SIC
close

Одино -игб (5058)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C
SGH15N60RUFDTU onsemi SGH15N60RUFDTU -
RFQ
 ECAD 3826 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 SGH15 Станода 160 Вт 12 вечера СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 300 В, 15А, 13 ОМ, 15 В 60 млн - 600 24 а 45 а 2,8 В @ 15 В, 15a 320 мкм (на), 356 мк (В.Клхэн) 42 NC 17ns/44ns
APT50GR120L Microchip Technology APT50GR120L 10.5700
RFQ
 ECAD 6455 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA APT50GR120 Станода 694 Вт 264 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 600 В, 50А, 4,3 ОМ, 15 Npt 1200 117 а 200 А. 3,2- 15-, 50А 2.14MJ (ON), 1,48MJ (OFF) 445 NC 28NS/237NS
STGD20N40LZ STMicroelectronics STGD20N40LZ 1.2089
RFQ
 ECAD 9717 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, PowerMesh ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 STGD20 Лейка 125 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 300 В, 10А, 1 кум, 5 - 390 25 а 40 А. 1,6 - @ 4V, 6a - 24 NC 700NS/4,3 мкс
IGW40N65F5AXKSA1 Infineon Technologies IGW40N65F5AXKSA1 -
RFQ
 ECAD 7711 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, TrenchStop ™ Трубка Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IGW40N Станода 250 Вт PG-TO247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001187504 Ear99 8541.29.0095 240 400 В, 20А, 15OM, 15 В Поящь 650 74 а 120 А. 2.1V @ 15V, 40a 350 мкж (wklючen), 100 мкд (В.Клнун) 95 NC 19ns/165ns
HGTG20N60A4D onsemi HGTG20N60A4D 3.1592
RFQ
 ECAD 6058 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 HGTG20N60 Станода 290 Вт 247-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 390 В, 20., 3 ОМ, 15 35 м - 600 70 а 280 А. 2,7 В @ 15 В, 20А 105 мкд (на), 150 мк (выключен) 142 NC 15NS/73NS
IXGH36N60B3 IXYS IXGH36N60B3 6.7100
RFQ
 ECAD 452 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXGH36 Станода 250 Вт DO-247AD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -IXGH36N60B3 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 30., 5OM, 15 Пет 600 92 а 200 А. 1,8 Е @ 15 В, 30А 540 мкд (на), 800 мк (В.Клхэн) 80 NC 19NS/125NS
AUIRGP4062D-E Infineon Technologies Auirgp4062d-e -
RFQ
 ECAD 2587 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Auirgp4062 Станода 250 Вт PG-TO247AD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 400 400 В, 24а, 10 м, 15 89 м - 600 48 а 72 а 1,95 В @ 15 В, 24а 115 мкж (wklючen), 600 мкд (vыklючen) 50 NC 41NS/104NS
IRG4BC10SPBF Infineon Technologies IRG4BC10SPBF -
RFQ
 ECAD 2336 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Станода 38 Вт ДО-220AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 480V, 8A, 100OM, 15 - 600 14 а 18 а 1,8 В @ 15 В, 8а 140 мкд (wklючen), 2,58mj (OFF) 15 NC 25NS/630NS
AOK20B120D1 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK20B120D1 3.3651
RFQ
 ECAD 7964 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha Igbt ™ Трубка В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 AOK20 Станода 340 Вт 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 240 600 В, 20., 15 ч, 15 - 1200 40 А. 80 а 1,8 В @ 15 В, 20А 940 мкж (В.Клхэн) 67,5 NC -/152ns
RGW00TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW00TK65GVC11 6.8800
RFQ
 ECAD 6578 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3PFM, SC-93-3 RGW00 Станода 89 Вт TO-3PFM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 450 400 В, 50 атмосфера, 10, 15 По -прежнему 650 45 а 200 А. 1,9 В @ 15 В, 50a 1,18MJ (ON), 960 мкд (OFF) 141 NC 52ns/180ns
IRG4PH40KDPBF Infineon Technologies IRG4PH40KDPBF -
RFQ
 ECAD 3827 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 160 Вт ДО-247AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 400 800 В, 15А, 10OM, 15 63 м - 1200 30 а 60 а 3,4 В @ 15 В, 15а 1,31mj (ON), 1,12MJ (OFF) 94 NC 50NS/96NS
AOTF20B65M1 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF20B65M1 2.7700
RFQ
 ECAD 579 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha Igbt ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 AOTF20 Станода 45 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 785-1770 Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 20А, 15OM, 15 В 322 м - 650 60 а 60 а 2.15V @ 15V, 20a 470 мкд (на), 270 мкд (выключен) 46 NC 26NS/122NS
STGDL6NC60DIT4 STMicroelectronics STGDL6NC60DIT4 -
RFQ
 ECAD 4602 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 STGDL6 Станода 50 st Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 390V, 3A, 10OM, 15V 23 млн - 600 13 а 18 а 2,9 В @ 15 В, 3А 32 мк (на), 24 мк (выключен) 12 NC 6,7NS/46NS
IKP20N60TAHKSA1 Infineon Technologies IKP20N60TAHKSA1 2.4819
RFQ
 ECAD 1757 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Трубка В аспекте -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IKP20N60 Станода 166 Вт PG-TO220-3-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 400 В, 20А, 12OM, 15 41 м По -прежнему 600 40 А. 60 а 2.05V @ 15V, 20a 770 мкм 120 NC 18ns/199ns
IRG4BC20MDPBF Infineon Technologies IRG4BC20MDPBF -
RFQ
 ECAD 5715 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Станода 60 ДО-220AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 480V, 11A, 50OM, 15 В 37 м - 600 18 а 36 а 2.1V @ 15V, 11A 410 мкд (wklючeno), 2,03mj (OFF) 39 NC 21ns/463ns
STGP10NB37LZ STMicroelectronics STGP10NB37LZ -
RFQ
 ECAD 3089 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Трубка Управо -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Stgp10 Станода 125 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 328V, 10A, 1KOM, 5V - 440 20 а 40 А. 1,8 В @ 4,5 v, 10a 2,4MJ (ON), 5MJ (OFF) 28 NC 1,3 мкс/8 мкс
NTE3311 NTE Electronics, Inc NTE3311 14.0400
RFQ
 ECAD 57 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 Станода 150 Вт 12 с СКАХАТА Rohs 2368-NTE3311 Ear99 8541.29.0095 1 - - 600 25 а 50 а 4 В @ 15 В, 25А - 400NS/500NS
IRG7PH42UD2PBF Infineon Technologies IRG7PH42UD2PBF -
RFQ
 ECAD 1763 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IRG7PH42 Станода 321 Вт ДО-247AC СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 600 В, 30., 10 м, 15 Поящь 1200 60 а 90 а 2.02V @ 15V, 30a 1,32MJ (OFF) 234 NC -/233ns
IRG4BC20SD-SPBF International Rectifier IRG4BC20SD-SPBF 1.1400
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Станода 60 D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 480V, 10A, 50OM, 15 В 37 м - 600 19 а 38 А. 1,6 -прри 15 В, 10A 320 мкд (wklючen), 2588 мк (В.Клэн) 27 NC 62NS/690NS
STGW40H65DFB-4 STMicroelectronics STGW40H65DFB-4 5.4400
RFQ
 ECAD 1083 0,00000000 Stmicroelectronics HB Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-4 STGW40 Станода 283 Вт 247-4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 40:00, 5OM, 15 62 м По -прежнему 650 80 а 160 а 2V @ 15V, 40a 200 мк (включен), 410 мк (выключен) 210 NC 40ns/142ns
STGF19NC60KD STMicroelectronics STGF19NC60KD 2.7200
RFQ
 ECAD 6359 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- STGF19 Станода 32 Вт 220FP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 480V, 12A, 10OM, 15V 31 м - 600 16 а 75 а 2,75 В @ 15 В, 12а 165 мкд (на), 255 мк (В.Клхэн) 55 NC 30NS/105NS
MGF65A3L Sanken MGF65A3L -
RFQ
 ECAD 1566 0,00000000 САНКЕН - МАССА Актифен 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 MGF65 Станода 217 Вт TO-3P-3L СКАХАТА ROHS COMPRINT 1261-MGF65A3L Ear99 8541.29.0095 1440 400 В, 30. 50 млн По -прежнему 650 50 а 90 а 1,96 В @ 15 В, 30А 600 мкд (wklючen), 600 мкд (В. 60 NC 30NS/90NS
HGTD3N60C3S Harris Corporation HGTD3N60C3S 1.0000
RFQ
 ECAD 5130 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Станода 33 Вт 252, (D-PAK) СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 - - 600 6 а 24 а 2V @ 15V, 3A - 13,8 NC -
MIW75N65F-BP Micro Commercial Co MIW75N65F-BP 9.5756
RFQ
 ECAD 3537 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 MIW75 Станода 395 Вт 247-3 СКАХАТА 353-MIW75N65F-BP Ear99 8541.29.0095 1 400V, 75A, 8OM, 15 По -прежнему 650 75 а 300 а 1,95, @ 15V, 75A 2,64MJ (ON), 920 мкд (OFF) 130 NC 34ns/183ns
SGL60N90DG3YDTU onsemi SGL60N90DG3YDTU -
RFQ
 ECAD 2961 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA SGL60 Станода 180 Вт 264-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 150 - 1,5 мкс Поящь 900 60 а 120 А. 2.7V @ 15V, 60a - 260 NC -
IXGH30N60A IXYS IXGH30N60A -
RFQ
 ECAD 9587 0,00000000 Ixys - Трубка Управо - Чereз dыru 247-3 IXGH30 Станода 200 th DO-247AD - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 - - 600 50 а 3v @ 15v, 30a - -
IRG4PSC71KPBF Infineon Technologies IRG4PSC71KPBF -
RFQ
 ECAD 5203 0,00000000 Infineon Technologies - Симка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО-274AA IRG4PSC71 Станода 350 Вт Super-247 ™ (TO-274AA) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 480 В, 60, 5OM, 15 - 600 85 а 200 А. 2,3 В @ 15 В, 60a 790 мкд (на), 1,98mj (OFF) 340 NC 34NS/54NS
SGB10N60AATMA1 Infineon Technologies SGB10N60AATMA1 -
RFQ
 ECAD 1775 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SGB10N Станода 92 Вт PG-TO263-3-2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 10A, 25OM, 15 Npt 600 20 а 40 А. 2.4V @ 15V, 10a 320 мкм 52 NC 28ns/178ns
FGB30N6S2DT onsemi FGB30N6S2DT -
RFQ
 ECAD 9962 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB FGB3 Станода 167 Вт D²PAK (DO 263) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 390V, 12A, 10OM, 15 В 46 м - 600 45 а 108 а 2,5 -пр. 15 - 55 мкж (wklючen), 100 мкд (vыklючen) 23 NC 6NS/40NS
IRG4PSH71UPBF Infineon Technologies IRG4PSH71UPBF -
RFQ
 ECAD 2726 0,00000000 Infineon Technologies - Симка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО-274AA IRG4PSH71 Станода 350 Вт Super-247 ™ (TO-274AA) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 960V, 70A, 5OM, 15V - 1200 99 а 200 А. 2.7V @ 15V, 70A 4,77mj (ON), 9,54MJ (OFF) 370 NC 51NS/280NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть