SIC
close

Одеяно -аварий

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Манера В припании Упако Степень Продукта Raboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
JANTX2N6353 Microchip Technology Jantx2n6353 -
RFQ
 ECAD 4705 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/472 МАССА Активна -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 2N6353 2 Вт TO-66 (DO 213AA) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 150 5 а - Npn - дарлино 2,5 - @ 10ma, 5a 1000 @ 5a, 5 В -
BC848C-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. Bc848c-au_r1_000a1 0,1900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. Automotive, AEC-Q101, BC848-AU Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 330 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-BC848C-AU_R1_000A1CT Ear99 8541.21.0095 3000 30 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
ZTX550 Diodes Incorporated ZTX550 0,8500
RFQ
 ECAD 2624 0,00000000 Дидж - МАССА Управо -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru E-Line-3 ZTX550 1 Вт Электронная линия (до 92 года СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH ZTX550-NDR Ear99 8541.29.0075 4000 45 1 а 100NA (ICBO) Pnp 250 мВ @ 15 май, 150 мат 100 @ 150 май, 10 В 150 мг
BC846AL3-TP Micro Commercial Co BC846AL3-TP 0,0375
RFQ
 ECAD 8784 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-101, SOT-883 BC846 150 м DFN1006-3 СКАХАТА 353-BC846AL3-TP Ear99 8541.21.0075 1 65 100 май 1MA Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 100 мг
2SA1428-O,T2CLAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-O, T2Claf (J. -
RFQ
 ECAD 6034 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru SC-71 2SA1428 900 м MSTM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 50 2 а 1 мка (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100 мг
SS8050CTA onsemi SS8050CTA 0,4700
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 OnSemi - Веса Активна 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА SS8050 1 Вт ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 25 В 1,5 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 80 май, 800 мая 120 @ 100ma, 1v 100 мг
BC847B-C Diotec Semiconductor BC847B-C 0,0171
RFQ
 ECAD 1050 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Активна Пефер 250 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2796-BC847B-CTR 8541.21.0000 3000 45 100 май Npn 600V @ 5ma, 100 мая 290 @ 2ma, 5 300 мг
2SC2235-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y, T6KEHF (м -
RFQ
 ECAD 6525 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SC2235 900 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 120 800 млн 100NA (ICBO) Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 80 @ 100ma, 5 120 мг
2N915 PBFREE Central Semiconductor Corp 2n915 Pbfree -
RFQ
 ECAD 1151 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо - Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 2N915 18 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 - Npn - 50 @ 10ma, 10 В 250 мг
KSA473O onsemi KSA473O -
RFQ
 ECAD 7729 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 KSA473 10 st 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 200 30 3 а 1 мка (ICBO) Pnp 800 мВ @ 200 май, 2а 70 @ 500ma, 2V 100 мг
NTE2429 NTE Electronics, Inc NTE2429 2.4000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна 150 ° C (TJ) Пефер 243а 1 Вт SOT-89 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2429 Ear99 8541.21.0095 1 80 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 100ma, 5 В 100 мг
BC56-10PA,115 Nexperia USA Inc. BC56-10PA, 115 0,0881
RFQ
 ECAD 9307 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Активна 150 ° C (TJ) Пефер 3-Powerfn BC56 420 м 3-Huson (2x2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 80 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 180 мг
MPS6727G onsemi MPS6727G -
RFQ
 ECAD 2450 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА MPS672 1 Вт TO-92 (DO 226) - 1 (neograniчennnый) DOSTISH MPS6727GOS Ear99 8541.29.0095 5000 40 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 100ma, 1a 50 @ 1a, 1v -
2SC5707-TL-E onsemi 2SC5707-TL-E 1.2600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Активна 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 2SC5707 1 Вт TP-FA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 700 50 8 а 100NA (ICBO) Npn 240 м. При 175 май, 3,5а 200 @ 500 май, 2 В 330 мг
JANKCAR2N2369A Microchip Technology Jankcar2n2369a -
RFQ
 ECAD 3449 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/117 Lenta и катахка (tr) Активна -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 2n2369a 360 м 18 - Rohs3 DOSTISH 150-jankcar2n2369a Ear99 8541.21.0095 1 15 400NA Npn 450 мВ @ 10ma, 100 мА 20 @ 100ma, 1в -
2N2905 onsemi 2N2905 -
RFQ
 ECAD 1764 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо - Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N2905 600 м Не 39 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 40 600 май - Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
BCX53-10TX Nexperia USA Inc. BCX53-10TX 0,4000
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Активна 150 ° C (TJ) Пефер 243а BCX53 500 м SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 80 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 140 мг
2SD734F-AA onsemi 2SD734F-AA 0,0500
RFQ
 ECAD 157 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 600 м 3-NP - Rohs DOSTISH 2156-2SD734F-AA Ear99 8541.21.0075 1 20 700 млн 1 мка (ICBO) Npn 300 мВ @ 50 май, 500 мая 160 @ 50ma, 2v 250 мг
DZTA42Q-13 Diodes Incorporated DZTA42Q-13 0,4700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA DZTA42 1 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 300 500 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 2ma, 20 мая 25 @ 1MA, 10 В 50 мг
MJD350TF onsemi MJD350TF -
RFQ
 ECAD 1857 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MJD35 15 Вт D-PAK СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 300 500 май 100 мк Pnp - 30 @ 50 мА, 10 В -
BC847C-QVL Nexperia USA Inc. BC847C-QVL 0,0163
RFQ
 ECAD 1597 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, BC847X-Q Lenta и катахка (tr) Активна 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
MPS3702_D26Z onsemi MPS3702_D26Z -
RFQ
 ECAD 1710 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА MPS370 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 25 В 800 млн 100NA (ICBO) Pnp 250 мВ @ 5ma, 50 ма 60 @ 50ma, 5 В 100 мг
2N2405 NTE Electronics, Inc 2N2405 0,8800
RFQ
 ECAD 2871 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт Не 39 СКАХАТА Rohs3 2368-2N2405 Ear99 8541.29.0095 1 90 1 а 10NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 15 май, 150 мат 60 @ 150 май, 10 В -
2SC4634LS onsemi 2SC4634LS 1.3100
RFQ
 ECAD 945 0,00000000 OnSemi * МАССА Активна СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-2SC4634LS-488 1
JANSH2N2219A Microchip Technology Jansh2n2219a 248.3916
RFQ
 ECAD 8040 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Активна -55 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 800 м TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH 150-Jansh2n2219a 1 50 800 млн 10NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
2SCR574D3TL1 Rohm Semiconductor 2SCR574D3TL1 0,8500
RFQ
 ECAD 5511 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Активна 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 2SCR574 10 st 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 80 2 а 1 мка (ICBO) Npn 300 мВ @ 50ma, 1a 120 @ 100ma, 3v 280 мг
JANSP2N3501UB Microchip Technology JANSP2N3501UB 94 3500
RFQ
 ECAD 4380 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Активна - Rohs3 DOSTISH 150-JANSP2N3501UB 1
2C6189 Microchip Technology 2C6189 24.3450
RFQ
 ECAD 6117 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Активна - DOSTISH 150-2C6189 1
CMST3904 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMST3904 TR PBFREE 0,4000
RFQ
 ECAD 56 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Активна -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 CMST3904 275 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 200 май - Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
2SC6017-TL-E onsemi 2SC6017-TL-E 0,9000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 2SC6017 950 м TP-FA - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 700 50 10 а 10 мк (ICBO) Npn 360 мВ @ 250 май, 5а 200 @ 1a, 2v 200 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть