SIC
close

Одино -игб (5058)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Власта - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C
NGTB45N60S1WG onsemi NGTB45N60S1WG -
RFQ
 ECAD 3579 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 NGTB45 Станода 300 Вт 247-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400V, 45A, 10OM, 15 70 млн Поящь 600 90 а 180 А. 2.4V @ 15V, 45A 1,25MJ (ON), 530 мкд (OFF) 125 NC 72ns/132ns
HGTH20N50E1D Harris Corporation HGTH20N50E1D 3.4000
RFQ
 ECAD 325 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru До-218-3 Иолированажа Кладка, 218AC Станода 100 y ДО 218 ИСЛОЛИРОВАН СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 - - 500 20 а 35 а 3,2- прри 20 В, 35а - 33 NC -
RGT30TM65DGC9 Rohm Semiconductor RGT30TM65DGC9 2.8400
RFQ
 ECAD 944 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- RGT30 Станода 32 Вт DO-220NFM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 15А, 10OM, 15 55 м По -прежнему 650 14 а 45 а 2.1V @ 15V, 15a - 32 NC 18NS/64NS
AIKW20N60CTXKSA1 Infineon Technologies AIKW20N60CTXKSA1 6.5600
RFQ
 ECAD 4944 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, TrenchStop ™ Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 AIKW20 Станода 166 Вт PG-TO247-3-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001346790 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 20А, 12OM, 15 По -прежнему 600 40 А. 60 а 2.05V @ 15V, 20a 310 мкм (wklючen), 460 мкд (vыklючen) 120 NC 18ns/199ns
IXDR30N120D1 IXYS IXDR30N120D1 12.9400
RFQ
 ECAD 8336 0,00000000 Ixys - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ixdr30 Станода 200 th Isoplus247 ™ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 600 В, 30., 47 ОМ, 15 В 40 млн Npt 1200 50 а 60 а 2,9 В @ 15 В, 30А 4,6mj (ON), 3,4MJ (OFF) 120 NC -
SGP5N60RUFTU Fairchild Semiconductor Sgp5n60ruftu 0,5100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 SGP6N Станода 60 ДО-220 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 300 В, 5А, 40OM, 15 - 600 8 а 15 а 2.8V @ 15V, 5a 24 NC 13NS/34NS
IXYN120N65C3D1 IXYS Ixyn120n65c3d1 -
RFQ
 ECAD 3169 0,00000000 Ixys Genx3 ™, XPT ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI SOT-227-4, Minibloc Ixyn120 Станода 830 Вт SOT-227B - Rohs3 DOSTISH 238-IXYN120N65C3D1 Ear99 8541.29.0095 10 400 В, 50А, 2 ОМ, 15 В 29 млн Пет 650 190 А. 620 А. 2,8 Е @ 15 -n, 100a 1,25MJ (ON), 500 мкд (OFF) 265 NC 28ns/127ns
IXGP28N60A3M IXYS IXGP28N60A3M -
RFQ
 ECAD 9086 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка IXGP28 Станода 64 Вт До-220 Иолированая - 238-IXGP28N60A3M Ear99 8541.29.0095 50 480 В, 24а, 10 м, 15 В 26 млн Пет 600 38 А. 200 А. 1,4 В @ 15 В, 24а - 66 NC 18NS/300NS
AUIRGDC0250 Infineon Technologies Auirgdc0250 -
RFQ
 ECAD 2300 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Auirgdc Станода 543 Вт Super-220 ™ (TO-273AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 600V, 33A, 5OM, 15 - 1200 141 а 99 а 1,57 В @ 15 В, 33а 15mj (OFF) 227 NC -/485ns
AUIRGP35B60PD-E International Rectifier Auirgp35b60pd-e -
RFQ
 ECAD 2812 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Auirgp35b Станода 308 Вт ДО-247AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 390 В, 22а, 3,3 ОМ, 15 42 м Npt 600 60 а 120 А. 2.55V @ 15V, 35A 220 мкд (на), 215 мк (В.Клхэн) 240 NC 26NS/110NS
APT65GP60L2DQ2G Microchip Technology APT65GP60L2DQ2G 20,7000
RFQ
 ECAD 2283 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Power MOS 7® Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA APT65GP60 Станода 833 Вт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 400V, 65A, 5OM, 15 Пет 600 198 А. 250 а 2.7V @ 15V, 65A 605 мкд (на), 895 мк (В.Клхэн) 210 NC 30NS/90NS
IXGH60N30C3 IXYS IXGH60N30C3 -
RFQ
 ECAD 5887 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXGH60 Станода 300 Вт DO-247AD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 200, 30, 5ohm, 15 - 300 75 а 420 А. 1,8 В @ 15 В, 60a 150 мкд (на), 300 мк (выключен) 101 NC 23ns/108ns
IRGS6B60KTRLPBF International Rectifier IRGS6B60KTRLPBF 1.5500
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-IRGS6B60KTRLPBF-600047 1
FGH50T65SQD-F155 onsemi FGH50T65SQD-F155 5.7500
RFQ
 ECAD 7344 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 FGH50 Станода 268 Вт 247-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 12,5а, 4,7 ОМ, 15 31 м По -прежнему 650 100 а 200 А. 2.1V @ 15V, 50a 180 мкд (на), 45 мк (В.Клхэн) 99 NC 22NS/105NS
IXXP50N60B3 IXYS Ixxp50n60b3 7.6221
RFQ
 ECAD 2664 0,00000000 Ixys XPT ™, Genx3 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IXXP50 Станода 600 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 360V, 36A, 5OM, 15 В 40 млн - 600 120 А. 200 А. 1,8 В @ 15 В, 36а 670 мкд (на), 1,2MJ (OFF) 70 NC 27ns/150ns
BIDNW30N60H3 Bourns Inc. BIDNW30N60H3 3.9300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Bidnw30n Станода 230 Вт TO-247N-3L СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 118-bidnw30n60h3 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 30. 28 млн По -прежнему 600 60 а 120 А. 2V @ 15V, 30a 1,85MJ (ON), 450 мкд (OFF) 76 NC 30NS/67NS
NGTB50N120FL2WAG onsemi Ngtb50n120fl2wag 1.0000
RFQ
 ECAD 8914 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-NGTB50N120FL2WAG-488 1
APT30GS60BRDLG Microsemi Corporation APT30GS60BRDLG -
RFQ
 ECAD 7110 0,00000000 Microsemi Corporation - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 APT30GS60 Станода 250 Вт 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 400 В, 30., 9,1от, 15 Npt 600 54 а 113 а 3,15- 15-, 30A 570 мкд (В. 145 NC 16NS/360NS
FGA3060ADF onsemi FGA3060ADF 2.8800
RFQ
 ECAD 179 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 FGA3060 Станода 176 Вт 12 вечера СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 450 400 В, 30., 6om, 15 В 26 млн По -прежнему 600 60 а 90 а 2,3 В @ 15 В, 30А 960 мкд (на), 165 мкж (В.Клэн) 37,4 NC 12ns/42.4ns
NGTB40N65IHRWG onsemi Ngtb40n65ihrwg -
RFQ
 ECAD 4756 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 NGTB40 Станода 405 Вт 247-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 40:00, 10OM, 15 Поле 650 80 а 160 а 1,7 - @ 15V, 40a 420 мкм (В. 190 NC -
IKA08N65H5XKSA1 International Rectifier IKA08N65H5XKSA1 -
RFQ
 ECAD 2861 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА Trenchstop ™ 5 МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- Станода 31,2 Вт PG-TO220-3-111 - Rohs Продан 2156-IKA08N65H5XKSA1-600047 1 400V, 4A, 48OM, 15 40 млн По -прежнему 650 10,8 а 24 а 2.1V @ 15V, 8a 70 мкд (на), 30 мкд (выключен) 22 NC 11NS/115NS
STGF19NC60WD STMicroelectronics STGF19NC60WD 2.1800
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- STGF19 Станода 32 Вт 220FP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 390V, 12A, 10OM, 15 В 31 м - 600 14 а 2,5 -пр. 15 - 81 мкд (на), 125 мк (выключен) 53 NC 25NS/90NS
NGTD13T65F2SWK onsemi NGTD13T65F2SWK -
RFQ
 ECAD 5246 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер Умират NGTD13 Станода Умират СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 - По -прежнему 650 120 А. 2,2- 15-, 30A - -
RJP3047ADPK-80#T2 Renesas Electronics America Inc RJP3047ADPK-80#T2 3.6000
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.30.0080 1
63-9019 Infineon Technologies 63-9019 -
RFQ
 ECAD 5942 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо - - - - - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 1 - - - - -
SGB30N60 Infineon Technologies SGB30N60 -
RFQ
 ECAD 5148 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SGB30 Станода 250 Вт PG-TO263-3-2 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 400 В, 30., 11 ОМ, 15 В Npt 600 41 а 112 а 2,4 В @ 15 В, 30А 1,29MJ 140 NC 44NS/291NS
TIG032TS-TL-H onsemi TIG032TS-TL-H 0,3600
RFQ
 ECAD 225 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен TIG032 - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 3000
IRG7PH42UD-EP Infineon Technologies IRG7PH42UD-EP -
RFQ
 ECAD 4986 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IRG7PH Станода 320 Вт DO-247AD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 400 600 В, 30., 10 м, 15 153 м Поящь 1200 85 а 90 а 2V @ 15V, 30a 2.11mj (ON), 1,18MJ (OFF) 157 NC 25NS/229NS
AOTF15B60D Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF15B60D 1.3833
RFQ
 ECAD 8635 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha Igbt ™ Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- AOTF15 Станода 50 st DO-220F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 15А, 20 м., 15 В 196 м - 600 30 а 60 а 1,8 В @ 15 В, 15a 420 мкд (на), 110 мкд (выключен) 25,4 NC 21ns/73ns
STB1081SL3G onsemi STB1081SL3G 0,8000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен STB1081 - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0040 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть