SIC
close

Одеяно -аварий

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
ZTX457 Diodes Incorporated ZTX457 0,6100
RFQ
 ECAD 5221 0,00000000 Дидж - МАССА Актифен -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru E-Line-3 ZTX457 1 Вт Электронная линия (до 92 года СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ztx457-ndr Ear99 8541.29.0075 4000 300 500 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 10ma, 100 мА 50 @ 50ma, 10 В 75 мг
HD1530FX STMicroelectronics HD1530FX -
RFQ
 ECAD 2086 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru Isowatt218fx HD1530 70 Вт Иоватт-218fx СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 700 26 а 200 мк Npn 2V @ 3,25a, 13a 5.5 @ 13a, 5v -
BC328-16 Diotec Semiconductor BC328-16 0,0328
RFQ
 ECAD 3310 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BC328-16TR 8541.21.0000 4000 25 В 800 млн 100NA Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
2SA2012-TD-E onsemi 2SA2012-TD-E -
RFQ
 ECAD 3341 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SA2012 3,5 PCP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 30 5 а 100NA (ICBO) Pnp 210 мв 30 мам, 1,5а 200 @ 500 май, 2 В 420 мг
BUT92 STMicroelectronics But92 -
RFQ
 ECAD 4952 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 But92 250 Вт По 3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 100 250 50 а 200 май Npn 1,2 В @ 3,5A, 35A - -
2SC3332R-AA onsemi 2SC3332R-AA -
RFQ
 ECAD 6647 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо - Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2SC3332 3-NP - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1500 - - - - -
FMMT411FDBW-7 Diodes Incorporated FMMT411FDBW-7 1.3965
RFQ
 ECAD 2134 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-udfn otkrыtaiNavaIn-o 1,7 W-DFN2020-3 (Typ A) СКАХАТА DOSTISH 31-FMMT411FDBW-7TR Ear99 8541.29.0075 3000 15 5 а 100NA (ICBO) Npn - reжim llavinы 100 мВ @ 1ma, 10ma 100 @ 10ma, 10 В 110 мг
BC859BMTF Fairchild Semiconductor Bc859bmtf 0,0200
RFQ
 ECAD 70 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC859 310 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 3000 30 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 150 мг
BUJ303B,127 WeEn Semiconductors Buj303b, 127 0,3365
RFQ
 ECAD 5879 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BUJ303 100 y ДО-220AB СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1000 400 5 а 100 мк Npn 1,5 - @ 1a, 3a 23 @ 800 май, 3V -
ZXTN2038FTA Diodes Incorporated Zxtn2038fta 0,3800
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Zxtn2038 350 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 60 1 а 100NA Npn 500 мВ @ 100ma, 1a 100 @ 500 май, 5в 150 мг
MJE3439G onsemi MJE3439G -
RFQ
 ECAD 8823 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 MJE3439 15 Вт 126 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 350 300 май 20 мк Npn 500 мВ @ 4ma, 50 мая 15 @ 20 май, 10 В 15 мг
MMBT2222ATT3G onsemi MMBT222222ATT3G 0,1700
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-75, SOT-416 MMBT2222 150 м SC-75, SOT-416 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 40 600 май 10NA (ICBO) Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 300 мг
JANTX2N3960UB Microsemi Corporation JantX2N3960UB -
RFQ
 ECAD 1196 0,00000000 Microsemi Corporation ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/399 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 2N3960 400 м Ub СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 100 12 10 мк (ICBO) Npn 300 мВ @ 3ma, 30 ма 60 @ 10ma, 1v -
2N2369AUA/TR Microchip Technology 2n2369aua/tr 35 4578
RFQ
 ECAD 5901 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD 360 м SMD - Rohs3 DOSTISH 150-2N2369AUA/tr Ear99 8541.21.0095 1 15 400NA Npn 450 мВ @ 10ma, 100 мая 20 @ 100ma, 1в -
2SD0602ARL Panasonic Electronic Components 2SD0602ARL -
RFQ
 ECAD 1286 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD0602 200 м Mini3-g1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 500 май 100NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 30 май, 300 мая 120 @ 150 май, 10 В 200 мг
2ST501T STMicroelectronics 2st501t 1.5900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2st501 100 y ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 350 4 а 100 мк Npn - дарлино 1,5 - @ 2ma, 2a 2000 @ 2a, 2v -
MPSA92_J22Z onsemi MPSA92_J22Z -
RFQ
 ECAD 5966 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MPSA92 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3500 300 500 май 250NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 2ma, 20 мая 25 @ 30 мА, 10 В 50 мг
JANSR2N2218 Microchip Technology Jansr2n2218 114 6304
RFQ
 ECAD 9165 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/251 МАССА Актифен -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N2218 800 м TO-39 (DO 205 g.) - Rohs DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 50 800 млн 10NA Npn 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 40 @ 150 май, 10 В -
MJD32C-TP Micro Commercial Co MJD32C-TP 0,8000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MJD32C 1,25 Вт D-PAK СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 100 3 а 50 мк Pnp 1,2 - @ 375MA, 3A 10 @ 3A, 4V 3 мг
MPSA13RLRP onsemi MPSA13RLRP -
RFQ
 ECAD 8249 0,00000000 OnSemi - ЛЕЙНТА и КОРОБЕККА (ТУБЕРКУЛЕГ) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА MPSA13 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 30 500 май 100NA (ICBO) Npn - дарлино 1,5 -прри 100 мк, 100 май 10000 @ 100ma, 5 В 125 мг
2SC2271E-AE Sanyo 2SC2271E-EA 0,0500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 САНО * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 1
2SA1855S-AY Sanyo 2SA1855S-ay 0,5300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 САНО * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1
BCP56-16HX NXP Semiconductors BCP56-16HX -
RFQ
 ECAD 3505 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 175 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA SOT-223 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BCP56-16HX-954 8541.29.0075 1 80 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 150 май, 2 В 100 мг
CMUT5401E TR Central Semiconductor Corp Cmut5401e tr -
RFQ
 ECAD 9992 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-89, SOT-490 250 м SOT-523 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 220 600 май 50NA Pnp 150 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 5 В 300 мг
SST6838T216 Rohm Semiconductor SST6838T216 0,0487
RFQ
 ECAD 5647 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SST6838 200 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 40 200 май 500NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 50 ма 150 @ 10ma, 5 В 180 мг
MPSA43-AP Micro Commercial Co MPSA43-AP -
RFQ
 ECAD 2326 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Веса Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА MPSA43 625 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 200 300 май 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 2ma, 20 мая 80 @ 10ma, 10 В 50 мг
STD888T4 STMicroelectronics STD888T4 0,6200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Std888 15 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-9092-2 Ear99 8541.29.0095 2500 30 5 а 10 мк (ICBO) Pnp 1,2 Е @ 500 май, 10a 100 @ 500 май, 1в -
KSD1943TU onsemi KSD1943TU -
RFQ
 ECAD 7465 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 KSD1943 40 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 60 3 а 100 мк (ICBO) Npn 1В @ 50 май, 2а 400 @ 500 май, 4 В -
BC237BRL1 onsemi BC237BRL1 -
RFQ
 ECAD 6297 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА BC237 350 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 45 100 май 15NA Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 200 мг
ZTX1053ASTOA Diodes Incorporated Ztx1053astoa -
RFQ
 ECAD 5346 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru E-line-3, obrahawannele-ledы Ztx1053a 1 Вт Электронная линия (до 92 года СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 75 3 а 10NA Npn 350 мВ @ 100ma, 3a 300 @ 1a, 2v 140 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть