SIC
close

Одино -игб (5058)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C
IXGT72N60A3-TRL IXYS Ixgt72n60a3-trl 8.7981
RFQ
 ECAD 4357 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-268-3, D³PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA Ixgt72 Станода 540 Вт 268 - Rohs3 DOSTISH 238-IXGT72N60A3-TRLTR Ear99 8541.29.0095 400 480V, 50a, 3oM, 15 34 м Пет 600 75 а 400 а 1,35 В @ 15 В, 60A 1,38MJ (ON), 3,5MJ (OFF) 230 NC 31ns/320ns
ISL9V2040D3ST onsemi ISL9V2040D3ST 1.6800
RFQ
 ECAD 483 0,00000000 OnSemi Ecospark® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 ISL9V2040 Лейка 130 Вт 252AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 300 В, 1 кум, 5 - 430 10 а 1,9 w @ 4V, 6a - 12 NC -/3,64 мкс
FGL40N120ANDTU onsemi FGL40N120ANDTU -
RFQ
 ECAD 4695 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA FGL40N120 Станода 500 Вт 264-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 600 В, 40, 5OM, 15 В 112 м Npt 1200 64 а 160 а 3,2- 15-, 40A 2,3MJ (ON), 1,1MJ (OFF) 220 NC 15NS/110NS
STGWT20HP65FB STMicroelectronics STGWT20HP65FB -
RFQ
 ECAD 6146 0,00000000 Stmicroelectronics HB Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 STGWT20 Станода 168 Вт 12 с - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 300 400 В, 20., 10 ч, 15 140 млн По -прежнему 650 40 А. 80 а 2V @ 15V, 20a 170 мк (В.Клхэн) 120 NC -/139ns
SFGH25N120FTDS onsemi SFGH25N120FTDS -
RFQ
 ECAD 1609 0,00000000 OnSemi Фт МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 SFGH25N Станода 313 Вт 247-3 - DOSTISH 488-SFGH25N120FTDS Ear99 8541.29.0095 1 600 В, 25а, 10 м, 15 535 м По -прежнему 1200 50 а 75 а 2V @ 15V, 25a 1,42MJ (ON), 1,16MJ (OFF) 169 NC 26ns/151ns
IRG4PSH71UDPBF International Rectifier IRG4PSH71UDPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 5303 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО-274AA Станода 350 Вт Super-247 (DO-274AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 960V, 70A, 5OM, 15V 110 млн - 1200 99 а 200 А. 2.7V @ 15V, 70A 8,8MJ (ON), 9,4MJ (OFF) 570 NC 46NS/250NS
RGPR30BM40HRTL Rohm Semiconductor RGPR30BM40HRTL 0,8260
RFQ
 ECAD 2776 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RGPR30 Станода 125 Вт 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 300 В, 8а, 100om, 5 В - 430 30 а 2.0V @ 5V, 10a - 22 NC 500NS/4 мкс
IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3 12.4200
RFQ
 ECAD 3343 0,00000000 Ixys Genx3 ™, XPT ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru ДО-247-2 IXXH150 Станода 1360 Вт DO-247AD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 75а, 2 ОМ, 15 Пет 600 300 а 150 А. 2,5 -прри 15-, 150A 3,4MJ (ON), 1,8MJ (OFF) 200 NC 34NS/120NS
RJH65T46DPQ-A0#T0 Renesas Electronics America Inc RJH65T46DPQ-A0#T0 5.5900
RFQ
 ECAD 261 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Трубка Актифен 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RJH65T46 Станода 340,9 247А СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -1161-RJH65T46DPQ-A0#T0 Ear99 8541.29.0095 25 400 В, 40:00, 10OM, 15 100 млн Поящь 650 80 а 2.4V @ 15V, 40a 450 мкд (на), 550 мк (выключен) 138 NC 45NS/170NS
IGP03N120H2 Infineon Technologies IGP03N120H2 1.0000
RFQ
 ECAD 8948 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Станода 62,5 PG-TO220-3-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 800V, 3A, 82OM, 15 - 1200 9,6 а 9,9 а 2.8V @ 15V, 3A 290 мкм 22 NC 9.2NS/281NS
IKW75N60H3 Infineon Technologies IKW75N60H3 1.0000
RFQ
 ECAD 8822 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 428 Вт PG-TO247-3-41 СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 1 400 В, 75а, 5,2 ОМ, 15 190 млн По -прежнему 600 80 а 225 а 2,3 В @ 15 В, 75а 3MJ (ON), 1,7MJ (OFF) 470 NC 31ns/265ns
STGW20NB60KD STMicroelectronics STGW20NB60KD -
RFQ
 ECAD 2225 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STGW20 Станода 170 Вт 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 480 В, 20. 80,5 млн - 600 50 а 100 а 2,8 В @ 15 В, 20А 675 мкд (на), 500 мкд (выключен) 85 NC 39NS/105NS
RGTV00TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGTV00TK65GVC11 6.8700
RFQ
 ECAD 440 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3PFM, SC-93-3 RGTV00 Станода 94 Вт TO-3PFM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 50 атмосфера, 10, 15 По -прежнему 650 45 а 200 А. 1,9 В @ 15 В, 50a 1,17mj (ON), 940 мкд (OFF) 104 NC 41NS/142NS
IXGX72N60A3H1 IXYS IXGX72N60A3H1 -
RFQ
 ECAD 2382 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 247-3 ВАРИАНТ IXGX72 Станода 540 Вт Plus247 ™ -3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 480V, 50a, 3oM, 15 140 млн Пет 600 75 а 400 а 1,35 В @ 15 В, 60A 1,4MJ (ON), 3,5MJ (OFF) 230 NC 31ns/320ns
IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies IKB10N60TATMA1 2.1300
RFQ
 ECAD 6365 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IKB10N Станода 110 Вт PG-TO263-3-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 10A, 23OM, 15 115 м Npt, ostanowopol 600 20 а 30 а 2.05V @ 15V, 10a 430 мкм 62 NC 12NS/215NS
IRG4CC50WC Infineon Technologies IRG4CC50WC -
RFQ
 ECAD 4254 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер Умират IRG4CC Станода Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 1 - 33 м - 600 27 а - - -
APT35GP120B2DQ2G Microchip Technology APT35GP120B2DQ2G -
RFQ
 ECAD 2948 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Power MOS 7® Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 247-3 ВАРИАНТ APT35GP120 Станода 543 Вт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 600 В, 35А, 4,3 ОМ, 15 Пет 1200 96 а 140 А. 3,9 В @ 15 В, 35а 750 мкд (на), 680 мкд (выключен) 150 NC 16NS/95NS
RJP30H1DPD-A0#Q2 Renesas Electronics America Inc RJP30H1DPD-A0#Q2 1.4800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 3000
IGC10T65U8QX1SA1 Infineon Technologies IGC10T65U8QX1SA1 -
RFQ
 ECAD 8806 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен - - - IGC10 - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 0000.00.0000 1 - - - - -
IGB30N60H3XKSA1 Infineon Technologies IGB30N60H3XKSA1 -
RFQ
 ECAD 8197 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Станода 187 Вт PG-TO263-3-2 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 30А, 10,5 ОМ, 15 По -прежнему 600 60 а 120 А. 2,4 В @ 15 В, 30А 730 мкж (wklючen), 440 мкд (vыklючen) 165 NC 18ns/207ns
IKD04N60R6EDV1 Infineon Technologies IKD04N60R6EDV1 -
RFQ
 ECAD 2362 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Станода 75 Вт PG-TO252-3-313 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 400V, 4A, 43OM, 15 43 м По -прежнему 600 8 а 12 а 2.1V @ 15V, 4a 90 мкд (на), 150 мк (выключен) 27 NC 14ns/146ns
AFGY160T65SPD-B4 onsemi AFGY160T65SPD-B4 15.0800
RFQ
 ECAD 9711 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q100 Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 AFGY160 Станода 882 Вт 247-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 488-AFGY160T65SPD-B4 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 160A, 5OM, 15 132 м По -прежнему 650 240 а 480 а 2.05V @ 15V, 160a 12,4MJ (ON), 5,7MJ (OFF) 245 NC 53ns/98ns
IRGB4615DPBF Infineon Technologies IRGB4615DPBF -
RFQ
 ECAD 5001 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Станода 99 Вт ДО-220AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 400 В, 8а, 47 ОМ, 15 В 60 млн - 600 23 а 24 а 1,85 Е @ 15V, 8a 70 мкд (на), 145 мк (выключен) 19 NC 30NS/95NS
MGF65A6L Sanken MGF65A6L -
RFQ
 ECAD 2296 0,00000000 САНКЕН - МАССА Актифен 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 MGF65 Станода 405 Вт TO-3P-3L СКАХАТА ROHS COMPRINT 1261-MGF65A6L Ear99 8541.29.0095 1440 400 В, 60 A, 10OM, 15 65 м По -прежнему 650 80 а 180 А. 1,96 В @ 15 В, 60a 1,7MJ (ON), 1,4MJ (OFF) 110 NC 50NS/130NS
STGW35NB60S STMicroelectronics STGW35NB60S -
RFQ
 ECAD 7163 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STGW35 Станода 200 th 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 480V, 20A, 100OM, 15 - 600 70 а 250 а 1,7 В @ 15 В, 20А 840 мкд (на), 7,4MJ (OFF) 83 NC 92NS/1,1 мкс
IKD03N60RFATMA1 Infineon Technologies IKD03N60RFATMA1 1.0300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IKD03N60 Станода 53,6 Вт PG-TO252-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 400 В, 2,5а, 68 Ом, 15 31 м По -прежнему 600 6,5 а 7,5 а 2,5 -пр. 15 В, 2,5а 50 мкд (на), 40 мкд (выключен) 17.1 NC 10NS/128NS
IRGB6B60KDPBF Infineon Technologies IRGB6B60KDPBF -
RFQ
 ECAD 1052 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Станода 90 Вт ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 5А, 100om, 15 В 70 млн Npt 600 13 а 26 а 2,2 В прри 15 В, 5А 110 мкд (на), 135 мкж (В.Клэн) 18,2 NC 25NS/215NS
IRG4BC30F-S Infineon Technologies IRG4BC30F-S -
RFQ
 ECAD 8211 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо - Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Станода 100 y D2Pak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *Irg4bc30f-s Ear99 8541.29.0095 50 480V, 17a, 23ohm, 15v - 600 31 а 120 А. 1,8 В @ 15 В, 17а 230 мкд (klючen), 11,18 мк (В.Клхейни) 51 NC 21ns/200ns
APT200GN60B2G Microchip Technology APT200GN60B2G 24.7600
RFQ
 ECAD 2452 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 APT200 Станода 682 Вт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 400 В, 200A, 1OM, 15 В По -прежнему 600 283 а 600 а 1,85 В @ 15 В, 200A 13MJ (ON), 11MJ (OFF) 1180 NC 50NS/560NS
IXGT4N250C IXYS Ixgt4n250c -
RFQ
 ECAD 9729 0,00000000 Ixys - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-268-3, D³PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA Ixgt4n250 Станода 150 Вт DO-268AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Q7066732 Ear99 8541.29.0095 30 1250V, 4A, 20OM, 15V Npt 2500 13 а 46 а 6V @ 15V, 4a 360 мк (В. 57 NC -/350ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть