SIC
close

Одеяно -аварий

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
2SB1495,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1495, Q (м -
RFQ
 ECAD 9800 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SB1495 2 Вт ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 100 3 а 10 мк (ICBO) Pnp 1,5- прри 1,5 май, 1,5а 2000 @ 2a, 2v -
2N3703 onsemi 2N3703 -
RFQ
 ECAD 2771 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N3703 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 30 500 май 100NA (ICBO) Pnp 250 мВ @ 5ma, 50 ма 30 @ 50ma, 5 100 мг
MJE3055-BP Micro Commercial Co MJE3055-BP -
RFQ
 ECAD 4730 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 MJE3055 2 Вт ДО-220AB - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1000 60 10 а 1MA (ICBO) Npn 1,2 В @ 3,3a, 10a 20 @ 4a, 4v 2 мг
2N5320 onsemi 2N5320 -
RFQ
 ECAD 6597 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо - Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N532 10 st Не 39 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 200 75 2 а - Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 30 @ 500 май, 4 В -
FJL4215OTU Fairchild Semiconductor FJL4215OTU 2.4200
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA 150 Вт HPM F2 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 124 250 17 а 5 Мка (ICBO) Pnp 3v @ 800ma, 8a 80 @ 1a, 5v 30 мг
BC33716TF onsemi BC33716TF -
RFQ
 ECAD 7854 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC337 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 45 800 млн 100NA Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
BC558CZL1G onsemi BC558CZL1G -
RFQ
 ECAD 9703 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА BC558 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 30 100 май 100NA Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 360 мг
JAN2N2484UA Microchip Technology Jan2n2484ua 16.1861
RFQ
 ECAD 8236 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/376 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 2N2484 360 м UA СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 60 50 май 2NA Npn 300 мВ 100 мк, 1 мана 225 @ 10ma, 5 -
2SA1797T100P Rohm Semiconductor 2SA1797T100P 0,6500
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SA1797 2 Вт MPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 50 2 а 100NA (ICBO) Pnp 350 мВ @ 50ma, 1a 82 @ 500 май, 2 В 200 мг
TIP112 STMicroelectronics TIP112 0,8800
RFQ
 ECAD 7205 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP112 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 100 2 а 2MA Npn - дарлино 2,5 - @ 8ma, 2a 1000 @ 1a, 4v -
TTC009,F(M Toshiba Semiconductor and Storage TTC009, F (м -
RFQ
 ECAD 2791 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- TTC009 2 Вт ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1 80 3 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 100ma, 1a 100 @ 500 май, 5в 150 мг
FMMT717TC Diodes Incorporated FMMT717TC -
RFQ
 ECAD 8878 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT717 625 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 12 2,5 а 100NA Pnp 220 мВ 50 мам, 2,5а 300 @ 100ma, 2v 110 мг
BC846BW/ZLF NXP Semiconductors BC846BW/ZLF 0,0200
RFQ
 ECAD 160 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 6-tssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BC846BW/ZLF-954 1
2SC4731S-JKC-AY onsemi 2sc4731s-jkc-ay 0,8500
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1
2N5154U3 Microchip Technology 2N5154U3 107.4906
RFQ
 ECAD 7795 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 1 Вт U3 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 80 1 май 1MA Npn 1,5 Е @ 500 мА, 5A 70 @ 2,5A, 5 В -
BC859B Diotec Semiconductor BC859B 0,0182
RFQ
 ECAD 57 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2796-BC859btr 8541.21.0000 3000 30 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2MA, 5V 100 мг
2SA207700L Panasonic Electronic Components 2SA207700L -
RFQ
 ECAD 4705 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA2077 200 м Mini3-g1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 45 100 май 100 мк Pnp 500 мВ @ 10ma, 100 мая 160 @ 2ma, 10 В 80 мг
MPS8099RLRA onsemi MPS8099RLRA -
RFQ
 ECAD 1737 0,00000000 OnSemi * Веса Управо MPS809 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000
MMBTA14_D87Z onsemi MMBTA14_D87Z -
RFQ
 ECAD 4400 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA14 350 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 30 1,2 а 100NA (ICBO) Npn - дарлино 1,5 -прри 100 мк, 100 май 20000 @ 100ma, 5 В 125 мг
2SC2705-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-Y (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 4824 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SC2705 800 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 150 50 май 100NA (ICBO) Npn 1V @ 1MA, 10MA 120 @ 10ma, 5 В 200 мг
TIP33C onsemi TIP33C -
RFQ
 ECAD 2209 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 TIP33 80 Вт SOT-93 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH TIP33COS Ear99 8541.29.0095 30 100 10 а 700 мк Npn 4 В @ 2,5A, 10A 20 @ 3A, 4V 3 мг
MPSW51AM-AP Micro Commercial Co MPSW51AM-AP -
RFQ
 ECAD 5538 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА MPSW51 1 Вт TO-92MOD - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1000 40 1 а 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 100ma, 1a 60 @ 100ma, 1в 50 мг
2SD14740P Panasonic Electronic Components 2SD14740P -
RFQ
 ECAD 8821 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SD147 2 Вт TO-220F-A1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 500 60 6 а 100 мк (ICBO) Npn 500 мВ @ 100ma, 5a 800 @ 1a, 4v 30 мг
2N3904_D81Z onsemi 2N3904_D81Z -
RFQ
 ECAD 6618 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2N3904 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 40 200 май - Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
TIP32A Solid State Inc. TIP32A 0,5000
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 40 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-TIP32A Ear99 8541.10.0080 50 60 3 а 300 мк Pnp 1,2 - @ 375MA, 3A 25 @ 1a, 4v 3 мг
2SB1197-P-TP Micro Commercial Co 2SB1197-P-TP 0,0816
RFQ
 ECAD 4146 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SB1197 200 м SOT-23 СКАХАТА 353-2SB1197-P-TP Ear99 8541.21.0095 1 32 800 млн 500NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 82 @ 100ma, 3v 50 мг
BC560BBU onsemi BC560BBU -
RFQ
 ECAD 1804 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC560 500 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 150 мг
2N697 onsemi 2N697 -
RFQ
 ECAD 8515 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо - Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 2N697 По 5 - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 200 40 - Npn 1,5 Е @ 15 Ма 40 @ 150 май, 10 В 100 мг
PN4917 onsemi PN4917 -
RFQ
 ECAD 8671 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN491 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH PN4917-NDR Ear99 8541.21.0095 2000 30 200 май 25NA Pnp 300 мВ @ 5ma, 50 мая 150 @ 10ma, 1v -
BUH150G onsemi BUH150G -
RFQ
 ECAD 5614 0,00000000 OnSemi SwitchMode ™ Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BUH15 150 Вт ДО-220 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 700 15 а 100 мк Npn 5V @ 4a, 20a 8 @ 10a, 5v 23 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть