SIC
close

Одеяно -аварий

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МООНТАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
BC807-40HZ Nexperia USA Inc. BC807-40 ГГ 0,2800
RFQ
 ECAD 210 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 320 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 45 500 май 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 1v 80 мг
2SAR542PT100 Rohm Semiconductor 2SAR542PT100 0,7100
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SAR542 2 Вт MPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 30 5 а 1 мка (ICBO) Pnp 400 мВ @ 100ma, 5a 200 @ 500 май, 2 В 240 мг
BST52,115 Nexperia USA Inc. BST52,115 0,6900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а BST52 1,3 SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 80 1 а 50NA Npn - дарлино 1,3 - @ 500 мк, 500 матов 2000 @ 500 мА, 10 В 200 мг
JANTXV2N5157 Microchip Technology Jantxv2n5157 73 9347
RFQ
 ECAD 8046 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/371 МАССА Актифен 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 2N5157 5 Вт До 204AA (TO-3) - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 500 3,5 а 250 мк Npn 2,5 -прри 700 май, 3,5а 30 @ 1a, 5v -
PMST3904,135 NXP USA Inc. PMST3904,135 -
RFQ
 ECAD 2685 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PMST3 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000
PBSS4160PANPS115 NXP USA Inc. PBSS4160PANPS115 0,1300
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 2423
BC856AQCZ Nexperia USA Inc. BC856AQCZ 0,2500
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Nexperia USA Inc. BC856XQC Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o BC856 360 м DFN1412D-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 65 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2ma, 5V 100 мг
BC857CT-TP Micro Commercial Co BC857CT-TP 0,0507
RFQ
 ECAD 4401 0,00000000 МИКРОКОМЕРСКИЙСКИЙС - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-523 BC857 150 м SOT-523 СКАХАТА 353-BC857CT-TP Ear99 8541.21.0075 1 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
JANTXV2N6193U3 Microchip Technology Jantxv2n6193u3 -
RFQ
 ECAD 2430 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - - 2N6193 - - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
SSV1MUN5313DW1T1 onsemi SSV1MUN5313DW1T1 0,1000
RFQ
 ECAD 120 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 3000
MJ15011G onsemi MJ15011G -
RFQ
 ECAD 6821 0,00000000 OnSemi - Поднос Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 MJ150 200 th № 204 года (3). СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 100 250 10 а 1MA Npn 1V @ 400MA, 4A 20 @ 2a, 2v -
2N3057A Microchip Technology 2n3057a 8.7913
RFQ
 ECAD 6685 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-206AB, TO-46-3 METLAC BAN BAN 2N3057 500 м To-46-3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 80 1 а 10NA Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 50 @ 500 май, 10 В -
KSC945LBU onsemi KSC945LBU -
RFQ
 ECAD 2153 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSC945 250 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 10ma, 100 мА 350 @ 1MA, 6V 300 мг
CMUT5551E TR Central Semiconductor Corp Cmut5551e tr -
RFQ
 ECAD 9501 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-89, SOT-490 250 м SOT-523 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 220 600 май 50NA Npn 100 мВ @ 5ma, 50 мая 120 @ 10ma, 5 В 300 мг
JANSF2N5153 Microchip Technology Jansf2n5153 98.9702
RFQ
 ECAD 4520 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/545 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 80 50 мк 50 мк Pnp 1,5 Е @ 500 мА, 5A 70 @ 2,5A, 5 В -
TSC497CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSC497CX RFG 0,5200
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSC497 500 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 300 500 май 100NA Npn 300 мВ @ 25 май, 250 мат 100 @ 1MA, 10 75 мг
BC547CZL1 onsemi BC547CZL1 -
RFQ
 ECAD 2464 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА BC547 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 45 100 май 15NA Npn 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 420 @ 2MA, 5V 300 мг
BCX69-16E6327 Infineon Technologies BCX69-16E6327 -
RFQ
 ECAD 7863 0,00000000 Infineon Technologies Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а 3 Вт PG-SOT89-4-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 20 1 а 100NA (ICBO) 500 мВ @ 100ma, 1a 100 @ 500 май, 1в 100 мг
BUB941ZT STMicroelectronics Bub941ZT -
RFQ
 ECAD 4720 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Bub941 150 Вт D²Pak СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 497-6203-5 Ear99 8541.29.0095 1000 350 15 а 100 мк Npn - дарлино 1,8 В @ 250 мА, 10a 300 @ 5a, 10 В -
MMBT4401 Fairchild Semiconductor MMBT4401 -
RFQ
 ECAD 1454 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 350 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 15 000 40 600 май 100NA Npn 750 мВ 50 мам, 500 маточков 100 @ 150 май, 1в 250 мг
BCV27,215 Nexperia USA Inc. BCV27,215 0,3700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCV27 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 500 май 100NA (ICBO) Npn - дарлино 1- @ 100 мк, 100 мая 20000 @ 100ma, 5 В 220 мг
BC817-25-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC817-25-AU_R1_000A1 0,1900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Panjit International Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 330 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 45 500 май 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 100 мг
2SA2039-H onsemi 2SA2039-H 0,8300
RFQ
 ECAD 680 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо - Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА 2SA2039 800 м Т. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 500 50 5 а 1 мка (ICBO) Pnp 430 мВ @ 100ma, 2a 200 @ 500 май, 2 В 360 мг
BC858A-TP Micro Commercial Co BC858A-TP 0,0236
RFQ
 ECAD 3337 0,00000000 МИКРОКОМЕРСКИЙСКИЙС - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 200 м SOT-23 СКАХАТА 353-BC858A-TP Ear99 8541.21.0075 1 30 100 май 15NA Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2ma, 5V 100 мг
JANTX2N4234 Microchip Technology Jantx2n4234 40.5517
RFQ
 ECAD 4050 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/580 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N4234 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 40 1 а 1MA Pnp 600 мВ @ 100ma, 1a 30 @ 250 май, 1в -
2SD2144STPW Rohm Semiconductor 2SD2144STPW -
RFQ
 ECAD 4535 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru SC-72 SFORMIROWOLLYL 2SD2144 300 м Спт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 20 500 май 500NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 20 май, 500 мат 1200 @ 10ma, 3V 350 мг
SDBN500B01-7 Diodes Incorporated SDBN500B01-7 -
RFQ
 ECAD 1894 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 200 м SOT-363 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 80 500 май 100NA Npn + diod (иолировананн) 350 мВ @ 20 май, 200 мая 100 @ 50 май, 1в 100 мг
BD243C STMicroelectronics BD243C -
RFQ
 ECAD 6235 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BD243 65 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 100 6 а 700 мк Npn 1,5 - @ 1a, 6a 15 @ 3A, 4V -
PN2222ATA onsemi PN2222ATA 0,4200
RFQ
 ECAD 1843 0,00000000 OnSemi - Веса Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА PN2222 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 40 1 а 10NA (ICBO) Npn 1 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 300 мг
BDW63D-S Bourns Inc. Bdw63d-s -
RFQ
 ECAD 1418 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BDW63 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 15 000 120 6 а 500 мк Npn - дарлино 4 В @ 60 май, 6a 750 @ 2a, 3v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть