SIC
close

Одеяно -аварий

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
MPS4992 Central Semiconductor Corp MPS4992 -
RFQ
 ECAD 8958 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Коробка Управо СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 2500
JANTXV2N2222AUB/TR Microchip Technology Jantxv2n222222aub/tr 6.8894
RFQ
 ECAD 6866 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/255 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 500 м Ub - Rohs3 DOSTISH 150 jantxv2n222222aub/tr Ear99 8541.21.0095 1 50 800 млн 50NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
BCV27E6327HTSA1 Infineon Technologies BCV27E6327HTSA1 0,0815
RFQ
 ECAD 8630 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Прохл 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCV27 360 м PG-SOT23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 500 май 100NA (ICBO) Npn - дарлино 1- @ 100 мк, 100 мая 20000 @ 100ma, 5 В 170 мг
BCX799_D27Z onsemi BCX799_D27Z -
RFQ
 ECAD 9399 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо - Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BCX799 625 м ДО 92-3 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 45 500 май 10NA Pnp 600 мв 2,5 май, 100 мав 80 @ 10ma, 1v -
BC56-16PASX Nexperia USA Inc. BC56-16PASX 0,4200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-udfn otkrыtaiNavaIn-o BC56 420 м DFN2020D-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 80 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 180 мг
BUX84-S Bourns Inc. Bux84-S. -
RFQ
 ECAD 9014 0,00000000 Bourns Inc. - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Bux84 40 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 15 000 400 2 а 200 мк Npn 1V @ 200 мам, 1a 35 @ 100ma, 5 В 12 мг
2SA1587-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1587-R, LF 0,2300
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 125 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2SA1587 100 м SC-70 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 120 100 май 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 1MA, 10MA 200 @ 2MA, 6V 100 мг
2SB1430-AZ Renesas Electronics America Inc 2SB1430-AZ -
RFQ
 ECAD 9247 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1
2SB1184TLQ Rohm Semiconductor 2SB1184TLQ 0,3795
RFQ
 ECAD 9833 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 2SB1184 1 Вт CPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 60 3 а 1 мка (ICBO) Pnp 1В @ 200 май, 2а 120 @ 500ma, 3V 70 мг
PBSS4240T-QVL Nexperia USA Inc. PBSS4240T-QVL 0,0915
RFQ
 ECAD 6577 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 300 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-PBSS4240T-QVLTR Ear99 8541.21.0075 10000 40 2 а 100NA (ICBO) Npn 320 мВ @ 200 май, 2а 350 @ 100ma, 2V 230 мг
CJD45H11 TR13 Central Semiconductor Corp CJD45H11 TR13 -
RFQ
 ECAD 9823 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 CJD45 1,75 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 80 8 а 10 мк Pnp 1v @ 400 май, 8a 40 @ 4a, 1v 50 мг
KSC945GTA onsemi KSC945GTA -
RFQ
 ECAD 1337 0,00000000 OnSemi - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KSC945 250 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 10ma, 100 мА 200 @ 1MA, 6V 300 мг
2N3016 Microchip Technology 2N3016 31.9050
RFQ
 ECAD 2797 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 5 Вт TO-5AA - DOSTISH 150-2N3016 Ear99 8541.29.0095 1 50 - Npn - - -
2SD1858TV2Q Rohm Semiconductor 2SD1858TV2Q -
RFQ
 ECAD 4432 0,00000000 ROHM Semiconductor - ЛЕЙНТА и КОРОБЕККА (ТУБЕРКУЛЕГ) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 3-sip 1 Вт Квадран СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 32 1 а 500NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 50 май, 500 матов 120 @ 100ma, 3v 150 мг
MSC2712YT1G onsemi MSC2712YT1G -
RFQ
 ECAD 5093 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MSC27 200 м SC-59 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA Npn 500 мВ @ 10ma, 100 мая 120 @ 2MA, 6V 50 мг
PN2907TF onsemi PN2907TF -
RFQ
 ECAD 4392 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN290 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 40 800 млн 20NA (ICBO) Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
2N3485A Microchip Technology 2N3485A -
RFQ
 ECAD 1972 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Пркрэно -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-206AB, TO-46-3 METLAC BAN BAN 400 м TO-46 (TO-206AB) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 60 600 май 10 мк (ICBO) Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 40 @ 150 май, 10 В -
PN3646 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp PN3646 TIN/LEAND -
RFQ
 ECAD 8838 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 1514-PN3646TIN/LEAND Ear99 8541.21.0075 2500
GSBCP53-10 Good-Ark Semiconductor GSBCP53-10 0,4300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ХOroShyй poluprovowodonyk - Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер 261-4, 261AA 1,5 SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0080 2500 80 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 100 мг
STX0560 STMicroelectronics STX0560 -
RFQ
 ECAD 8707 0,00000000 Stmicroelectronics - Симка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) STX0560 1,5 Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 600 1 а 10 мк Npn 1- @ 100 май, 500 мат 70 @ 5ma, 5 В -
FJV1845FMTF onsemi FJV1845FMTF 0,2400
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 FJV1845 300 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 120 50 май 50na (ICBO) Npn 300 мВ @ 1MA, 10MA 300 @ 1MA, 6V 110 мг
2SB1257 Sanken 2SB1257 2.0600
RFQ
 ECAD 354 0,00000000 САНКЕН - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 25 Вт DO-220F СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 2SB1257 DK Ear99 8541.29.0075 1000 60 4 а 10 мк (ICBO) PNP - ДАРЛИНГТОН 1,5 - @ 6ma, 3a 2000 @ 3A, 4V 150 мг
BC846BL3-TP Micro Commercial Co BC846BL3-TP 0,0378
RFQ
 ECAD 3474 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-101, SOT-883 BC846 150 м DFN1006-3 СКАХАТА DOSTISH 353-BC846BL3-TP Ear99 8541.21.0075 1 65 100 май 1MA Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 250 @ 10 мк, 5в 100 мг
JANTXV2N4237 Microchip Technology Jantxv2n4237 45 9249
RFQ
 ECAD 8944 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/581 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N4237 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 40 1 а 100NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 100ma, 1a 30 @ 250 май, 1в -
2SB1202T-E onsemi 2SB1202T-E -
RFQ
 ECAD 7617 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА 2SB1202 1 Вт Т. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 500 50 3 а 1 мка (ICBO) Pnp 700 мВ @ 100ma, 2a 200 @ 100ma, 2v 150 мг
2N5349 Microchip Technology 2N5349 157.9375
RFQ
 ECAD 3337 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен 2N5349 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
2SC4793,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, WNLF (J. -
RFQ
 ECAD 2420 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SC4793 2 Вт ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1 230 1 а 1 мка (ICBO) Npn 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 5 В 100 мг
BC640TA onsemi BC640TA 0,4200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 OnSemi - Веса Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC640 1 Вт ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 80 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 40 @ 150 май, 2 В 100 мг
JANTXV2N4261 Microchip Technology Jantxv2n4261 -
RFQ
 ECAD 7164 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/511 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru До 72-3 МЕТАЛЛИГАСКА 2N4261 200 м 122 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 15 30 май 10 мк (ICBO) Pnp 350 мВ @ 1MA, 10MA 30 @ 10ma, 1v -
BC32716TA Fairchild Semiconductor BC32716TA 0,0300
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 2000 45 800 млн 100NA Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть