SIC
close

Одеяно -аварий

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
BC846A,235 Nexperia USA Inc. BC846A, 235 0,1400
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Nexperia USA Inc. BC846X Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 65 100 май 15NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 100 мг
PMST5550-QX Nexperia USA Inc. PMST5550-QX 0,0604
RFQ
 ECAD 1450 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 PMST5550 200 м SOT-323 - Rohs3 DOSTISH 1727-PMST5550-QXTR Ear99 8541.21.0075 3000 140 300 май 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 5ma, 50 ма 60 @ 10ma, 5 В 300 мг
BC549B Diotec Semiconductor BC549B 0,0241
RFQ
 ECAD 2923 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2796-BC549btr 8541.21.0000 4000 30 100 май 15NA Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 300 мг
MMST5551 Yangjie Technology MMST5551 0,0200
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-70, SOT-323 200 м SOT-323 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-MMST5551TR Ear99 3000 160 200 май 50NA Npn 200 мВ @ 5ma, 50 мая 80 @ 10ma, 5в 300 мг
FJAF6808DTU onsemi Fjaf6808dtu -
RFQ
 ECAD 9283 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack Fjaf6808 50 st To-3pf СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 750 8 а 1MA Npn 5 w @ 1,2A, 5A 4.5 @ 5a, 5v -
NSCT3904LT1G onsemi NSCT3904LT1G -
RFQ
 ECAD 8368 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 NSCT39 225 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 200 май - Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
DSA7004S0L Panasonic Electronic Components DSA7004S0L -
RFQ
 ECAD 4464 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 150 ° C (TJ) Пефер 243а DSA7004 1 Вт Minip3-f2-b СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1000 50 2 а 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 50ma, 1a 170 @ 200ma, 2v 120 мг
KTC3198-GR A1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-GR A1G -
RFQ
 ECAD 9205 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KTC3198 500 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 4000 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 70 @ 2ma, 6V 80 мг
BCP53-16T,115 Nexperia USA Inc. BCP53-16T, 115 0,0500
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Nexperia USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Ear99 8541.29.0075 6099
2PB709BRL,215 NXP Semiconductors 2PB709BRL, 215 0,0300
RFQ
 ECAD 184 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м TO-236AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-2PB709BRL, 215-954 1 50 200 май 10NA (ICBO) Pnp 250 мВ @ 10ma, 100 мая 210 @ 2ma, 10 В 200 мг
2SA1930(LBS2MATQ,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 (LBS2MATQ, M. -
RFQ
 ECAD 6177 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SA1930 2 Вт ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1 180 2 а 5 Мка (ICBO) Pnp 1V @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 5 В 200 мг
MJD253T4G onsemi MJD253T4G 0,5900
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MJD253 1,4 м Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 100 4 а 100NA (ICBO) Pnp 600 мВ @ 100ma, 1a 40 @ 200 май, 1в 40 мг
JANTX2N3637L Microchip Technology Jantx2n3637l 11.9700
RFQ
 ECAD 5636 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/357 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 2N3637 1 Вт По 5 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 175 1 а 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 50ma, 10 В -
BF721T1 onsemi BF721T1 -
RFQ
 ECAD 2512 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA BF721 1,5 SOT-223 (DO 261) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 300 50 май 10NA (ICBO) Pnp 800 мВ @ 5ma, 30 ма 50 @ 25ma, 20 60 мг
TIP29F-S Bourns Inc. Tip29f-s -
RFQ
 ECAD 8950 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо - Чereз dыru 220-3 TIP29 2 Вт ДО-220 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 15 000 160 1 а 300 мк Npn 700 мВ @ 125ma, 1a 40 @ 200 май, 4 В -
2N3418 Microchip Technology 2N3418 18.3939
RFQ
 ECAD 2160 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 2N3418 1 Вт По 5 СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 60 3 а 5 Мка Npn 500 мВ 200 май, 2а 20 @ 1a, 2v -
BC857BW-HF Comchip Technology BC857BW-HF 0,0598
RFQ
 ECAD 9251 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC857 150 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-BC857BW-HFTR Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2MA, 5V 100 мг
FMMT493W Diodes Incorporated FMMT493W -
RFQ
 ECAD 4652 0,00000000 Дидж - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 500 м SOT-23 (TIP DN) - 31-FMMT493W Ear99 8541.21.0075 1 100 1 а 100NA Npn 600 мВ @ 100ma, 1a 100 @ 250 май, 10 В 150 мг
2N5631 Microchip Technology 2N5631 74.1300
RFQ
 ECAD 6430 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Чereз dыru TO-204AA, TO-3 200 th До 204 года. (DO-3) - DOSTISH 150-2N5631 Ear99 8541.29.0095 1 140 16 а - Pnp - - -
BD140-16 STMicroelectronics BD140-16 0,4200
RFQ
 ECAD 2547 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 BD140 1,25 Вт SOT-32 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 80 1,5 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 40 @ 2v, 150ma -
2SD1619T-TD-E-SY Sanyo 2SD1619T-TD-E-SY 0,1100
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 САНО * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 1000
PN4258 onsemi PN4258 -
RFQ
 ECAD 4045 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN425 350 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 12 200 май 10NA Pnp 500 мВ @ 5ma, 50 ма 30 @ 10ma, 3v 700 мг
2SB1204T-TL-E onsemi 2SB1204T-TL-E 0,9400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 2SB1204 1 Вт TP-FA - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 700 50 8 а 1 мка (ICBO) Pnp 500 мВ @ 200 май, 4а 200 @ 500 май, 2 В 130 мг
BC856B,215 Nexperia USA Inc. BC856B, 215 0,1400
RFQ
 ECAD 52 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 65 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2MA, 5V 100 мг
JAN2N3501UB Microchip Technology Jan2n3501UB 17.5826
RFQ
 ECAD 9247 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/366 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 2N3501 500 м Ub СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 150 300 май 10 мк (ICBO) Npn 400 мВ @ 15 май, 150 мат 100 @ 150 май, 10 В -
BC548_J35Z onsemi BC548_J35Z -
RFQ
 ECAD 3269 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC548 500 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 30 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 300 мг
D40D3 Harris Corporation D40D3 -
RFQ
 ECAD 8028 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-202 Long Tab 1,67 Вт TO-202AB СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 1 а 100NA Npn - -
PN2906A PBFREE Central Semiconductor Corp PN2906A PBFREE -
RFQ
 ECAD 2576 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN2906 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2500 60 600 май 10NA (ICBO) Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
2SC4107M onsemi 2SC4107M -
RFQ
 ECAD 6094 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1
BD240A Harris Corporation BD240A -
RFQ
 ECAD 3864 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 30 st ДО-220 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 253 60 2 а 300 мк Pnp 700 м. 40 @ 200 май, 4 В -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть