февраля 25 а 1,2 кв 2500vrms
IM535U6DXKMA1 Infineon Technologies IM535U6DXKMA1 22.8400
RFQ
ECAD 280 0,00000000 Infineon Technologies Cipos ™ Трубка Актифен Чereз dыru Igbt IM535U6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 14 3 февраля 30 а 600 2000vrms
FNB81560T3 Fairchild Semiconductor FNB81560T3 11.8900
RFQ
ECAD 720 0,00000000 Fairchild Semiconductor Дюйни Spm® 8 МАССА Актифен Чereз dыru Модуль 25-PowerDip (0,815 ", 20,70 мм) Igbt СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 3 феврал 15 а 600 1500vrms
FSB50760SF Fairchild Semiconductor FSB50760SF 7.0100
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru Модул 23-PowerDip (0,573 ", 14,56 мм) МОСС FSB50760 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 3 февраля 3,6 а 600 1500vrms
FSB50250A Fairchild Semiconductor FSB50250A 4.0600
RFQ
ECAD 123 0,00000000 Fairchild Semiconductor Дюйни Spm® 5 МАССА Актифен Чereз dыru Модул 23-PowerDip (0,573 ", 14,56 мм) Igbt СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 3 февраля 1,2 а 500 1500vrms
FSB50825AS Fairchild Semiconductor FSB50825AS -
RFQ
ECAD 1891 0,00000000 Fairchild Semiconductor Дюйни Spm® 5 МАССА Актифен Пефер Модуль 23-powersmd, krыlogly МОСС - 0000.00.0000 1 3 февраля 3,6 а 250 1500vrms
IRAM236-1067A International Rectifier Iram236-1067a -
RFQ
ECAD 8710 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - МАССА Управо Чereз dыru Модуль 29-майкки, 21лидир, С. Формировананна - СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 - -
FSB50250AT Fairchild Semiconductor FSB50250AT 3.9800
RFQ
ECAD 14 0,00000000 Fairchild Semiconductor Дюйни Spm® 5 МАССА Актифен Чereз dыru Модуль 23-PowerDip (0,551 ", 14,00 мм) МОСС СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 76 3 февраля 1,2 а 500 1500vrms
FSB50450A Fairchild Semiconductor FSB50450A 4.7300
RFQ
ECAD 175 0,00000000 Fairchild Semiconductor Дюйни Spm® 5 МАССА Актифен Чereз dыru Модул 23-PowerDip (0,573 ", 14,56 мм) МОСС СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 64 3 февраля 1,5 а 500 1500vrms
FSB50660SFT Fairchild Semiconductor FSB50660ST 5,6000
RFQ
ECAD 180 0,00000000 Fairchild Semiconductor D МАССА Актифен Чereз dыru Модул 23-PowerDip (0,748 ", 19,00 мм) МОСС СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 3 февраля 3.1 а 600 1500vrms
FSB50825A Fairchild Semiconductor FSB50825A 5.0100
RFQ
ECAD 922 0,00000000 Fairchild Semiconductor Дюйни Spm® 5 МАССА Актифен Чereз dыru Модуль 23-PowerDip (0,551 ", 14,00 мм) МОСС СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 3 февраля 3,6 а 250 1500vrms
FSBB20CH60CTSL onsemi FSBB20CH60CTSL -
RFQ
ECAD 1334 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 488-FSBB20CH60CTSL Ear99 8542.39.0001 1
FF450R08A03P2XKSA1 Infineon Technologies FF450R08A03P2XKSA1 233.0600
RFQ
ECAD 202 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Актифен ШASCI Модул Igbt FF450R08 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 12 Поломвинамос 450 А. 750 2500vrms
BM63574S-VA Rohm Semiconductor BM63574S-VA 24.6300
RFQ
ECAD 26 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru Модул 25-PowerDip (1,134 ", 28,80 мм) Igbt BM63574 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-BM63574S-VA Ear99 8542.39.0001 60 3 феврал 15 а 600 1500vrms
BM63374S-VA Rohm Semiconductor BM63374S-VA 24.6300
RFQ
ECAD 7 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru Модул 25-PowerDip (1,134 ", 28,80 мм) Igbt BM63374 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-BM63374S-VA Ear99 8542.39.0001 60 3 феврал 15 а 600 1500vrms
BM63577S-VC Rohm Semiconductor BM63577S-VC 30.6800
RFQ
ECAD 12 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru Модуль 25-PowerDip (1327 ", 33,70 мм) Igbt BM63577 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-BM63577S VC Ear99 8542.39.0001 60 3 феврал 30 а 600 1500vrms
AOZ5508QI Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOZ5508QI 1.9700
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 22-powervfqfn modooly МОСС AOZ5508 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 5000 1 феврал 35 а -
FF55MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies FF55MR12W1M1HB11BPSA1 138.1300
RFQ
ECAD 6513 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Актифен FF55MR12 - Rohs3 448-FF55MR12W1M1HB11BPSA1 Ear99 8542.39.0001 24
MSCSM120XM31CTYZBNMG Microchip Technology MSCSM120XM31CTYZBNMG -
RFQ
ECAD 5342 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен ШASCI Модул МОСС - 150-MSCSM120XM31CTYZBNMG Ear99 8542.39.0001 1 3 февраля 80 а 1,2 кв 4000 дней
LMG3526R030RQSR Texas Instruments LMG3526R030RQSR 27.6800
RFQ
ECAD 9577 0,00000000 Тел - Lenta и катахка (tr) Актифен PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 52-VQFN OTKRыTAIN ANPLOZHADCA МОСС - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 Полевина мостеово 55 а 650 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе