SIC
close

Одеяно -аварий

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
ST901T STMicroelectronics ST901T 1.6600
RFQ
 ECAD 527 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 ST901 100 y ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 350 4 а 100 мк Npn - дарлино 2 w @ 20 май, 2а 1800 @ 2a, 2v -
JANTXV2N5745 Microchip Technology Jantxv2n5745 731.5000
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/433 МАССА Актифен -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 2N5745 5 Вт По 3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 80 20 а 100 мк Pnp 1V @ 1a, 10a 15 @ 10a, 2v -
FMMT618-TP Micro Commercial Co FMMT618-TP 0,1105
RFQ
 ECAD 5966 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT618 350 м SOT-23 СКАХАТА 353-FMMT618-TP Ear99 8541.21.0075 1 20 2,5 а 100NA (ICBO) Npn 200 мВ 50 май, 2,5а 300 @ 200 май, 2 В 100 мг
2SB1131S-AE onsemi 2SB1131S-AE 0,1600
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1
2N1613L Microchip Technology 2N1613L 19.3382
RFQ
 ECAD 7456 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2n1613 800 м Не 39 СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 30 500 май 10 мк (ICBO) Npn 1,5 Е @ 15 Ма 40 @ 150 май, 10 В -
D45VH10G onsemi D45VH10G 0,9300
RFQ
 ECAD 6541 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 D45VH10 83 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0075 50 80 15 а - Pnp 1v @ 800ma, 8a 20 @ 4a, 1v 50 мг
MPSA92 onsemi MPSA92 -
RFQ
 ECAD 5581 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА MPSA92 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 5000 300 500 май 250NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 2ma, 20 мая 25 @ 30 мА, 10 В 50 мг
PN3640_D27Z onsemi PN3640_D27Z -
RFQ
 ECAD 5284 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА PN364 350 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 12 200 май 10NA Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 30 @ 10ma, 300 м. 500 мг
NSS12100UW3TCG onsemi NSS12100UW3TCG 0,6500
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-wdfn otkrыtaiNavaIn-o NSS12100 740 м 3-wdfn (2x2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 12 1 а 100NA (ICBO) Pnp 440 мВ @ 100ma, 1a 100 @ 500 май, 2 В 200 мг
ZTX453 Diodes Incorporated ZTX453 0,6000
RFQ
 ECAD 5378 0,00000000 Дидж - МАССА Актифен -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru E-Line-3 ZTX453 1 Вт Электронная линия (до 92 года СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ztx453-ndr Ear99 8541.29.0075 4000 100 1 а 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 15 май, 150 матов 40 @ 150 май, 10 В 150 мг
2SC2655L-Y-AP Micro Commercial Co 2SC2655L-Y-AP -
RFQ
 ECAD 3239 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2SC2655 900 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1000 50 2 а 1 мка (ICBO) Npn 500 мВ @ 50ma, 1a 120 @ 500 май, 2 В 100 мг
KSA1281YTA Fairchild Semiconductor KSA1281YTA 0,1400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА 1 Вт ДО 92-3 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 2213 50 2 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50ma, 1a 120 @ 500 май, 2 В 100 мг
CP305-2N3019-CT20 Central Semiconductor Corp CP305-2N3019-CT20 150.5200
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Поднос Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH CP305-2N3019-CT20 PBFREE Ear99 8541.29.0095 1 80 1 а 10NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 150 май, 10 В 100 мг
BC337-25RL1 onsemi BC337-25RL1 0,0500
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо BC337 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000
JANTX2N3500L Microchip Technology JantX2N3500L 14.4704
RFQ
 ECAD 3485 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/366 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 2N3500 1 Вт По 5 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 150 300 май 10 мк (ICBO) Npn 400 мВ @ 15 май, 150 мат 40 @ 150 май, 10 В -
2SC2705-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-O (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 6177 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SC2705 800 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 150 50 май 100NA (ICBO) Npn 1V @ 1MA, 10MA 80 @ 10ma, 5в 200 мг
BC846AW135 NXP USA Inc. BC846AW135 0,0200
RFQ
 ECAD 209 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Ear99 8541.21.0075 1
2N4920G onsemi 2N4920G 0,9500
RFQ
 ECAD 939 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 2N4920 30 st 126 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 80 1 а 500 мк Pnp 600 мВ @ 100ma, 1a 30 @ 500 май, 1в 3 мг
BC847B_R1_00001 Panjit International Inc. BC847B_R1_00001 0,1900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Panjit International Inc. BC847 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 330 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-BC847B_R1_00001DKR Ear99 8541.21.0095 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V -
2SB1197KT146Q Rohm Semiconductor 2SB1197KT146Q 0,4200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SB1197 200 м SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 32 800 млн 500NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 120 @ 100ma, 3v 200 мг
2N4895 PBFREE Central Semiconductor Corp 2n4895 Pbfree 11.9500
RFQ
 ECAD 363 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо - Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка Не 39 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 60 1 мка Npn - 40 @ 2a, 2v 50 мг
2SA1667 Sanken 2SA1667 1.9400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 САНКЕН - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 25 Вт DO-220F СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 2SA1667 DK Ear99 8541.29.0095 1000 150 2 а 10 мк (ICBO) Pnp 1 В @ 70 май, 700 маточков 60 @ 700 май, 10 В 20 мг
BCP5316TA Diodes Incorporated BCP5316TA 0,4000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA BCP5316 2 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 80 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 150 май, 2 В 150 мг
KSD5018 onsemi KSD5018 -
RFQ
 ECAD 1218 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 KSD5018 40 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1200 275 4 а 1MA Npn - дарлино 1,5 Е @ 20 май, 3а - -
PBSS5260QA147 NXP USA Inc. PBSS5260QA147 0,0700
RFQ
 ECAD 280 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 4480
2SD1423A Panasonic Electronic Components 2SD1423A -
RFQ
 ECAD 5765 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 3-sip 2SD1423 300 м NS-B1 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 5000 50 500 май 1 мка Npn 600 мВ @ 30 май, 300 мая 85 @ 150 май, 10 В 200 мг
JANTX2N5665 Microchip Technology Jantx2n5665 31.1619
RFQ
 ECAD 3034 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/455 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 2N5665 2,5 TO-66 (DO 213AA) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 300 5 а 200NA Npn 1v @ 1a, 5a 25 @ 1a, 5v -
TIP41A STMicroelectronics TIP41A -
RFQ
 ECAD 2630 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP41 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 60 6 а 700 мк Npn 1,5 h @ 600ma, 6a 15 @ 3A, 4V -
BCW60C235 NXP USA Inc. BCW60C235 0,0200
RFQ
 ECAD 6766 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Ear99 8541.21.0075 10000
PHE13005,127 NXP USA Inc. Phe13005,127 -
RFQ
 ECAD 8169 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен Phe13 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть