SIC
close

Одеяно -аварий

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
2SCR523V1T2L Rohm Semiconductor 2SCR523V1T2L -
RFQ
 ECAD 7013 0,00000000 ROHM Semiconductor * Lenta и катахка (tr) Управо - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000
BC857CT-TP Micro Commercial Co BC857CT-TP 0,0507
RFQ
 ECAD 4401 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-523 BC857 150 м SOT-523 СКАХАТА 353-BC857CT-TP Ear99 8541.21.0075 1 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
2SC536NG-NPA-AT onsemi 2SC536NG-NPA-AT -
RFQ
 ECAD 9658 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА 2SC536 500 м TO-92 (DO 226) - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1500 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 10ma, 100 мА 280 @ 1MA, 6V 200 мг
BCX51H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX51H6327XTSA1 0,1920
RFQ
 ECAD 7099 0,00000000 Infineon Technologies Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Прохл 150 ° C (TJ) Пефер 243а BCX51 2 Вт PG-SOT89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 45 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 40 @ 150 май, 2 В 125 мг
BC81716MTF Fairchild Semiconductor BC81716MTF 0,0300
RFQ
 ECAD 63 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 310 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 230 45 800 млн 100NA Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 110 @ 100ma, 1v 100 мг
KST24MTF onsemi KST24MTF -
RFQ
 ECAD 4617 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 KST24 350 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 100 май 50na (ICBO) Npn - 30 @ 8ma, 10 В 620 мг
BC636TF onsemi BC636TF -
RFQ
 ECAD 7811 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC636 1 Вт ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 45 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 40 @ 150 май, 2 В 100 мг
BC548C_J35Z onsemi BC548C_J35Z -
RFQ
 ECAD 6027 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC548 500 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 30 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 300 мг
2SC3176 Sanyo 2SC3176 -
RFQ
 ECAD 4599 0,00000000 САНО - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 50 st ДО-220AB - 2156-2SC3176 1 200 7 а 100 мк (ICBO) Npn 1V @ 650MA, 5A 15 @ 1a, 1v 40 мг
TIP125-BP Micro Commercial Co TIP125-BP -
RFQ
 ECAD 8547 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP125 2 Вт ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH TIP125BP Ear99 8541.29.0095 5000 60 5 а 500 мк PNP - ДАРЛИНГТОН 4 В @ 20 май, 5А 1000 @ 3a, 3v -
MMBT3416 onsemi MMBT3416 -
RFQ
 ECAD 6345 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3416 350 м SOT-23-3 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 500 май - Npn - - -
BUT11A STMicroelectronics BUT11A -
RFQ
 ECAD 1144 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BAT11 83 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-12152 Ear99 8541.29.0095 50 450 5 а 1MA Npn 1,5- 500 май, 2,5а 10 @ 500 май, 5в -
ZXTN25100DGQTA Diodes Incorporated ZXTN25100DGQTA 0,8200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA ZXTN25100 1,2 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 100 3 а 50na (ICBO) Npn 500 мВ @ 600 май, 3а 300 @ 10ma, 2v 175 мг
ZTX601STOB Diodes Incorporated Ztx601stob -
RFQ
 ECAD 8810 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru E-line-3, obrahawannele-ledы ZTX601 1 Вт Электронная линия (до 92 года СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 160 1 а 10 мк Npn - дарлино 1,2 - @ 10ma, 1a 2000 @ 500 мА, 10 В 250 мг
JANTX2N3440UA Microchip Technology Jantx2n3440ua -
RFQ
 ECAD 3027 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/368 МАССА Пркрэно -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 800 м UA - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 250 1 а 2 мка Npn 500 мВ @ 4ma, 50 мая 40 @ 20 май, 10 В -
D45C9 Harris Corporation D45C9 -
RFQ
 ECAD 5042 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 30 st ДО-220 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 36 60 4 а 10 мк Pnp 500 мВ @ 50ma, 1a 40 @ 200 май, 1в 40 мг
2N4449UB/TR Microchip Technology 2N4449UB/tr 25.7700
RFQ
 ECAD 4626 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C. Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 400 м Ub - 100 15 400NA Npn 450 мВ @ 10ma, 100 мая 40 @ 10ma, 1v -
2SD1825 onsemi 2SD1825 0,3100
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
BC846BW-TP Micro Commercial Co BC846BW-TP 0,2000
RFQ
 ECAD 3584 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC846 SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 65 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
BD243C STMicroelectronics BD243C -
RFQ
 ECAD 6235 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BD243 65 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 100 6 а 700 мк Npn 1,5 - @ 1a, 6a 15 @ 3A, 4V -
BC548A B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC548A B1G -
RFQ
 ECAD 2431 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC548 500 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 5000 30 100 май 15NA (ICBO) Npn - 110 @ 2ma, 5 В -
BD243B onsemi BD243B -
RFQ
 ECAD 1159 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BD243 65 Вт 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 200 80 6 а 700 мк Npn 1,5 - @ 1a, 6a 15 @ 3A, 4V -
BCP5616TTA Diodes Incorporated BCP5616TTA 0,4000
RFQ
 ECAD 950 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA BCP5616 2,5 SOT-223-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 80 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 150 май, 2 В 150 мг
NJVMJD45H11D3T4G onsemi NJVMJD45H11D3T4G -
RFQ
 ECAD 6023 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NJVMJD45 20 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 80 8 а 1 мка Pnp 1v @ 400 май, 8a 40 @ 4a, 1v 90 мг
ZXTP03200BZTA Diodes Incorporated ZXTP03200BZTA 0,8200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а ZXTP03200 1,1 SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 200 2 а 50na (ICBO) Pnp 260 мВ @ 400 май, 2а 100 @ 1a, 5в 105 мг
JAN2N930UB Microchip Technology Jan2n930UB -
RFQ
 ECAD 5779 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/253 МАССА Актифен 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 2n930 Ub - Rohs DOSTISH 0000.00.0000 1 45 30 май - Npn - - -
BD1396S onsemi BD1396S -
RFQ
 ECAD 2847 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 BD139 1,25 Вт 126-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 250 80 1,5 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 40 @ 150 май, 2 В -
2N6045-AP Micro Commercial Co 2n6045-ap -
RFQ
 ECAD 8110 0,00000000 МИКРОМЕР СО - ЛЕЙНТА и КОРОБЕККА (ТУБЕРКУЛЕГ) Управо -60 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2N6045 75 Вт ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1000 100 8 а 20 мк (ICBO) Npn - дарлино 4V @ 80ma, 8a 1000 @ 3A, 4V -
STT13005 STMicroelectronics STT13005 -
RFQ
 ECAD 9281 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 STT13 45 Вт SOT-32-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 400 2 а 250 мк Npn 1,5 Е @ 400 май, 1,6a 10 @ 500 май, 5в -
2N7052_D74Z onsemi 2N7052_D74Z -
RFQ
 ECAD 9586 0,00000000 OnSemi - ЛЕЙНТА и КОРОБЕККА (ТУБЕРКУЛЕГ) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2N7052 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 100 1,5 а 200NA Npn - дарлино 1,5 -прри 100 мк, 100 май 1000 @ 1a, 5v 200 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть