SIC
close

Одеяно -аварий

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Манера В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
CZT3904 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CZT3904 TR PBFREE 0,9700
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA CZT3904 2 Вт SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 40 200 май 50NA Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
2SA1785E-AN onsemi 2SA1785E-AN 0,2400
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1
ABC817-25-HF Comchip Technology ABC817-25-HF 0,3200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Комхип Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 300 м SOT-23-3 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 45 500 май 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 100 мг
2SC4617EBTLR Rohm Semiconductor 2SC4617EBTLR 0,2600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SC-89, SOT-490 2SC4617 150 м EMT3F (SOT-416FL) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 50 ма 120 @ 1MA, 6V 180 мг
2SA1469R-MBS-LA9 onsemi 2SA1469R-MBS-LA9 0,3000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1
MMBT5551HE3-TP Micro Commercial Co MMBT5551HE3-TP 0,2500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 МИКРОМЕР СО Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5551 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 160 600 май 50na (ICBO) Npn 200 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 5 В 300 мг
BC857BW,135 NXP USA Inc. BC857BW, 135 0,0200
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен BC857 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000
BC807-40W/MI135 NXP USA Inc. BC807-40W/MI135 0,0200
RFQ
 ECAD 7245 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 10000
MMSS8050HE3-H-TP Micro Commercial Co MMSS8050HE3-H-TP 0,2500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 МИКРОМЕР СО Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMSS8050 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 25 В 1,5 а 100NA Npn 500 мВ @ 80 май, 800 мая 200 @ 100ma, 1v 100 мг
TN6717A Fairchild Semiconductor TN6717A 0,1200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN6717 1 Вт 226-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 80 1,2 а 100NA (ICBO) Npn 350 м. При 10 май, 250 мат 50 @ 250 май, 1в -
BC857BW-TP Micro Commercial Co BC857BW-TP 0,0355
RFQ
 ECAD 2267 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC857 150 м SOT-323 СКАХАТА 353-BC857BW-TP Ear99 8541.21.0075 1 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2MA, 5V 100 мг
NSS20501UW3TBG onsemi NSS20501UW3TBG 0,2575
RFQ
 ECAD 5423 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-wdfn otkrыtaiNavaIn-o NSS20501 875 м 3-wdfn (2x2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 20 5 а 100NA (ICBO) Npn 125MV @ 400MA, 4A 200 @ 2a, 2v 150 мг
BC 808-40W H6327 Infineon Technologies BC 808-40W H6327 -
RFQ
 ECAD 7575 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC 808 250 м PG-SOT323 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 25 В 500 май 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 1v 200 мг
30A01C-TB-E Sanyo 30A01C-TB-E 0,0800
RFQ
 ECAD 288 0,00000000 САНО * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1
2SD468-C-AP Micro Commercial Co 2SD468-C-AP -
RFQ
 ECAD 5820 0,00000000 МИКРОМЕР СО - ЛЕЙНТА и КОРОБЕККА (ТУБЕРКУЛЕГ) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2SD468 900 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1000 20 1 а 1 мка (ICBO) Npn 500 мВ @ 80 май, 800 мая 120 @ 500 май, 2 В 190 мг
2SD789ETZ Renesas Electronics America Inc 2SD789etz 0,1800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 1
MMBT1616A-L-TP Micro Commercial Co MMBT1616A-L-TP 0,1474
RFQ
 ECAD 6607 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT1616 350 м SOT-23 СКАХАТА 353-MMBT1616A-L-TP Ear99 8541.21.0075 1 60 1 а 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 50ma, 1a 135 @ 100ma, 2v 100 мг
SJD127T4G Fairchild Semiconductor SJD127T4G 0,3300
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-SJD127T4G-600039 Ear99 8541.29.0095 998
2SC2383-O(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-O (T6Omi, FM -
RFQ
 ECAD 4250 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SC2383 900 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 160 1 а 1 мка (ICBO) Npn 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA 60 @ 200 май, 5 В 100 мг
BUV20 STMicroelectronics BUV20 -
RFQ
 ECAD 8596 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 200 ° C (TJ) ШASCI TO-204AA, TO-3 BUV20 250 Вт По 3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 20 125 50 а 3MA Npn 1,2 - @ 5a, 50a 20 @ 25a, 2v 8 мг
D40D3 Harris Corporation D40D3 -
RFQ
 ECAD 8028 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-202 Long Tab 1,67 Вт TO-202AB СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 1 а 100NA Npn - -
2PB709ASL,235 Nexperia USA Inc. 2PB709ASL, 235 0,0251
RFQ
 ECAD 4439 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-101, SOT-883 2PB709 250 м SOT-883 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 45 100 май 10NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 10ma, 100 мая 290 @ 2ma, 10 В 80 мг
2SC4413-TL-E onsemi 2SC4413-TL-E 0,3300
RFQ
 ECAD 174 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 3000
2SC5772FR-TL-E Renesas Electronics America Inc 2SC5772FR-TL-E 0,2800
RFQ
 ECAD 171 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
BCP54-QF Nexperia USA Inc. BCP54-QF 0,1132
RFQ
 ECAD 3212 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA 650 м SOT-223 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-BCP54-Qftr Ear99 8541.21.0075 4000 45 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 180 мг
2SB1570 Sanken 2SB1570 -
RFQ
 ECAD 2459 0,00000000 САНКЕН - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 3-ESIP 150 Вт MT-200 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 2SB1570 DK Ear99 8541.29.0075 250 150 12 а 100 мк (ICBO) PNP - ДАРЛИНГТОН 2,5 - @ 7ma, 7a 5000 @ 7a, 4v 50 мг
2SC3665-Y(T2NSW,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y (T2NSW, FM -
RFQ
 ECAD 1068 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru SC-71 2SC3665 1 Вт MSTM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1 120 800 млн 100NA (ICBO) Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 80 @ 100ma, 5 120 мг
BC868-25,115 Nexperia USA Inc. BC868-25,115 0,5100
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а BC868 500 м SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 20 2 а 100NA (ICBO) Npn 600 мВ 200 май, 2а 160 @ 500 май, 1в 170 мг
ZXTN23015CFHTA Diodes Incorporated ZXTN23015CFHTA 0,7900
RFQ
 ECAD 2049 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTN23015 1,25 Вт SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 15 6 а 20NA (ICBO) Npn 180mv @ 120ma, 6a 200 @ 500 май, 2 В 235 мг
MMBTA42-HF Comchip Technology MMBTA42-HF 0,0529
RFQ
 ECAD 1369 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA42 350 м SOT-23-3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-MMBTA42-HFTR Ear99 8541.21.0095 3000 300 300 май 250NA (ICBO) Npn 200 мВ @ 2ma, 20 мая 100 @ 10ma, 10 В 50 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть