SIC
close

Одино -игб (5058)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C
IRG7CH73K10EF-R Infineon Technologies IRG7CH73K10EF-R -
RFQ
 ECAD 1579 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер Умират Irg7ch Станода Умират СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH SP001540592 Управо 0000.00.0000 1 600V, 75A, 5OM, 15 В - 1200 1,6 В @ 15 В, 20А - 420 NC 105NS/45NS
IRGP4066D-EPBF Infineon Technologies IRGP4066D-EPBF -
RFQ
 ECAD 3545 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IRGP4066 Станода 454 Вт DO-247AD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 400 400V, 75A, 10OM, 15 В 155 м Поящь 600 140 А. 225 а 2.1V @ 15V, 75A 2,47MJ (ON), 2,16MJ (OFF) 150 NC 50NS/200NS
IKD06N60R Infineon Technologies IKD06N60R -
RFQ
 ECAD 3176 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IKD06N Станода 100 y PG-TO252-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 400 В, 6, 23om, 15 В 68 м Поящь 600 12 а 18 а 2.1V @ 15V, 6a 330 мкм 48 NC 12NS/127NS
GT60N321(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT60N321 (Q) -
RFQ
 ECAD 5273 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru To-3pl GT60N321 Станода 170 Вт To-3p (LH) - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 100 - 2,5 мкс - 1000 60 а 120 А. 2,8 В @ 15 В, 60a - 330NS/700NS
NGTB20N120IHSWG onsemi NGTB20N120IHSWG -
RFQ
 ECAD 5581 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 NGTB20 Станода 156 Вт 247-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 600 В, 20. По -прежнему 1200 40 А. 120 А. 2.4V @ 15V, 20a 650 мк (В. 155 NC -/160ns
STGWA15H120DF2 STMicroelectronics STGWA15H120DF2 4.6800
RFQ
 ECAD 5842 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STGWA15 Станода 259 Вт 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 600 600 В, 15А, 10OM, 15 231 м По -прежнему 1200 30 а 60 а 2,6 - 15 -й, 15А 380 мкд (на), 370 мкд (выключен) 67 NC 23ns/111ns
IHW30N120R5XKSA1 Infineon Technologies IHW30N120R5XKSA1 4.8600
RFQ
 ECAD 421 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IHW30N120 Станода 330 Вт PG-TO247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 600 В, 30., 10 м, 15 По -прежнему 1200 60 а 90 а 1,85 В @ 15 В, 30А 1,1MJ (OFF) 235 NC -/330ns
IRGSL15B60KDPBF-INF Infineon Technologies IRGSL15B60KDPBF-INF 1.4100
RFQ
 ECAD 250 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA Станода 208 Вт 262 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 400 В, 15А, 22om, 15 Npt 600 31 а 62 а 2,2 -прри 15 В, 15А 220 мкм (wklючen), 340 мкд (vыklючen) 56 NC 34ns/184ns
IRGSL15B60KDPBF Infineon Technologies IRGSL15B60KDPBF -
RFQ
 ECAD 6338 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA Станода 208 Вт PG-TO262-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001546378 Ear99 8541.29.0095 50 400 В, 15А, 22om, 15 92 м Npt 600 31 а 62 а 2,2 -прри 15 В, 15А 220 мкм (wklючen), 340 мкд (vыklючen) 56 NC 34ns/184ns
AOK30B60D1 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK30B60D1 2.4924
RFQ
 ECAD 2202 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha Igbt ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 AOK30 Станода 208 Вт 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 785-1621-5 Ear99 8541.29.0095 240 400 В, 30. 120 млн - 600 60 а 96 а 2.4V @ 15V, 26a 1,1MJ (ON), 240 мкд (OFF) 34 NC 20NS/58NS
SGW20N60 Infineon Technologies SGW20N60 2.4800
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 179 Вт PG-TO247-3-21 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 122 400 В, 20А, 16, 15 Npt 600 40 А. 80 а 2.4V @ 15V, 20a 440 мкд (на), 330 мк (выключен) 100 NC 36NS/225NS
IRGP6630DPBF Infineon Technologies IRGP6630DPBF -
RFQ
 ECAD 2645 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 192 Вт ДО-247AC СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001548332 Ear99 8541.29.0095 400 400V, 18A, 22OM, 15 В 70 млн - 600 47 а 54 а 1,95 В @ 15 В, 18а 75 мкб (wklючen), 350 мк (В. 30 NC 40NS/95NS
STGW45NC60VD STMicroelectronics STGW45NC60VD -
RFQ
 ECAD 9099 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STGW45 Станода 270 Вт Долин. - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-9063-5 Ear99 8541.29.0095 30 390 В, 30. 45 м - 600 90 а 220 А. 2,4 В @ 15 В, 30А 333 мк (на), 537 мкд (выключен) 126 NC 33ns/178ns
STGFW20V60F STMicroelectronics STGFW20V60F 2.6500
RFQ
 ECAD 281 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack STGFW20 Станода 52 Вт To-3pf СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 20А, 15 В По -прежнему 600 40 А. 80 а 2,2 В прри 15 В, 20А 200 мкд (ON), 130 мкд (OFF) 116 NC 38NS/149NS
APT13GP120KG Microsemi Corporation APT13GP120К -
RFQ
 ECAD 2922 0,00000000 Microsemi Corporation Power MOS 7® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 APT13GP120 Станода 250 Вт DO-220 [K] СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 600 В, 13А, 5OM, 15 В Пет 1200 41 а 50 а 3,9 В @ 15 В, 13А 114 мк (на), 165 мкж (В.Клэн) 55 NC 9ns/28ns
IXGK72N60C3H1 IXYS IXGK72N60C3H1 -
RFQ
 ECAD 6303 0,00000000 Ixys - Трубка Актифен - Чereз dыru 264-3, 264AA Ixgk72 - TO-264 (IXGK) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 - - - - -
NGTD23T120F2WP onsemi NGTD23T120F2WP 3.1513
RFQ
 ECAD 6288 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер Умират NGTD23 Станода Умират СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 - По -прежнему 1200 120 А. 2,2 В прри 15 В, 25а - -
STGW10M65DF2 STMicroelectronics STGW10M65DF2 2.0600
RFQ
 ECAD 2690 0,00000000 Stmicroelectronics М Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STGW10 Станода 115 Вт 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-16969 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 10A, 22OM, 15 В 96 м По -прежнему 650 20 а 40 А. 2V @ 15V, 10a 120 мкд (на), 270 мк (выключен) 28 NC 19NS/91NS
FGD3440G2-F085V onsemi FGD3440G2-F085V -
RFQ
 ECAD 4838 0,00000000 OnSemi Automotive, AEC-Q101, EcoSpark® Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 FGD3440 Лейка 166 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 - - 400 26,9 а 1.2V @ 4V, 6a - 24 NC -
IXBF10N300C IXYS IXBF10N300C -
RFQ
 ECAD 4165 0,00000000 Ixys Bimosfet ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru i4 -pac ™ -5 (3 проводника) Ixbf10 Станода 240 Вт ISOPLUS I4-PAC ™ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 1500 В, 10A, 10OM, 15 700 млн - 3000 29 а 240 а 6V @ 15V, 10a 7,2MJ (ON), 1,04MJ (OFF) 208 NC 32NS/390NS
IRGSL6B60KDPBF International Rectifier IRGSL6B60KDPBF 1.0300
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA Станода 90 Вт 262 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 400 В, 5А, 100om, 15 В 70 млн Npt 600 13 а 26 а 2,2 В прри 15 В, 5А 110 мкд (на), 135 мкж (В.Клэн) 18,2 NC 25NS/215NS
IHW40N60RFKSA1 Infineon Technologies Ihw40n60rfksa1 3.6808
RFQ
 ECAD 8745 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Трубка Прохл -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IHW40 Станода 305 Вт PG-TO247-3-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 240 400 В, 40 A, 5,6 ОМ, 15 Поящь 600 80 а 120 А. 2.05V @ 15V, 40a 750 мк (В. 223 NC -/193ns
IRGP4063D1PBF Infineon Technologies IRGP4063D1PBF -
RFQ
 ECAD 7367 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IRGP4063D Станода 330 Вт ДО-247AC СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001537966 Ear99 8541.29.0095 25 400V, 48A, 10OM, 15 В 80 млн - 600 100 а 192 А. 2.14V @ 15V, 48A 1,4MJ (ON), 1,1MJ (OFF) 150 NC 60NS/160NS
STGW60H65DFB STMicroelectronics STGW60H65DFB 6.0200
RFQ
 ECAD 8405 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STGW60 Станода 375 Вт 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 60., 5OM, 15 60 млн По -прежнему 650 80 а 240 а 2V @ 15V, 60a 1,09MJ (ON), 626 мкд (OFF) 306 NC 51ns/160ns
IXGT50N60C2 IXYS Ixgt50n60c2 -
RFQ
 ECAD 1849 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-268-3, D³PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA Ixgt50 Станода 400 Вт DO-268AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 480V, 40A, 2OM, 15V Пет 600 75 а 300 а 2,7 В @ 15 В, 40a 380 мкд (vыklючen) 138 NC 18NS/115NS
IXXH100N60B3 IXYS IXXH100N60B3 16.2600
RFQ
 ECAD 2965 0,00000000 Ixys Genx3 ™, XPT ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXXH100 Станода 830 Вт TO-247AD (IXXH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 360V, 70A, 2OM, 15V Пет 600 220 А. 480 а 1,8 В @ 15V, 70A 1,9MJ (ON), 2MJ (OFF) 143 NC 30NS/120NS
IRG8P15N120KD-EPBF Infineon Technologies IRG8P15N120KD-EPBF -
RFQ
 ECAD 6389 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Irg8p Станода 125 Вт DO-247AD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001537560 Ear99 8541.29.0095 25 600 В, 10A, 10OM, 15 В 60 млн - 1200 30 а 30 а 2V @ 15V, 10a 600 мкд (wklючen), 600 мкд (В. 98 NC 15NS/170NS
AIKQ100N60CTXKSA1 International Rectifier AIKQ100N60CTXKSA1 -
RFQ
 ECAD 7069 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА Automotive, AEC-Q101, TrenchStop ™ МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 714 Вт PG-TO247-3 - 2156-AIKQ100N60CTXKSA1 1 400 В, 100A, 3,6 ОМ, 15 225 м Поящь 600 160 а 400 а 2V @ 15V, 100a 3,1mj (ON), 2,5MJ (OFF) 610 NC 30NS/290NS
FGA25N120ANTU onsemi FGA25N120ANTU -
RFQ
 ECAD 4741 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 FGA25N120 Станода 310 Вт 12 с СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 450 600 В, 25а, 10 м, 15 Npt 1200 40 А. 75 а 3,2- 15-, 25а 4,8MJ (ON), 1MJ (OFF) 200 NC 60NS/170NS
STGP18N40LZ STMicroelectronics STGP18N40LZ -
RFQ
 ECAD 1274 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STGP18 Лейка 150 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 300 В, 10А, 5 В - 420 30 а 40 А. 1,7 В @ 4,5 Е, 10a - 29 NC 650NS/13,5 мкс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть