SIC
close

Одеяно -аварий

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
JANSF2N2484 Microchip Technology Jansf2n2484 60.8602
RFQ
 ECAD 7664 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/376 Поднос Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 2N2484 18-18 (ДО 206AA) - Rohs DOSTISH 0000.00.0000 1 60 50 май 2NA Npn 300 мВ 100 мк, 1 мана 225 @ 10ma, 5 -
MMBTA42-HF Comchip Technology MMBTA42-HF 0,0529
RFQ
 ECAD 1369 0,00000000 Комшип - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA42 350 м SOT-23-3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-MMBTA42-HFTR Ear99 8541.21.0095 3000 300 300 май 250NA (ICBO) Npn 200 мВ @ 2ma, 20 мая 100 @ 10ma, 10 В 50 мг
PN2906A TRE TIN/LEAD Central Semiconductor Corp PN2906A TRE TIN/LEAND -
RFQ
 ECAD 3901 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 625 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-PN2906ATRETIN/LEADTR Ear99 8541.21.0075 2000 60 600 май 50NA Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 40 @ 500 май, 10 В 200 мг
BC369-BP Micro Commercial Co BC369-BP -
RFQ
 ECAD 9408 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC369 625 м Создание 92 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 353-BC369-BP Ear99 8541.21.0095 1000 20 1 а 10 мк (ICBO) Pnp 500 мВ @ 100ma, 1a 85 @ 500 май, 1в 65 мг
JANSD2N3439UA Microchip Technology JANSD2N3439UA -
RFQ
 ECAD 2668 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/368 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 800 м UA - Rohs3 DOSTISH 150-JANSD2N3439UA Ear99 8541.21.0095 1 350 1 а 2 мка Npn 500 мВ @ 4MA, 50 ма 40 @ 20 май, 10 В -
MJD2955G onsemi MJD2955G 0,9400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MJD2955 1,75 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 60 10 а 50 мк Pnp 8 В @ 3,3а, 10А 20 @ 4a, 4v 2 мг
BCW68HR Nexperia USA Inc. BCW68HR 0,1800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW68 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 800 млн 5 Мка (ICBO) Pnp 450 мВ 50 мам, 500 мам 250 @ 100ma, 1v 80 мг
BUL903ED STMicroelectronics Bul903ed -
RFQ
 ECAD 8378 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BUL903 70 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 400 5 а 1MA Npn 1v @ 150 май, 1a 20 @ 500 май, 3V -
ZXT10P20DE6QTA Diodes Incorporated Zxt10p20de6qta 0,2411
RFQ
 ECAD 9257 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Zxt10 1,1 SOT-26 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Zxt10p20de6qtadi Ear99 8541.29.0075 3000 20 2,5 а 100NA Pnp 350 мВ 150 май, 2,5а 300 @ 100ma, 2v 180 мг
2SA673AC-E Renesas Electronics America Inc 2SA673AC-E 0,3700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 1
BC636_J35Z onsemi BC636_J35Z -
RFQ
 ECAD 3148 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC636 1 Вт ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 45 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 40 @ 150 май, 2 В 100 мг
JANS2N6251T1 Microsemi Corporation Jans2n6251t1 -
RFQ
 ECAD 3696 0,00000000 Microsemi Corporation ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/510 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 254-3, до 254AA (пр. 2N6251 6 Вт 254AA СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 350 10 а 1MA Npn 1,5 Е @ 1.67a, 10a 6 @ 10a, 3v -
2N5874 Microchip Technology 2N5874 41.7354
RFQ
 ECAD 4707 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен 2N5874 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
BD677 STMicroelectronics BD677 0,5400
RFQ
 ECAD 2750 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 BD677 40 SOT-32-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-5714 Ear99 8541.29.0095 50 60 4 а 500 мк Npn - дарлино 2,5 -прри 30 май, 1,5а 750 @ 1,5A, 3V -
JANSR2N3636UB/TR Microchip Technology Jansr2n3636ub/tr -
RFQ
 ECAD 9838 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/357 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 1,5 Ub - Rohs3 DOSTISH 150-jansr2n3636ub/tr Ear99 8541.29.0095 1 175 10 мк 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 50 @ 50ma, 10 В -
BC817-16,235 Nexperia USA Inc. BC817-16,235 0,1800
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 45 500 май 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
8050SS-D-AP Micro Commercial Co 8050SS-D-AP -
RFQ
 ECAD 6500 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Лейт -и Коробка (ТБ) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 8050SS 1 Вт Создание 92 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 353-8050SS-D-APTB Ear99 8541.29.0075 2000 25 В 1,5 а 100NA Npn 500 мВ @ 80 май, 800 мая 160 @ 100ma, 1v 100 мг
BC860BW,135 Nexperia USA Inc. BC860BW, 135 0,2200
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC860 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2MA, 5V 100 мг
2N3420S Microchip Technology 2N3420S 17.7422
RFQ
 ECAD 4325 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N3420 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 60 3 а 5 Мка Npn 500 мВ 200 май, 2а 40 @ 1a, 2v -
KSC3503CS onsemi KSC3503CS -
RFQ
 ECAD 3877 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 KSC3503 7 Вт 126-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 250 300 100 май 100NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 10ma, 10 В 150 мг
MMBTA56LT3G onsemi MMBTA56LT3G 0,1700
RFQ
 ECAD 7545 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA56 225 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 80 500 май 100NA Pnp 250 мВ @ 10ma, 100 мая 100 @ 100ma, 1в 50 мг
2N6674 Microchip Technology 2N6674 130.8720
RFQ
 ECAD 2064 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен 2N6674 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
BC337-025G onsemi BC337-025G -
RFQ
 ECAD 3874 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА BC337 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 45 800 млн 100NA Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 210 мг
TIP137 onsemi TIP137 0,5900
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2 Вт ДО-220AB СКАХАТА Rohs Ear99 8541.29.0095 508 100 8 а 500 мк PNP - ДАРЛИНГТОН 4 w @ 30ma, 6a 1000 @ 4a, 4v -
JANKCCP2N3500 Microchip Technology Jankccp2n3500 -
RFQ
 ECAD 9551 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/366 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH 150-jankccp2n3500 100 150 300 май 10 мк (ICBO) Npn 400 мВ @ 15 май, 150 мат 40 @ 150 май, 10 В -
JANTXV2N5154L Microchip Technology Jantxv2n5154l -
RFQ
 ECAD 7437 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/544 МАССА Пркрэно -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 1 Вт По 5 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 80 2 а 50 мк Npn 1,5 Е @ 500 мА, 5A 70 @ 2,5A, 5 В -
2SD734E-AA onsemi 2SD734E-AA 0,2700
RFQ
 ECAD 307 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Ear99 8541.21.0075 1
TIP136 Central Semiconductor Corp TIP136 -
RFQ
 ECAD 8960 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо - Чereз dыru 220-3 70 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 400 80 8 а - PNP - ДАРЛИНГТОН - - -
2SC24970R Panasonic Electronic Components 2SC24970R -
RFQ
 ECAD 7519 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 2SC249 1,2 Вт 126B-A1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 2SC24970R-NDR Ear99 8541.29.0075 200 50 1,5 а 100 мк Npn 1В @ 150 май, 1,5а 120 @ 1a, 5v 150 мг
2SC3074-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3074-O (Q) -
RFQ
 ECAD 3255 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 2SC3074 1 Вт PW-Mold СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 200 50 5 а 1 мка (ICBO) Npn 400 мВ @ 150 май, 3а 70 @ 1a, 1v 120 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть