SIC
close

Одино -игб (5058)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Манера В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C Оинка Кваликака
RGTVX2TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTVX2TS65GC11 6.7600
RFQ
 ECAD 418 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка В аспекте -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RGTVX2 Станода 319 Вт TO-247N СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RGTVX2TS65GC11 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 60 A, 10OM, 15 По -прежнему 650 111 а 240 а 1,9 В @ 15 В, 60a 2,08MJ (ON), 1,15MJ (OFF) 123 NC 49NS/150NS
KGF65A4L Sanken KGF65A4L -
RFQ
 ECAD 4467 0,00000000 САНКЕН - Трубка Актифен 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 KGF65 Станода 288 Вт 247-3 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1261-KGF65A4L Ear99 8541.29.0095 1440 400 В, 40:00, 10OM, 15 60 млн По -прежнему 650 65 а 120 А. 1,96 В @ 15 В, 40а 900 мкб (wklючen), 900 мк (В.Клнун) 75 NC 40NS/100NS
FGF65A3L Sanken FGF65A3L -
RFQ
 ECAD 9544 0,00000000 САНКЕН - МАССА Актифен 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack FGF65 Станода 72 Вт To-3pf СКАХАТА ROHS COMPRINT 1261-FGF65A3L Ear99 8541.29.0095 1440 400 В, 30. 50 млн По -прежнему 650 50 а 90 а 1,96 В @ 15 В, 30А 600 мкд (wklючen), 600 мкд (В. 60 NC 30NS/90NS
STGWA50H65DFB2 STMicroelectronics STGWA50H65DFB2 4.3600
RFQ
 ECAD 2892 0,00000000 Stmicroelectronics - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STGWA50 Станода 272 Вт Долин. - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-stgwa50h65dfb2 Ear99 8541.29.0095 600 400 В, 50А, 4,7 ОМ, 15 92 м По -прежнему 650 86 а 150 А. 2V @ 15V, 50a 910 мкд (на), 580 мкд (выключен) 151 NC 28ns/115ns
RJH65D27BDPQ-A0#T2 Renesas RJH65D27BDPQ-A0#T2 -
RFQ
 ECAD 7829 0,00000000 RerneзAs - МАССА Управо 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 375 Вт 247А - 2156-RJH65D27BDPQ-A0#T2 1 400 В, 50 атмосфера, 10, 15 80 млн Поящь 650 100 а 200 А. 1,65 В @ 15 В, 50a 1mj (vklючeno), 1,5mj (OFF) 175 NC 20NS/165NS
HGTP14N36G3VL Fairchild Semiconductor HGTP14N36G3VL -
RFQ
 ECAD 8017 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Лейка 100 y ДО-220AB - 2156-HGTP14N36G3VL 1 - Поящь 390 18 а 2.2V @ 5V, 14a - 24 NC -
RJP4301APP-00#T2 Renesas RJP4301APP-00#T2 -
RFQ
 ECAD 4204 0,00000000 RerneзAs - МАССА Управо - 2156-RJP4301APP-00#T2 1
AOT10B60M1 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT10B60M1 0,8005
RFQ
 ECAD 9339 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphaigbt ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 AOT10 Станода 83 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 785-AOT10B60M1TR Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 10А, 30 ОМ, 15 В - 600 20 а 25 а 2,9 В @ 15 В, 10а 190 мкд (на), 140 мк (выключен) 14 NC 5,5NS/61NS
AOGF60B65H2AL Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOGF60B65H2AL 2.1920
RFQ
 ECAD 6586 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphaigbt ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack AOGF60 Станода 74 Вт To-3pf СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 785-AOGF60B65H2AL Ear99 8541.29.0095 480 400 В, 60., 5OM, 15 318 м - 650 120 А. 180 А. 2,5- 15 -й, 60A 2,36MJ (ON), 1,17MJ (OFF) 84 NC 35NS/168NS
IRG4PH30K Infineon Technologies IRG4PH30K -
RFQ
 ECAD 2156 0,00000000 Infineon Technologies - Симка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 100 y ДО-247AC СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRG4PH30K Ear99 8541.29.0095 25 960 В, 10А, 23ohm, 15V - 1200 20 а 40 А. 4,2- 15-, 10A 640 мкд (на), 920 мкд (выключен) 53 NC 28ns/200ns
IRG6IC30U-110P Infineon Technologies IRG6IC30U-110P -
RFQ
 ECAD 9198 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо - Чereз dыru 220-3- IRG6IC30 Станода 43 Вт TO-220AB Full-Pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 - Поящь 330 28 а 2.38V @ 15V, 120a - -
IXDP20N60BD1 IXYS IXDP20N60BD1 -
RFQ
 ECAD 7775 0,00000000 Ixys - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IXDP20 Станода 140 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 300 В, 20.22, 15 40 млн Npt 600 32 а 40 А. 2,8 В @ 15 В, 20А 900 мкд (wklючen), 400 мкд (В.Клэн) 70 NC -
TIG065E8-TL-H onsemi TIG065E8-TL-H 0,8200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 8-SMD, Плоскин С.С. TIG065 Станода 8-ech СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 - - 400 150 А. 7 w @ 2,5 - -
APT15GP60BDLG Microsemi Corporation APT15GP60BDLG -
RFQ
 ECAD 1687 0,00000000 Microsemi Corporation - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 APT15GP60 Станода 250 Вт 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 400 В, 15А, 5OM, 15 В Пет 600 56 а 65 а 2,7 В @ 15 В, 15a 130 мкд (на), 121 мк (выключен) 55 NC 8ns/29ns
ISL9V3036S3ST-F085C onsemi ISL9V3036S3ST-F085C -
RFQ
 ECAD 8783 0,00000000 OnSemi - МАССА Прохл -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Лейка 150 Вт D²PAK-3 (DO 263-3) - 488-ISL9V3036S3ST-F085C Ear99 8541.29.0095 1 - 2,1 мкс - 360 21 а 1,6 - @ 4V, 6a - 17 NC 700NS/4,8 мкс Автомобиль AEC-Q101
AIGW50N65H5XKSA1 Infineon Technologies AIGW50N65H5XKSA1 7.7800
RFQ
 ECAD 3081 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ 5 Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 AIGW50 Станода 270 Вт PG-TO247-3-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 25А, 12OM, 15 Поящь 650 150 А. 2.1V @ 15V, 50a 490 мкд (на), 140 мкд (выключен) 1018 NC 21ns/156ns
APT25GR120B Microchip Technology APT25GR120B 5.5200
RFQ
 ECAD 107 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 APT25GR120 Станода 521 Вт 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 600 В, 25А, 4,3 ОМ, 15 Npt 1200 75 а 100 а 3,2- 15-, 25а 742 мкд (на), 427 мкд (выключен) 203 NC 16NS/122NS
WG50N65DHWQ WeEn Semiconductors WG50N65DHWQ 3.5500
RFQ
 ECAD 754 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 WG50N65D Станода 278 Вт 247-3 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 1740-WG50N65DHWQ Ear99 8541.29.0095 600 400 В, 50 атмосфера, 10, 15 105 м По -прежнему 650 91 а 200 А. 2V @ 15V, 50a 1,7MJ (ON), 600 мкд (OFF) 160 NC 66ns/163ns
IRG7CH75UEF-R Infineon Technologies IRG7CH75UEF-R -
RFQ
 ECAD 7405 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер Умират Irg7ch Станода Умират СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH SP001548040 Управо 0000.00.0000 1 600 В, 100A, 5OM, 15 В - 1200 2V @ 15V, 100a - 770 NC 120NS/890NS
IXGH17N100AU1 IXYS IXGH17N100AU1 -
RFQ
 ECAD 3770 0,00000000 Ixys - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXGH17 Станода 150 Вт DO-247AD СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH IXGH17N100AU1-NDR Ear99 8541.29.0095 30 800V, 17A, 82OM, 15 В 50 млн - 1000 34 а 68 а 4 В @ 15 В, 17а 3MJ (OFF) 100 NC 100NS/500NS
IGP10N60TATMA1 Infineon Technologies IGP10N60TATMA1 -
RFQ
 ECAD 4884 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Станода 110 Вт PG-TO220-3-1 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 400 В, 10A, 23OM, 15 Npt, ostanowopol 600 24 а 30 а 2.05V @ 15V, 10a 160 мкд (на), 270 мк (выключен) 62 NC 12NS/215NS
IKQB120N75CP2AKSA1 Infineon Technologies IKQB120N75CP2AKSA1 15.8800
RFQ
 ECAD 230 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Актифен - Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30
IRG4IBC30UDPBF International Rectifier IRG4IBC30UDPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 9741 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- Станода 45 Вт TO-220AB Full-Pak - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 480V, 12A, 23ohm, 15V 42 м - 600 17 а 68 а 2.1V @ 15V, 12A 380 мкд (на), 160 мкд (выключен) 50 NC 40NS/91NS
FGB30N6S2 Fairchild Semiconductor FGB30N6S2 0,9300
RFQ
 ECAD 5843 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Станода 167 Вт D2Pak (263) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 225 390V, 12A, 10OM, 15 В - 600 45 а 108 а 2,5 -пр. 15 - 55 мкж (wklючen), 100 мкд (vыklючen) 23 NC 6NS/40NS
APT43GA90B Microchip Technology APT43GA90B 6.3100
RFQ
 ECAD 1631 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Power MOS 8 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 APT43GA90 Станода 337 Вт ДО-247 [B] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 600 В, 25А, 4,7 ОМ, 15 Пет 900 78 А. 129 А. 3,1 - 15 -й, 25а 875 мкд (на), 425 мкд (выключен) 116 NC 12NS/82NS
IXGP7N60BD1 IXYS Ixgp7n60bd1 -
RFQ
 ECAD 2681 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Ixgp7 Станода 80 Вт 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 480V, 7A, 18OM, 15 В 35 м - 600 14 а 56 а 2V @ 15V, 7A 300 мк (В. 25 NC 10NS/100NS
IRG4RC10UTRLPBF Infineon Technologies IRG4RC10UTRLPBF -
RFQ
 ECAD 4568 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IRG4RC10U Станода 38 Вт D-PAK СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001547814 Ear99 8541.29.0095 3000 480V, 5A, 100om, 15 - 600 8,5 а 34 а 2.6V @ 15V, 5a 80 мкд (на), 160 мкд (выключен) 15 NC 19NS/116NS
SGP15N60XKSA1 Infineon Technologies SGP15N60XKSA1 -
RFQ
 ECAD 3718 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 SGP15N Станода 139 Вт PG-TO220-3-1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 400 В, 15А, 21 ОМ, 15 В Npt 600 31 а 62 а 2,4 -прри 15 В, 15А 570 мкм 76 NC 32NS/234NS
AUIRGS4062D1 International Rectifier Auirgs4062d1 3.3900
RFQ
 ECAD 450 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Auirgs4062 Станода 246 Вт D²Pak СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 400 В, 24а, 10 м, 15 102 м Поящь 600 59 а 72 а 1,77 В @ 15 В, 24а 532 мкд (на), 311 мкд (выключен) 77 NC 19NS/90NS
RGW00TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGW00TK65DGVC11 7.2700
RFQ
 ECAD 4787 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3PFM, SC-93-3 RGW00 Станода 89 Вт TO-3PFM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 50 атмосфера, 10, 15 95 м По -прежнему 650 45 а 200 А. 1,9 В @ 15 В, 50a 1,18MJ (ON), 960 мкд (OFF) 141 NC 52ns/180ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть