SIC
close

БИПОЛАНСА

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Это DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
2SC5632G0L Panasonic Electronic Components 2SC5632G0L -
RFQ
 ECAD 8241 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-85 2SC5632 150 м Smini3-F2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 - 8в 50 май Npn 100 @ 2ma, 4V 1,1 -е -
2SC5227A-4-TB-E onsemi 2SC5227A-4-TB-E -
RFQ
 ECAD 6859 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC5227 200 м 3-CP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 12 дБ 10 В 70 май Npn 90 @ 20 май, 5в 7 гер 1db @ 1 ggц
MRF587 MACOM Technology Solutions MRF587 121.5752
RFQ
 ECAD 2258 0,00000000 Macom Technology Solutions - Поднос Актифен 200 ° C (TJ) Стало 244A-01 - 244a-01, Стилия 1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1465-1192 Ear99 8541.29.0095 25 13 дБ 17 200 май Npn 50 @ 50 мА, 5 В 5,5 -е 3 дБ прри 0,5 ггц
PIMD3115 NXP USA Inc. PIMD3115 -
RFQ
 ECAD 8421 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА 0000.00.0000 1
BFS 380L6 E6327 Infineon Technologies BFS 380L6 E6327 -
RFQ
 ECAD 3106 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 150 ° C (TJ) Пефер 6-xfdfn 380 м TSLP-6-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 15 000 8db ~ 12db 9в 80 май 2 npn (дВОХАНЕй) 60 @ 40ma, 3v 14 гер 1,3 дб ~ 1,9 дбри При 1,8 Гер
BFR92AW,135 NXP USA Inc. BFR92AW, 135 -
RFQ
 ECAD 1304 0,00000000 NXP USA Inc. - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BFR92 300 м SC-70 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 - 15 25 май Npn 65 @ 15ma, 10 В 5 Гер 2db ~ 3db pri 1gц ~ 2 ggц
UPA801T-A CEL UPA801T-A -
RFQ
 ECAD 9057 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 UPA801 200 м SOT-363 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1 - 12 100 май 2 npn (дВОХАНЕй) 70 @ 7ma, 3V 4,5 -е 1,2db @ 1 ggц
2N2857UB Microsemi Corporation 2N2857UB -
RFQ
 ECAD 7000 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 200 м Ub СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 21 дБ 15 40 май Npn 30 @ 3MA, 1V - 4,5 дб @ 450 мгр
MSC1450M Microsemi Corporation MSC1450M -
RFQ
 ECAD 2065 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо 250 ° C (TJ) ШASCI M216 910W M216 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 7 дБ 65 28А Npn 15 @ 1a, 5v 1,09 -е -
BFP 520F E6327 Infineon Technologies BFP 520F E6327 -
RFQ
 ECAD 3266 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, Плоскилили BFP 520 100 м 4-tsfp СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 22,5db 3,5 В. 40 май Npn 70 @ 20 май, 2 В 45 Гер 0,95 дебри 1,8 гг
2SC5085-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5085-O (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 7025 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо 125 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2SC5085 100 м SC-70 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 - 12 80 май Npn 80 @ 20 май, 10 В 7 гер 1db @ 500 -hgц
BFG480W,115 NXP USA Inc. BFG480W, 115 -
RFQ
 ECAD 1415 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-82A, SOT-343 BFG48 360 м CMPAK-4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 16 дБ 4,5 В. 250 май Npn 40 @ 80ma, 2v 21 -й 1,2 дБ ~ 1,8 дебрни 900 мг ~ 2 гг.
TAN350 Microsemi Corporation TAN350 -
RFQ
 ECAD 1709 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо 230 ° C (TJ) ШASCI 55 -й 1450 Вт 55 -й СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 7db ~ 7,5 дБ 65 40a Npn 10 @ 1a, 5v 960 мг ~ 1 215 гг. -
BFU590GX NXP USA Inc. BFU590GX 1.2100
RFQ
 ECAD 1009 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA BFU590 2W SC-73 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 8 дБ 12 200 май Npn 60 @ 80ma, 8v 8,5 -е -
PH1090-75L MACOM Technology Solutions PH1090-75L 361.4550
RFQ
 ECAD 2848 0,00000000 Macom Technology Solutions - Поднос Актифен 200 ° C (TJ) ШASCI - PH1090 75 Вт - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1465-1196 Ear99 8541.29.0040 20 10,70 ~ 10,81 дБ 70В 6A Npn - - -
BFG520,235 NXP USA Inc. BFG520,235 -
RFQ
 ECAD 2089 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 175 ° C (TJ) Пефер 253-4, 253а BFG52 300 м SOT-143b СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934018800235 Ear99 8541.21.0075 10000 - 15 70 май Npn 60 @ 20 май, 6 В 9 -е 1,1db ~ 2,1db пр. 900 мг.
AT-32011-BLKG Broadcom Limited AT-32011-BLKG -
RFQ
 ECAD 3401 0,00000000 Broadcom Limited - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер 253-4, 253а AT-32011 200 м SOT-143 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 100 12,5db ~ 14db 5,5 В. 32 май Npn 70 @ 2ma, 2,7 В - 1db ~ 1,3 dbpri 900 мг.
2SC5646A-TL-H onsemi 2SC5646A-TL-H 0,4500
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-81 2SC5646 100 м 3-SSFP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 9,5db ~ 10,5 дБ @ 2 ggц 4 30 май Npn 100 @ 5ma, 1V 10 grц ~ 12,5 -ggц 1,5 дБ @ 2 ggц
MS2477 Microsemi Corporation MS2477 -
RFQ
 ECAD 8429 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1
NE85634-A CEL NE85634-A -
RFQ
 ECAD 3679 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а NE85634 2W SOT-89 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH NE85634A Ear99 8541.29.0075 1 9db 12 100 май Npn 50 @ 20 май, 10 В 6,5 -е 1,1db @ 1ggц
BF799WH6327XTSA1 Infineon Technologies BF799WH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 6954 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BF799 280 м PG-SOT323 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 - 20 35 май Npn 40 @ 20 май, 10 В 800 мг 3db @ 100mgц
BFM505,115 NXP USA Inc. BFM505,115 -
RFQ
 ECAD 3187 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 175 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 BFM50 500 м 6-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 - 8в 18ma 2 npn (дВОХАНЕй) 60 @ 5ma, 6V 9 -е 1,1 дб ~ 1,9 дебрни 900 мг ~ 2 гг.
NTE108-1 NTE Electronics, Inc NTE108-1 0,8000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 106-3 КУПОЛОЛООБРАГОН 625 м 126 СКАХАТА Rohs 2368-NTE108-1 Ear99 8541.29.0095 1 15 дБ 15 50 май Npn 20 @ 8ma, 10 В 600 мг 6db @ 60 Mmgц
2SC393700L Panasonic Electronic Components 2SC393700L -
RFQ
 ECAD 3445 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2SC3937 150 м Smini3-G1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 13 дБ 10 В 80 май Npn 50 @ 20 май, 8 6 Гер 1 дБ ~ 1,7 дбри При 800 мгц
NE68830-A CEL NE68830-A -
RFQ
 ECAD 8537 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 150 м SOT-323 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1 - 6в 100 май Npn 80 @ 3MA, 1V 4,5 -е 1,7 дб ~ 2,5 дбри При 2 Гер
BFG505,215 NXP USA Inc. BFG505,215 -
RFQ
 ECAD 5504 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 175 ° C (TJ) Пефер 253-4, 253а BFG50 150 м SOT-143b СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 - 15 18ma Npn 60 @ 5ma, 6V 9 -е 1,2 дБ ~ 2,1 дебрни 900 мг.
SD1726 STMicroelectronics SD1726 -
RFQ
 ECAD 5008 0,00000000 Stmicroelectronics - Поднос Управо 200 ° C (TJ) Пефер M174 SD1726 318 Вт M174 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 14 дБ 55 20 часов Npn 18 @ 1.4a, 6v - -
SS9018FBU Fairchild Semiconductor SS9018FBU 0,0200
RFQ
 ECAD 127 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) SS9018 400 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1 - 15 50 май Npn 54 @ 1MA, 5V 1,1 -е -
NSVF4017SG4T1G onsemi NSVF4017SG4T1G 0,6200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, Плоскилили NSVF4017 450 м SC-82FL/MCPH4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 17 ДБ 12 100 май Npn 60 @ 50ma, 5 В 10 -е 1,2db @ 1 ggц
BFU730LXZ NXP USA Inc. BFU730LXZ 0,5000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер 3-xfdfn BFU730 160 м DFN1006C-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 15,8db 3В 30 май Npn 205 @ 2MA, 3V 53 Гер 0,75 дБ @ 6 ggц
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть