RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

БИПОЛАНСА

Nomerprodookta	ЦEnы (Dollar)	Колист	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Rraboч -yemperatura	МООНТАНГИП	PakeT / KORPUES	Baзowый nomer prodikta	Синла - МАКС	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Техниль	Статус Ройс	Верный	Доусейн Статуса	Дрогин ИНЕНА	Eccn	Htsus	Станодадж	Прирост	Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	Current - Collector (IC) (MMAKS)	Это	DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce	ASTOTA - PRERESHOD	ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
MAPR-001011-850S00	619.6350	RFQ	7176	Macom Technology Solutions	-	МАССА	Актифен	200 ° C.	ШASCI	2L-Flg	MAPR-001011	11,6 кстр	2L-Flg	-				1465-MAPR-001011-850S00			1	7,8 ДБ	80	250a	Npn	-	1,15 -е	-
MRF8372	-	RFQ	9377	Microsemi Corporation	-	МАССА	Управо	-	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)		2,2	8 ТАКОГО	СКАХАТА		1 (neograniчennnый)			Ear99	8541.29.0075	2500	8 дБ ~ 9,5 ДБ	16	200 май	Npn	30 @ 50ma, 5	870 мг	-
BFU550A235	-	RFQ	6904	NXP USA Inc.	*	МАССА	Актифен							СКАХАТА	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	Продан		Ear99	8541.21.0075	10000
BFP520FE6327	0,1600	RFQ	15	Infineon Technologies	-	МАССА	Актифен	150 ° C (TJ)	Пефер	4-SMD, Плоскилили		100 м	4-tsfp	СКАХАТА	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	Продан		Ear99	8541.21.0075	3000	22,5db	3,5 В.	40 май	Npn	70 @ 20 май, 2 В	45 Гер	0,95 дебри 1,8 гг
BLF10M6200112-AMP	87.8100	RFQ	537	Ampleon USA Inc.	*	МАССА	Актифен							-	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	Продан		Ear99	8541.29.0075	1
DSC9G02C0L	-	RFQ	4285	Panasonic glektronnene -Componentы	-	Lenta и катахка (tr)	Пркрэно	150 ° C (TJ)	Пефер	SC-89, SOT-490	DSC9G02	125 м	SSMINI3-F3-B	СКАХАТА	ROHS COMPRINT	1 (neograniчennnый)			Ear99	8541.21.0075	3000	24 дБ	20	15 май	Npn	65 @ 1MA, 6V	650 мг	3,3db pri 100 мгги
BGR420H6327	0,1700	RFQ	222	Infineon Technologies	-	МАССА	Актифен	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	SC-82A, SOT-343		120 м	PG-SOT343-4-1	СКАХАТА	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	Продан		Ear99	8541.21.0075	3000	26 ДБ	13	25 май	Npn	-	-	1,5 дБ ~ 1,7 дбри При 400 мг ~ 1,8 гг.
PH2729-110M	608.1000	RFQ	4024	Macom Technology Solutions	-	МАССА	Актифен	200 ° C (TJ)	ШASCI	2L-Flg	PH2729	330 Вт	2L-Flg	-				1465-PH2729-110M			1	6,8 ДБ	63 В	8.	Npn	-	2,7 Гер	-
MRF581G	-	RFQ	1701	Microsemi Corporation	-	МАССА	Управо	150 ° C (TJ)	Пефер	Micro-X Ceramic (84c)	MRF581	1,25 Вт	Micro-X Ceramic (84c)	СКАХАТА		1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0075	500	13 дБ ~ 15,5 ДБ	18В	200 май	Npn	50 @ 50 мА, 5 В	5 гер	3 дБ ~ 3,5 дБ пр. 500 мг.
2SC5338-T1-AZ	-	RFQ	6100	СМЕРЕЛЕР	-	Lenta и катахка (tr)	Управо	150 ° C (TJ)	Пефер	243а		1,8	SOT-89	-		1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0075	1000	10 дБ	12	150 май	Npn	50 @ 50 мА, 5 В	6 Гер	3,5 дБ @ 1gц
2n3866a olovo/svineц	-	RFQ	9675	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Управо	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	205 годов, 39-3 Металлабанка		5 Вт	Не 39	-				1514-2N3866TIN/Голова	Управо		500	10 дБ	30	400 май	Npn	25 @ 50 мА, 5 В	800 мг	-
2SC5087R (TE85L, F)	0,1270	RFQ	3	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	125 ° C (TJ)	Пефер	SC-61AA	2SC5087	150 м	Smq	-	ROHS COMPRINT	1 (neograniчennnый)			Ear99	8541.21.0095	3000	-	12	80 май	Npn	120 @ 20 май, 10 В	8 Гер	1,1 дб ~ 2 дбри При 1 Гер
2SC5509-T2-A	0,3300	RFQ	142	Renesas Electronics America Inc	-	МАССА	Управо	150 ° C (TJ)	Пефер	SC-82A, SOT-343		190 м	SOT-343	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	3000	14 дБ	3,3 В.	100 май	Npn	50 @ 10ma, 2V	15 Гер	1,2db @ 2 ggц
BLF7G22L-130112	80,9000	RFQ	21	NXP USA Inc.	*	МАССА	Актифен							-	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	Продан		5A991G	8541.29.0075	1
BFP540H6327XTSA1	0,6400	RFQ	28	Infineon Technologies	-	Lenta и катахка (tr)	Управо	150 ° C (TJ)	Пефер	SC-82A, SOT-343	BFP540	250 м	PG-SOT343-3d	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	3000	16 дБ	5в	80 май	Npn	50 @ 20 май, 3,5 В	30 гг	0,9 дБ ~ 1,4 дбри При 1,8 Гер
PH1214-220M	735.2267	RFQ	2353	Macom Technology Solutions	-	МАССА	Актифен	200 ° C (TJ)	ШASCI	2L-Flg	PH1214	700 Вт	2L-Flg	-				1465-PH1214-220M			1	7,4 дБ	70В	21А	Npn	-	1,4 -е	-
2N3866	-	RFQ	8570	Central Semiconductor Corp	-	Поднос	Управо	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	205 годов, 39-3 Металлабанка		5 Вт	Не 39	-				1514-2n3866tray	Управо		1	10 дБ	30	400 май	Npn	10 @ 50ma, 5 В	500 мг	-
CP229-2N5109-WN	-	RFQ	2179	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Управо	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Пефер	Умират		-	Умират	-				1514-CP229-2N5109-WN	Управо		500	11 дБ	20	400 май	Npn	40 @ 50ma, 15	1,2 -е	3db @ 200 мг.
NTE16003	45 3800	RFQ	16	NTE Electronics, Inc.	-	Симка	Актифен	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Стало	TO-212MA, TO-210AB, TO-60-4, Stud		11,6	12 60	СКАХАТА	Rohs			2368-NTE16003	Ear99	8541.29.0095	1	-	40	1,5а	Npn	-	500 мг	-
BFU520AR	0,6100	RFQ	8617	NXP USA Inc.	Автомобиль, AEC-Q101	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3	BFU520	450 м	SOT-23 (TO-236AB)	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	3000	18 дБ	12	30 май	Npn	60 @ 5ma, 8 В	10 -е	0,7 дбри При 900 мг
NTE2402	2.7500	RFQ	6900	NTE Electronics, Inc.	-	Симка	Актифен	150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3		200 м	SOT-23	СКАХАТА	Rohs3			2368-NTE2402	Ear99	8541.21.0095	1	18 дБ	15	25 май	Npn	25 @ 14ma, 10 В	5 гер	2,4 дБ @ 500 мг.
PH1214-55EL	507,9000	RFQ	7199	Macom Technology Solutions	-	МАССА	Актифен	200 ° C.	ШASCI	2L-Flg	PH1214	220w	-	-				1465-PH1214-55EL			1	6,6 ДБ	58	7A	Npn	-	1,4 -е	-
NSVMMBTH10LT1G	0,4200	RFQ	6	OnSemi	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3	NSVMMBTH10	225 м	SOT-23-3 (TO-236)	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	3000	-	25 В	-	Npn	60 @ 4ma, 10 В	650 мг	-
2SA1778-3-TB-E	0,1700	RFQ	80	OnSemi	-	МАССА	Управо		Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3		250 м	3-CP	-	Neprigodnnый				Ear99	8541.21.0075	3000	13 дБ	15	50 май	Pnp	60 @ 5ma, 10 В	1,2 -е	2,5 дБ @ 400 мг
BFP 405 H6740	0,1600	RFQ	3	Infineon Technologies	-	МАССА	Актифен	150 ° C (TJ)	Пефер	SC-82A, SOT-343		75 м	PG-SOT343-4	СКАХАТА	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	3000	23 дБ	5в	25 май	Npn	60 @ 5ma, 4 В	25 гг	1,25 дебр.
BFP460H6327XTSA1	0,5900	RFQ	1	Infineon Technologies	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	150 ° C (TJ)	Пефер	SC-82A, SOT-343	BFP460	230 м	PG-SOT343-3d	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	3000	12,5 дб ~ 26,5 дБ	5,8 В.	70 май	Npn	90 @ 20 май, 3V	22 Гер	0,7 дБ ~ 1,2 дбри При 100 мг ~ 3 ггц
KSC1674OBU	0,0200	RFQ	146	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		250 м	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	1000	-	20	20 май	Npn	70 @ 1MA, 6V	600 мг	3 дБ ~ 5 дБ прри
KSC1674RTA	-	RFQ	5368	OnSemi	-	Lenta и коробка (TB)	Управо	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА	KSC1674	250 м	ДО 92-3	СКАХАТА		1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	2000	-	20	20 май	Npn	40 @ 1MA, 6V	600 мг	3 дБ ~ 5 дБ прри
BFU580GX	0,8300	RFQ	999	NXP USA Inc.	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	261-4, 261AA	BFU580	1 Вт	SC-73	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0075	1000	10,5 ДБ	12	60 май	Npn	60 @ 30ma, 8 В	11 -е	1,4 дБ @ 1,8 -ggц
BFP182WE6327	0,0800	RFQ	27	Infineon Technologies	-	МАССА	Актифен	150 ° C (TJ)	Пефер	SC-82A, SOT-343		250 м	PG-SOT343-4	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	3000	22 дБ	12	35 май	Npn	70 @ 10ma, 8 В	8 Гер	0,9 деб ~ 1,3 дебрни 900 мг ~ 1,8 гг.