SIC
close

Одино -игб (5058)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C
RGTH40TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTH40TS65GC11 -
RFQ
 ECAD 9653 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка В аспекте -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RGTH40 Станода 144 Вт TO-247N СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 20., 10 ч, 15 По -прежнему 650 40 А. 80 а 2.1V @ 15V, 20a - 40 NC 22ns/73ns
IRGIB15B60KD1P Infineon Technologies IRGIB15B60KD1P -
RFQ
 ECAD 5826 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- Станода 52 Вт TO-220AB Full-Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 400 В, 15А, 22om, 15 67 м Gneзdo 600 19 а 38 А. 2,2 -прри 15 В, 15А 127 мкд (на), 334 мкд (выключен) 56 NC 30ns/173ns
IRGS4B60KPBF Infineon Technologies IRGS4B60KPBF -
RFQ
 ECAD 7649 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRGS4B Станода 63 Вт D2Pak - Neprigodnnый DOSTISH SP001548296 Ear99 8541.29.0095 50 400V, 4A, 100OM, 15 В Gneзdo 600 12 а 24 а 2,5 -прри 15 В, 4а 73 мк (на), 47 мк (vыklючen) 12 NC 22ns/100ns
FGB40N6S2 Fairchild Semiconductor FGB40N6S2 3.0900
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Станода 290 Вт D2Pak (263) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 400 390 В, 20., 3 ОМ, 15 - 600 75 а 180 А. 2,7 В @ 15 В, 20А 115 мк (на), 195 мкж (В.Клэн) 35 NC 8NS/35NS
STGW50HF60SD STMicroelectronics STGW50HF60SD -
RFQ
 ECAD 9497 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STGW50 Станода 284 Вт 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 30. 67 м - 600 110 а 130 а 1,45 В @ 15 В, 30А 250 мкд (на), 4,2mj (OFF) 200 NC 50NS/220NS
MGF65A6H Sanken MGF65A6H -
RFQ
 ECAD 3613 0,00000000 САНКЕН - МАССА Актифен 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 MGF65 Станода 405 Вт TO-3P-3L СКАХАТА ROHS COMPRINT 1261-MGF65A6H Ear99 8541.29.0095 1440 400 В, 60 A, 10OM, 15 50 млн По -прежнему 650 80 а 100 а 2.37V @ 15V, 60a 1,4mj (wklючeno), 1,3mj (OFF) 110 NC 50NS/130NS
IRG7CH35UEF Infineon Technologies IRG7CH35UEF -
RFQ
 ECAD 1367 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер Умират Irg7ch Станода Умират СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH SP001536260 Управо 0000.00.0000 1 600 В, 20. - 1200 1,6 - @ 15V, 5a - 85 NC 30ns/160ns
MIW40N120F-BP Micro Commercial Co MIW40N120F-BP 6.6654
RFQ
 ECAD 6689 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 MIW40 Станода 277 Вт 247-3 СКАХАТА 353-MIW40N120F-BP Ear99 8541.29.0095 1 600V, 40a, 10OM, 15 В 367 м По -прежнему 1200 80 а 160 а 2,2- 15-, 40A 5,02MJ (ON), 2,72MJ (OFF) 240 NC 160NS/237NS
STGP6NC60H STMicroelectronics STGP6NC60H -
RFQ
 ECAD 3178 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STGP6 Станода 56 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 390V, 3A, 10OM, 15V 21 млн - 600 15 а 21 а 2,5- 15-, 3а 20 мкдж (wklючeno), 68 мкб (vыklючen) 13,6 NC 12NS/76NS
IXGR40N60C2D1 IXYS Ixgr40n60c2d1 -
RFQ
 ECAD 2482 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ixgr40 Станода 170 Вт Isoplus247 ™ СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 30А, 3 ОМ, 15 25 млн Пет 600 56 а 200 А. 2,7 В @ 15 В, 30А 200 мк (В.Клхэн) 95 NC 18NS/90NS
APT25GT120BRG Microchip Technology APT25GT120BRG 6.5100
RFQ
 ECAD 976 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Thunderbolt IGBT® Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 APT25GT120 Станода 347 Вт ДО-247 [B] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 800 В, 25А, 5OM, 15 Gneзdo 1200 54 а 75 а 3,7 В @ 15 В, 25а 930 мкд (на), 720 мк (выключен) 170 NC 14NS/150NS
FGY100T120RWD onsemi FGY100T120RWD 14.4700
RFQ
 ECAD 5960 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 247-3 ВАРИАНТ Станода 1495 Вт 247-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 488-FGY100T120RWD Ear99 8541.29.0095 450 600 В, 100A, 4,7 ОМ, 15 347 м Поле 1200 200 А. 300 а 1,75 Е @ 15 В, 100a 8,13MJ (ON), 7,05MJ (OFF) 427 NC 80NS/364NS
STGW30V60F STMicroelectronics STGW30V60F 3.6600
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STGW30 Станода 260 Вт 247 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 30. По -прежнему 600 60 а 120 А. 2,3 В @ 15 В, 30А 383 мк (на), 233 мк (vыklючen) 163 NC 45ns/189ns
NGTB75N65FL2WAG onsemi Ngtb75n65fl2wag -
RFQ
 ECAD 7715 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-4 NGTB75 Станода 536 Вт Дол. 247-4L СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 10OM, 15 В 90 млн Поле 650 200 А. 200 А. 2V @ 15V, 75A 610 мкд (wklючen), 1,2mj (OFF) 310 NC 23ns/157ns
APT30GP60BG Microchip Technology APT30GP60BG 7 9500
RFQ
 ECAD 3316 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Power MOS 7® Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 APT30GP60 Станода 463 Вт ДО-247 [B] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 400 В, 30., 5OM, 15 Пет 600 100 а 100 а 2,7 В @ 15 В, 30А 260 мкд (на), 250 мк (В. 90 NC 13NS/55NS
FGB40N6S2T onsemi FGB40N6S2T -
RFQ
 ECAD 1489 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB FGB4 Станода 290 Вт D²PAK (DO 263) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 390 В, 20., 3 ОМ, 15 - 600 75 а 180 А. 2,7 В @ 15 В, 20А 115 мк (на), 195 мкж (В.Клэн) 35 NC 8NS/35NS
IXGP48N60C3 IXYS IXGP48N60C3 -
RFQ
 ECAD 7904 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IXGP48 Станода 300 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 400 В, 30А, 3 ОМ, 15 Пет 600 75 а 250 а 2,5 -прри 15-, 30А 410 мкд (wklючen), 230 мк (В.Клнун) 77 NC 19NS/60NS
IRG7PH42U-EP Infineon Technologies IRG7PH42U-EP -
RFQ
 ECAD 2226 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IRG7PH42 Станода 385 Вт DO-247AD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 600 В, 30., 10 м, 15 153 м Поящь 1200 90 а 90 а 2V @ 15V, 30a 2.11mj (ON), 1,18MJ (OFF) 157 NC 25NS/229NS
IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies IKFW50N65EH5XKSA1 7.0800
RFQ
 ECAD 120 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IKFW50 Станода 124 Вт PG-HSIP247-3-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 40А, 15,1 ОМ, 15 52 м По -прежнему 650 59 а 160 а 2.1V @ 15V, 40a 1,2mj (wklючeno), 400 мкд (В. 95 NC 20NS/138NS
IRG6I330UPBF Infineon Technologies IRG6I330UPBF -
RFQ
 ECAD 9358 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- IRG6I330 Станода 43 Вт TO-220AB Full-Pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 196v, 25a, 10om Поящь 330 28 а 1,55 В @ 15 В, 28а - 86 NC 39NS/120NS
IRG4BC40KPBF-IR International Rectifier IRG4BC40KPBF-IR 1.0000
RFQ
 ECAD 6494 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА * МАССА Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1
STGW80V60DF STMicroelectronics STGW80V60DF 7.1900
RFQ
 ECAD 8394 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 OTKRыOTOGOGOGOGOGOG STGW80 Станода 469 Вт 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-14058-5 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 80A, 5OM, 15 В 60 млн По -прежнему 600 120 А. 240 а 2,3 В @ 15 В, 80a 1,8MJ (ON), 1MJ (OFF) 448 NC 60NS/220NS
IXGT60N60 IXYS Ixgt60n60 -
RFQ
 ECAD 4389 0,00000000 Ixys - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-268-3, D³PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA Ixgt60 Станода 300 Вт DO-268AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 480 В, 60А, 2,7 ОМ, 15 Пет 600 75 а 200 А. 1,7 В @ 15 В, 60a 8MJ (OFF) 130 NC 50NS/300NS
HGTG40N60A4 onsemi HGTG40N60A4 9.6900
RFQ
 ECAD 49 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 HGTG40 Станода 625 Вт 247-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 390 В, 40. - 600 75 а 300 а 2,7 В @ 15 В, 40a 400 мкд (wklючen), 370 мкд (vыklючen) 350 NC 25NS/145NS
SGB20N35CLT4 Motorola SGB20N35CLT4 1.0000
RFQ
 ECAD 6029 0,00000000 Motorola * МАССА Актифен SGB20N - Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 800
IKA10N60T Infineon Technologies Ika10n60t 1.0000
RFQ
 ECAD 5403 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- Станода 30 st PG-TO220-3-31 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 400 В, 10A, 23OM, 15 115 м По -прежнему 600 11,7 а 30 а 2.05V @ 15V, 10a 160 мкд (на), 270 мк (выключен) 62 NC 12NS/215NS
IRGP50B60PD1PBF-INF Infineon Technologies IRGP50B60PD1PBF-INF 1.0000
RFQ
 ECAD 9316 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 390 Вт ДО-247AC СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 390 В, 33а, 3,3, 15 42 м Gneзdo 600 75 а 150 А. 2,85 В @ 15 В, 50a 255 мкд (на), 375 мк (В.Клхэн) 205 NC 30ns/130ns
IXXX100N60B3H1 IXYS IXXX100N60B3H1 19.0680
RFQ
 ECAD 7026 0,00000000 Ixys Genx3 ™, XPT ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 247-3 ВАРИАНТ IXXX100 Станода 695 Вт Plus247 ™ -3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 360V, 70A, 2OM, 15V 140 млн Пет 600 200 А. 440 а 1,8 В @ 15V, 70A 1,9MJ (ON), 2MJ (OFF) 143 NC 30NS/120NS
IXYH30N120C3 IXYS Ixyh30n120c3 12.1100
RFQ
 ECAD 175 0,00000000 Ixys Genx3 ™, XPT ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ixyh30 Станода 500 Вт TO-247 (IXYH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 600 В, 30., 10 м, 15 - 1200 75 а 145 а 3,3- 15-, 30A 2,6mj (ON), 1,1MJ (OFF) 69 NC 19ns/130ns
IXYX300N65A3 IXYS Ixyx300n65a3 35.2647
RFQ
 ECAD 1357 0,00000000 Ixys XPT ™, Genx3 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 247-3 ВАРИАНТ Станода 2300 Вт Plus247 ™ -3 - Rohs3 DOSTISH 238-IXYX300N65A3 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 100A, 1 омер, 15 В 125 м Пет 650 600 а 1460 а 1,6- 15 -й. 7,8MJ (ON), 4,7MJ (OFF) 565 NC 42ns/190ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть