RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Nomerprodookta	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Rraboч -yemperatura	МОНТАНАНГИП	PakeT / KORPUES	Baзowый nomer prodikta	Синла - МАКС	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Техниль	Статус Ройс	Вернояж	Доусейн Статуса	Дрогин ИНЕНА	Eccn	Htsus	Станодар	Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	Current - Collector (IC) (MMAKS)	Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS)	Это	Vce saturation (max) @ ib, ic	DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce	ASTOTA - PRERESHOD	Rerзystor - baзa (r1)	Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
ZXTN2010GTA	0,8200	RFQ	1	Дидж	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	261-4, 261AA	ZXTN2010	3 Вт	SOT-223-3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0075	1000	60	6 а	50na (ICBO)	Npn	260 мВ @ 300 май, 6A	100 @ 2a, 1v	130 мг
Jans2n5796uc	-	RFQ	9302	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА	ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/496	МАССА	Актифен	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	6-SMD, neTLIDERSTVA	2N5796	600 м	UC	-			DOSTISH	150-JANS2N5796UC			50	60	600 май	10 мк (ICBO)	2 PNP (DVOйNOй)	1,6 В @ 50 май, 500 маточков	100 @ 150 май, 10 В	-
MJ11033G	13.9700	RFQ	626	OnSemi	-	Поднос	Актифен	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-204AE	MJ11033	300 Вт	№ 204 года (3).	СКАХАТА	Rohs3	Neprigodnnый	DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	100	120	50 а	2MA	PNP - ДАРЛИНГТОН	3,5 В 500 май, 50a	1000 @ 25a, 5	-
NSBC143EDXV6T1G	0,4400	RFQ	7989	OnSemi	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен		Пефер	SOT-563, SOT-666	NSBC143	500 м	SOT-563	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0095	4000	50	100 май	500NA	2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй)	250 мВ @ 1MA, 10MA	15 @ 5ma, 10 В	-	4,7 КОМ	4,7 КОМ
2SC4617TLS	0,3000	RFQ	8	ROHM Semiconductor	-	Lenta и катахка (tr)	В аспекте	150 ° C (TJ)	Пефер	SC-75, SOT-416	2SC4617	150 м	Emt3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	3000	50	150 май	100NA (ICBO)	Npn	400 мВ @ 5ma, 50 ма	120 @ 1MA, 6V	180 мг
BD135-10-bp	-	RFQ	3775	МИКРОМЕР СО	-	МАССА	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	225AA, 126-3	BD135	1,25 Вт	126	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)			Ear99	8541.29.0095	1000	45	1,5 а	100NA (ICBO)	Npn	500 мВ @ 50 май, 500 матов	63 @ 150ma, 2v	-
MPSA12_D26Z	-	RFQ	4779	OnSemi	-	Lenta и катахка (tr)	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА	MPSA12	625 м	ДО 92-3	СКАХАТА		1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0095	2000	20	1,2 а	100NA	Npn - дарлино	1- @ 10 мк, 10 мая	20000 @ 10ma, 5 В	-
2SA1759T100P	-	RFQ	4664	ROHM Semiconductor	-	Lenta и катахка (tr)	Управо	150 ° C (TJ)	Пефер	243а	2SA1759	2 Вт	MPT3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	1000	400	100 май	10 мк (ICBO)	Pnp	500 мВ @ 2ma, 20 мая	82 @ 10ma, 10 В	12 мг
Mmun2213lt1g	0,1400	RFQ	16	OnSemi	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен		Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3	Mmun2213	246 м	SOT-23-3 (TO-236)	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0095	3000	50	100 май	500NA	Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen	250 мВ @ 300 мк, 10 мая	80 @ 5ma, 10 В		47 Kohms	47 Kohms
2scr513rtl	0,4700	RFQ	9	ROHM Semiconductor	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	150 ° C (TJ)	Пефер	SC-96	2SCR513	500 м	TSMT3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	3000	50	1 а	1 мка (ICBO)	Npn	350 м.	180 @ 50ma, 2v	360 мг
NTE2367	0,6800	RFQ	1	NTE Electronics, Inc.	-	Симка	Актифен		Чereз dыru	DO 226-3, DO-92-3 COROTCOE	NTE23	300 м	До 92-х Годо	СКАХАТА	Rohs3			2368-NTE2367	Ear99	8541.21.0095	1	50	100 май	500NA	Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen	300 м.	30 @ 10ma, 5 В	250 мг	4.7 Kohms	4.7 Kohms
MMBT2907ALT1HTSA1	0,3800	RFQ	69	Infineon Technologies	-	Lenta и катахка (tr)	Прохл	150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2907	330 м	PG-SOT23	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	3000	60	600 май	10NA (ICBO)	Pnp	1,6 В @ 50 май, 500 маточков	100 @ 150 май, 10 В	200 мг