SIC
close

Одеяно -аварий

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллексионера (МАКС) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
LM395T National Semiconductor LM395T 2.7800
RFQ
 ECAD 180 0,00000000 На самом деле - МАССА Актифен 0 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 220-3 220-3 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 109 36 2,2 а - Npn - - -
KSH340TF onsemi KSH340TF -
RFQ
 ECAD 9009 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 KSH34 156 Вт D-PAK СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 300 500 май 100 мк Npn - 30 @ 50 мА, 10 В -
BUK7Y7R6-40E/GFX NXP USA Inc. BUK7Y7R6-40E/GFX -
RFQ
 ECAD 3433 0,00000000 NXP USA Inc. * Lenta и катахка (tr) Управо Бук7 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 1500
BUJ303B,127 NXP USA Inc. Buj303b, 127 0,3600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 NXP USA Inc. - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 100 y ДО-220AB СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 825 400 5 а 100 мк Npn 1,5 - @ 1a, 3a 23 @ 800 май, 3V -
2SC3902S onsemi 2SC3902S -
RFQ
 ECAD 8731 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 2SC3902 1,5 126 мл СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 200 160 1,5 а 1 мка (ICBO) Npn 450 мВ 50 мам, 500 мам 100 @ 100ma, 5 В 120 мг
MMBTA56WT1 onsemi MMBTA56WT1 -
RFQ
 ECAD 1890 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 MMBTA56 150 м SC-70-3 (SOT323) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 80 500 май 100NA Pnp 250 мВ @ 10ma, 100 мая 100 @ 100ma, 1в 50 мг
MMBTA56-AQ Diotec Semiconductor MMBTA56-AQ 0,0512
RFQ
 ECAD 8400 0,00000000 DIOTEC Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан 2796-MMBTA56-AQTR 8541.21.0000 3000 60 500 май 100NA (ICBO) Pnp 250 мВ @ 10ma, 100 мая 100 @ 100ma, 1в 50 мг
2N6486 Solid State Inc. 2N6486 0,9900
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен - Чereз dыru 220-3 ДО-220 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-2N6486 Ear99 8541.10.0080 10 - Npn - - -
MJE15032G onsemi MJE15032G 1.5800
RFQ
 ECAD 9308 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 MJE15032 50 st ДО-220 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0075 50 250 8 а 10 мк (ICBO) Npn 500 мВ @ 100ma, 1a 10 @ 2a, 5v 30 мг
MMBTA14-7 Diodes Incorporated MMBTA14-7 -
RFQ
 ECAD 5004 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA14 300 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 300 май 100NA (ICBO) Npn - дарлино 1,5 -прри 100 мк, 100 май 20000 @ 100ma, 5 В 125 мг
FF600R17KE3B2S1NOSA1 Infineon Technologies FF600R17KE3B2S1NOSA1 644.8600
RFQ
 ECAD 116 0,00000000 Infineon Technologies * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-FF600R17KE3B2S1NOSA1-448 Ear99 0000.00.0000 1
BC850BWE6327 Infineon Technologies BC850BWE6327 -
RFQ
 ECAD 1407 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 250 м PG-SOT323-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 250 мг
MPSA44RL1 onsemi MPSA44RL1 -
RFQ
 ECAD 7848 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА MPSA44 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 400 300 май 500NA Npn 750 мВ @ 5ma, 50 ма 50 @ 10ma, 10 В -
BD13610STU onsemi BD13610STU 0,8800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 BD136 1,25 Вт 126-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 60 45 1,5 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v -
NJL4302DG onsemi NJL4302DG -
RFQ
 ECAD 8088 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-5 NJL4302 230 Вт 264 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 25 350 15 а 100 мк Pnp 1v @ 800ma, 8a 80 @ 5a, 5v 35 мг
CP547-MJ11015-WR Central Semiconductor Corp CP547-MJ11015-WR -
RFQ
 ECAD 8029 0,00000000 Central Semiconductor Corp CP547 Поднос Управо Пефер Умират Умират СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 400
KSC2859YMTF onsemi KSC2859YMTF -
RFQ
 ECAD 9166 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 KSC2859 150 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 500 май 100NA Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 120 @ 100ma, 1v 300 мг
TSC966CT B0G Taiwan Semiconductor Corporation TSC966CT B0G -
RFQ
 ECAD 9524 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 Вт Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 400 300 май 1 мка Npn 1V @ 5ma, 50 мая 100 @ 1MA, 5 В 50 мг
BC846BW-QX Nexperia USA Inc. BC846BW-QX 0,0221
RFQ
 ECAD 4643 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, BC846XW-Q Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC846 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 65 100 май 15NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
JANTXV2N6249T1 Microsemi Corporation Jantxv2n6249t1 -
RFQ
 ECAD 2317 0,00000000 Microsemi Corporation ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/510 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 254-3, до 254AA (пр. 2N6249 6 Вт 254AA СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 200 10 а 1MA Npn 1,5 - @ 1a, 10a 10 @ 10a, 3v -
BC618,112 NXP USA Inc. BC618,112 -
RFQ
 ECAD 3355 0,00000000 NXP USA Inc. - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА BC61 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 55 500 май 50 мк Npn - дарлино 1,1 - @ 200 мка, 200 мая 10000 @ 200 май, 5в 155 мг
BC817-40QAZ Nexperia USA Inc. Bc817-40qaz 0,3300
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o BC817 900 м DFN1010D-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 45 500 май 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 40 @ 500 май, 1в 100 мг
HGT1S14N41G3VLT Fairchild Semiconductor Hgt1s14n41g3vlt 1.9100
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен СКАХАТА Продан Продан 2156-HGT1S14N41G3VLT-600039 1
FJN5471TA onsemi Fjn5471ta -
RFQ
 ECAD 8919 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА FJN547 750 м ДО 92-3 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 20 5 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 100ma, 3a 700 @ 500ma, 2V 150 мг
NTE14 NTE Electronics, Inc NTE14 1.9200
RFQ
 ECAD 244 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 135 ° C (TJ) Чereз dыru 3-sip 750 м 3-sip СКАХАТА Rohs 2368-NTE14 Ear99 8541.21.0095 1 80 700 млн 500NA (ICBO) Pnp 400 мВ @ 50 май, 500 матов 120 @ 100ma, 3v 100 мг
STT13005D-K STMicroelectronics STT13005D-K -
RFQ
 ECAD 5007 0,00000000 Stmicroelectronics - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 STT13 45 Вт SOT-32-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 400 2 а 250 мк Npn 1,5 Е @ 400 май, 1,6a 10 @ 500 май, 5в -
PMBT3904,215 NXP USA Inc. PMBT3904,215 -
RFQ
 ECAD 2896 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PMBT3 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000
BC214L onsemi BC214L -
RFQ
 ECAD 9498 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC214 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 30 500 май 15NA (ICBO) Pnp 600 мВ @ 5ma, 100 мая 140 @ 2ma, 5 200 мг
BCX54,115 Nexperia USA Inc. BCX54,115 0,4800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а BCX54 1,25 Вт SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 45 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 180 мг
2SD1864TV2R Rohm Semiconductor 2SD1864TV2R -
RFQ
 ECAD 3502 0,00000000 ROHM Semiconductor - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 3-sip 2SD1864 1 Вт Квадран СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 50 3 а 1 мка (ICBO) Npn 1В @ 200 май, 2а 180 @ 500ma, 3v 90 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть