SIC
close

Одеяно -аварий

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
2N5011S Microchip Technology 2N5011S 21,9000
RFQ
 ECAD 2032 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH 150-2N5011S Ear99 8541.29.0095 1 600 200 май 10NA (ICBO) Npn 1,5 Е @ 5MA, 25 марок 30 @ 25 мА, 10 В -
PH9130AL115 NXP Semiconductors PH9130AL115 0,2500
RFQ
 ECAD 153 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен PH9130 СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-P9130AL115-954 1
BC80825MTF onsemi BC80825MTF -
RFQ
 ECAD 7069 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC808 310 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 25 В 800 млн 100NA Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 100 мг
2N4901 Microchip Technology 2N4901 45.1535
RFQ
 ECAD 8075 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен 2N4901 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
BSP50H6327XTSA1 Infineon Technologies BSP50H6327XTSA1 0,2819
RFQ
 ECAD 5354 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Прохл 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA BSP50 1,5 PG-SOT223-4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 45 1 а 10 мк Npn - дарлино 1,8 - @ 1ma, 1a 2000 @ 500 мА, 10 В 200 мг
BC635_D75Z onsemi BC635_D75Z -
RFQ
 ECAD 4845 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC635 1 Вт ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 45 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 40 @ 150 май, 2 В 100 мг
STX826 STMicroelectronics STX826 -
RFQ
 ECAD 9803 0,00000000 Stmicroelectronics - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) STX826 900 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2500 30 3 а 10 мк Pnp 1,1 В @ 150 май, 3а 100 @ 100ma, 2 В 100 мг
BC107B STMicroelectronics BC107B -
RFQ
 ECAD 7561 0,00000000 Stmicroelectronics - МАССА Управо 175 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка BC107 300 м 18 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V -
JANTX2N2222AUBP/TR Microchip Technology Jantx2n222222aubp/tr 12.5552
RFQ
 ECAD 7372 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 500 м Ub - DOSTISH 150 Jantx2n222222aubp/tr 100 50 800 млн 50NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
PHPT61010PYX Nexperia USA Inc. Phpt61010pyx 0,8100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 PHPT61010 1,5 LFPAK56, Power-So8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1500 100 10 а 100NA Pnp 800 мВ @ 1a, 10a 180 @ 500 май, 2в 90 мг
BC857AM,315 Nexperia USA Inc. BC857AM, 315 0,2400
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-101, SOT-883 BC857 150 м SOT-883 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 400 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2ma, 5V 100 мг
JANTX2N3440U4 Microchip Technology Jantx2n3440u4 -
RFQ
 ECAD 1725 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/368 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 800 м U4 - DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 250 2 мка 2 мка Npn 500 мВ @ 4ma, 50 мая 40 @ 20 май, 10 В -
TN4033A onsemi TN4033A -
RFQ
 ECAD 7331 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN4033 1 Вт 226-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 80 1 а 50na (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 100ma, 5 В -
2N6341 onsemi 2N6341 -
RFQ
 ECAD 2063 0,00000000 OnSemi - Поднос Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 2N6341 200 th № 204 года (3). СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 100 150 25 а 50 мк Npn 1,8 В @ 2,5A, 25A 30 @ 10a, 2v 40 мг
2SD2654E3TLV Rohm Semiconductor 2SD2654E3TLV 0,3600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-75, SOT-416 2SD2654 150 м Emt3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 150 май 300NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 820 @ 1MA, 5V 250 мг
PN2907A STMicroelectronics PN2907a -
RFQ
 ECAD 2844 0,00000000 Stmicroelectronics - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN2907 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2500 60 600 май 10NA (ICBO) Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
2SC4215-O-TP Micro Commercial Co 2SC4215-O-TP -
RFQ
 ECAD 6894 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2SC4215 100 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1000 30 20 май 100NA (ICBO) Npn 70 @ 1MA, 6V 550 мг
JANTX2N2222AUA Microchip Technology Jantx2222222aua 22.2110
RFQ
 ECAD 1127 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/255 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD 2N2222 650 м 4-SMD СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 50 800 млн 50NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
2SC29250SA Panasonic Electronic Components 2SC29250SA -
RFQ
 ECAD 1575 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2SC2925 750 м TO-92-B1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 700 млн 10 мк Npn 400 мВ @ 50 май, 500 матов 600 @ 150 май, 10 В -
MJ802 STMicroelectronics MJ802 -
RFQ
 ECAD 6760 0,00000000 Stmicroelectronics - МАССА Управо 200 ° C (TJ) ШASCI TO-204AA, TO-3 MJ80 200 th По 3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 100 90 30 а 1MA (ICBO) Npn 800 мВ @ 750 май, 7,5а 25 @ 7,5A, 2V 2 мг
CA3127ER2489 Harris Corporation CA3127ER2489 0,9400
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан 1
STL73 STMicroelectronics STL73 0,7000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Stmicroelectronics - Симка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) STL73 1,1 ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 400 1,5 а - Npn 1V @ 250 май, 1a 10 @ 600ma, 3V -
NTE192 NTE Electronics, Inc NTE192 1.9900
RFQ
 ECAD 625 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru Создание 92 часов 560 м Создание 92 часов СКАХАТА Rohs 2368-NTE192 Ear99 8541.21.0095 1 50 500 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 3ma, 50 мая 180 @ 2ma, 4,5 В -
89100-01TX Microchip Technology 89100-01TX 349.9496
RFQ
 ECAD 1147 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 TO-66 (DO 213AA) - Rohs DOSTISH 0000.00.0000 1 - - - - -
TIP49 STMicroelectronics TIP49 -
RFQ
 ECAD 7073 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP49 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 350 1 а 1MA Npn 1V @ 200 мам, 1a 30 @ 300 май, 10 В 10 мг
NJVMJD45H11G onsemi NJVMJD45H11G 0,9800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NJVMJD45 1,75 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 75 80 8 а 1 мка Pnp 1v @ 400 май, 8a 40 @ 4a, 1v 90 мг
FW213-TL-E Sanyo FW213-TL-E 0,6200
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 САНО * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8542.39.0001 1000
BC847CTT1 onsemi BC847CTT1 -
RFQ
 ECAD 4994 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-75, SOT-416 BC847 225 м SC-75, SOT-416 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
TIP35B Central Semiconductor Corp TIP35B -
RFQ
 ECAD 6052 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 125 Вт 218 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 100 80 25 а - Npn - 10 @ 15a, 4v 3 мг
2SD14500RA Panasonic Electronic Components 2SD14500RA -
RFQ
 ECAD 3019 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 3-sip 2SD1450 300 м NS-B1 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 5000 20 500 май 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 20 май, 500 мат 200 @ 500 май, 2 В 200 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть