SIC
close

ТИРИСТРА (12437)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Стрктура ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ТОК - ПИКОВОВ Current - Hold (IH) (MMAKS) ТИП ТРИАКА На Current - On State (it (rms)) (MMaks) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Napraheneeee - na -costoanaonik Current - On State (It (av)) (MMAKS) ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) ТИП СКР Naprayжeniee - prorыВ Колиство, диди Ток - ПрёрыВ
VS-ST180C12C1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST180C12C1 71.4783
RFQ
 ECAD 1233 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. ШASCI TO-200AB, A-PUK ST180 TO-200AB, A-PUK СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSST180C12C1 Ear99 8541.30.0080 12 600 май 1,2 кв 660 а 3 В 4200, 4400A 150 май 1,96 350 А. 30 май Станодано
F1857CAH1400 Sensata-Crydom F1857CAH1400 -
RFQ
 ECAD 3971 0,00000000 Sensata-Crydom F18 МАССА Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI Модул ОБИГИЯ АНОД - SCR/DIODE СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.30.0080 5 1,4 кв 3 В 1500A @ 60 gц 150 май 1 SCR, 1 DIOD
K1500GURP Littelfuse Inc. K1500gurp 1.1500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Littelfuse Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) DO-204AC, DO-15, OSEVOй ДО-15 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.30.0080 5000 1 а 80 май 142 ~ 157V 10 мк
BT137X-600F/L02Q WeEn Semiconductors BT137X-600F/L02Q 0,2875
RFQ
 ECAD 8708 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - Трубка Актифен 125 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка BT137 DO-220F СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 934068458127 Ear99 8541.30.0080 600 Одинокий 20 май Станода 600 8 а 1 V. 65a, 71a 70 май
K1500E70RP2 Littelfuse Inc. K1500E70RP2 0,5315
RFQ
 ECAD 8395 0,00000000 Littelfuse Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) (CFORMIROVANNES Создание 92 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH -K1500E70RP2 Ear99 8541.30.0080 2000 1 а 150 май 140 ~ 170 a. 10 мк
NXL0840,412 WeEn Semiconductors NXL0840,412 -
RFQ
 ECAD 6434 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - МАССА Управо -40 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) NXL0840 ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934061332412 Ear99 8541.30.0080 5000 5 май 400 800 млн 800 м 8а, 9А 200 мк 1,7 500 май 100 мк Чywytelnhe
C436PD Powerex Inc. C436PD -
RFQ
 ECAD 7742 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен - - - C436 - - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.30.0080 1 - Станодано
SK015L Littelfuse Inc. SK015L -
RFQ
 ECAD 4879 0,00000000 Littelfuse Inc. - МАССА Пркрэно -40 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru До-220-3 Иолированая До-220 Иолированая СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) -SK015L Ear99 8541.30.0080 500 40 май 1 к 15 а 1,5 В. 188a, 225a 30 май 1,6 В. 9,5 а 20 мк Станодано
ACT102H-600D,118 WeEn Semiconductors ACT102H-600D, 118 0,4700
RFQ
 ECAD 3368 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - Lenta и катахка (tr) Актифен 125 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Акт102 8 ТАКОГО СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.30.0080 2500 Одинокий 20 май ЛОГИКА 600 200 май 900 м 8a, 8.8a 5 май
VS-P404 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-P404 40.2540
RFQ
 ECAD 2557 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI 8-ч P404 MOST, ODNOFAHAHNANARY - SCRS/DIODES (MACAT 1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSP404 Ear99 8541.30.0080 10 130 май 1 к 40 А. 2 V. 385A, 400A 60 май 2 SCR, 2 DIODA
SST130U-600D SMC Diode Solutions SST130U-600D 0,4800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 SMC Diode Solutions - МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) SST130 Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.30.0080 2000 Одинокий 7 май Станода 600 800 млн 1,3 В. 400а @ 50 г -э 10 май
C392B Powerex Inc. C392B -
RFQ
 ECAD 7997 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен - - - C392 - - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.30.0080 1 - Станодано
VS-81RIA80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-81RIA80 41.0432
RFQ
 ECAD 5586 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. ШAsci, Стало TO-209AC, TO-94-4, STAD 81RIA80 № 209 годы (до 94) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS81RIA80 Ear99 8541.30.0080 25 200 май 800 В 125 а 2,5 В. 1600, 1675. 120 май 1,6 В. 80 а 15 май Станодано
Q8008NH4TP Littelfuse Inc. Q8008NH4TP 1.6405
RFQ
 ECAD 7949 0,00000000 Littelfuse Inc. - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Q8008 263 (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -Q8008nh4tp Ear99 8541.30.0080 1000 Одинокий 35 май Alericistor - Snubberless 800 В 8 а 1,3 В. 83a, 100a 35 май
T430N14TOFXPSA1 Infineon Technologies T430N14TOFXPSA1 142.8878
RFQ
 ECAD 4703 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. ШASCI DO 200AA T430N14 Одинокий СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.30.0080 18 300 май 1,8 кв 700 а 2 V. 5200a @ 50 gц 200 май 433 а 1 Scr
SKN26/04 Solid State Inc. SKN26/04 3.0000
RFQ
 ECAD 4806 0,00000000 Solid State Inc. * МАССА Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-SKN26/04 Ear99 8541.10.0080 10
HT32A Littelfuse Inc. Ht32a -
RFQ
 ECAD 2724 0,00000000 Littelfuse Inc. - МАССА Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) DO-204AH, DO-35, OSEVOй Ht32 DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.30.0080 5000 2 а 28 ~ 36 В. 15 Мка
T435-600B STMicroelectronics T435-600B 1.1700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics Snubberless ™ Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 T435 Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.30.0080 75 Одинокий 35 май Alericistor - Snubberless 600 4 а 1,3 В. 30А, 31А 35 май
QK010N5TP Littelfuse Inc. QK010N5TP 2.0120
RFQ
 ECAD 1528 0,00000000 Littelfuse Inc. - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB QK010 263 (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -Qk010n5tp Ear99 8541.30.0080 1000 Одинокий 50 май Станода 1 к 10 а 1,3 В. 100a, 120a 50 май
MCC312-16IO1 IXYS MCC312-16IO1 182.9400
RFQ
 ECAD 142 0,00000000 Ixys - МАССА Актифен -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) ШASCI Y1-cu MCC312 Серпен СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.30.0080 3 150 май 1,6 кв 520 А. 2 V. 9200, 10100A 150 май 320 А. 2 Scrs
TT92N08KOFKHPSA1 Infineon Technologies TT92N08KOFHPHPSA1 -
RFQ
 ECAD 5430 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо -40 ° C ~ 130 ° C. ШASCI Модул TT92N Обших Кан СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.30.0080 15 200 май 800 В 160 а 1,4 В. 2050a @ 50 gц 120 май 104 а 2 Scrs
C387P Powerex Inc. C387P -
RFQ
 ECAD 2140 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен - - - C387 - - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.30.0080 1 - Станодано
CQ220I-8D Central Semiconductor Corp CQ220i-8d -
RFQ
 ECAD 5363 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.30.0080 1 Одинокий 25 май Внутрунне 400 8 а 1,5 В. - 50 май
BTA212-800B,127 WeEn Semiconductors BTA212-800B, 127 0,5726
RFQ
 ECAD 6412 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - Трубка Актифен 125 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BTA212 ДО-220AB СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.30.0080 1000 Одинокий 60 май Станода 800 В 12 а 1,5 В. 95a, 105a 50 май
MDMA60B800MB IXYS MDMA60B800MB 20.0680
RFQ
 ECAD 3926 0,00000000 Ixys - Коробка Актифен - - - MDMA60 - - Rohs3 DOSTISH 238-MDMA60B800MB Ear99 8541.30.0080 10 - -
VS-ST300S18M0PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST300S18M0PBF 246.6367
RFQ
 ECAD 8617 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. ШAsci, Стало TO-209ae, до 118-4, Stud ST300 TO-209ae (DO 118) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSST300S18M0PBF Ear99 8541.30.0080 6 600 май 1,8 кв 470 а 3 В 6730a, 7040a 200 май 1,66 300 а 30 май Станодано
VSKTF180-08HK Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKTF180-08HK -
RFQ
 ECAD 8823 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI 3-MAGN-A-PAK ™ Vsktf180 Серпен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.30.0080 2 600 май 800 В 400 а 3 В 7130A, 7470A 200 май 180 А. 2 Scrs
T507144034AQ Powerex Inc. T507144034AQ 117.0150
RFQ
 ECAD 4603 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Стало TO-209AC, TO-94-4, STAD T507144034 Создание 94 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.30.0080 1 1,4 кв 63 а 3 В 1000a @ 60 gц 150 май 4,2 В. 40 А. 15 май Станодано
VS-ST1230C12K0L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST1230C12K0L 387.7500
RFQ
 ECAD 1976 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. ШASCI TO-200AC, K-PUK, A-24 ST1230 A-24 (K-PUK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSST1230C12K0L Ear99 8541.30.0080 2 600 май 1,2 кв 3200 А. 3 В 28200A, 29500A 200 май 1,62 В. 1745 А. 100 май Станодано
C388M Powerex Inc. C388M -
RFQ
 ECAD 1077 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен - - - C388 - - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.30.0080 1 - Станодано
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть