SIC
close

Одино -игб (5058)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Власта - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C
IRGP4063PBF Infineon Technologies IRGP4063PBF -
RFQ
 ECAD 1105 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IRGP4063 Станода 330 Вт ДО-247AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 400 400V, 48A, 10OM, 15 В Поящь 600 96 а 144 а 2.14V @ 15V, 48A 625 мкд (на), 1,28MJ (OFF) 95 NC 60NS/145NS
GPA030A120MN-FD SemiQ GPA030A120MN-FD -
RFQ
 ECAD 1512 0,00000000 Полук - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 Станода 329 Вт 12 вечера СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 600 В, 30., 10 м, 15 450 млн По -прежнему 1200 60 а 90 а 2,5 -прри 15-, 30А 4,5MJ (ON), 850 мкд (OFF) 330 NC 40NS/245NS
IRG4BC30U-SPBF Infineon Technologies IRG4BC30U-SPBF -
RFQ
 ECAD 1182 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRG4BC30U-SPBF Станода 100 y D2Pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 480V, 12A, 23ohm, 15V - 600 23 а 92 а 2.1V @ 15V, 12a 160 мкд (на), 200 мкд (выключен) 50 NC 17ns/78ns
HGT1S14N36G3VLS onsemi HGT1S14N36G3VLS -
RFQ
 ECAD 7239 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB HGT1S14 Лейка 100 y D²PAK (DO 263) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 300 В, 7А, 25OM, 5 В - 390 18 а 2.2V @ 5V, 14a - 24 NC -/7 мкс
IKFW50N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies IKFW50N60DH3EXKSA1 6.5900
RFQ
 ECAD 185 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IKFW50 Станода 130 Вт PG-TO247-3-AI СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 40 A, 8ohm, 15 64 м По -прежнему 600 40 А. 120 А. 2,7 В @ 15 В, 40a 1,28MJ (ON), 560 мкд (OFF) 160 NC 21ns/174ns
SGB15N120ATMA1 Infineon Technologies SGB15N120ATMA1 4.1344
RFQ
 ECAD 9747 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Прохл -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SGB15N Станода 198 Вт PG-TO263-3-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 800V, 15A, 33OM, 15 Npt 1200 30 а 52 а 3,6 В @ 15 В, 15a 1,9MJ 130 NC 18NS/580NS
IRG4PC50FPBF Infineon Technologies IRG4PC50FPBF -
RFQ
 ECAD 9586 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IRG4PC50 Станода 200 th ДО-247AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 400 480V, 39A, 5OM, 15V - 600 70 а 280 А. 1,6 В @ 15 В, 39а 370 мкд (на), 2,1mj (OFF) 190 NC 31NS/240NS
RGT40TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGT40TS65DGC13 9.3200
RFQ
 ECAD 7249 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RGT40 Станода 144 Вт DO-247G СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RGT40TS65DGC13 Ear99 8541.29.0095 600 400 В, 20., 10 ч, 15 58 м По -прежнему 650 40 А. 60 а 2.1V @ 15V, 20a - 40 NC 22NS/75NS
IKFW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies IKFW50N65ES5XKSA1 8.0600
RFQ
 ECAD 214 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IKFW50 Станода 127 Вт PG-HSIP247-3-2 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 40:00, 10OM, 15 69 м По -прежнему 650 74 а 160 а 1,7 - @ 15V, 40a 860 мкд (на), 400 мк (В.Клхэн) 95 NC 19ns/130ns
IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies IKFW75N65EH5XKSA1 9.1200
RFQ
 ECAD 4918 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ikfw75 Станода 148 Вт PG-HSIP247-3-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 60., 12om, 15 75 м По -прежнему 650 80 а 240 а 2.1V @ 15V, 60a 1,8MJ (ON), 600 мкд (В. 144 NC 30ns/206ns
IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies IKW30N60H3FKSA1 3.8900
RFQ
 ECAD 5267 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IKW30N60 Станода 187 Вт PG-TO247-3-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 30А, 10,5 ОМ, 15 38 м По -прежнему 600 60 а 120 А. 2,4 В @ 15 В, 30А 1,38MJ 165 NC 21ns/207ns
IRGIB4620DPBF International Rectifier IRGIB4620DPBF -
RFQ
 ECAD 8410 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - Трубка Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- Станода 140 Вт PG-TO220 Full Pack СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 50 400 В, 12A, 22OM, 15 В 68 м Npt 600 32 а 36 а 1,85 Е @ 15 В, 12A 185 мк (на), 355 мк (выключен) 25 NC 31ns/83ns
STGSB200M65DF2AG STMicroelectronics STGSB200M65DF2AG 24.1400
RFQ
 ECAD 150 0,00000000 Stmicroelectronics Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 9-Powersmd STGSB200 Станода 714 Вт 9-acepack smit - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-STGSB200M65DF2AG Ear99 8541.29.0095 200 400 В, 200a, 4,7 ОМ, 15 174,5 млн По -прежнему 650 216 а 700 а 2.05V @ 15V, 200a 3,82MJ (ON), 6,97MJ (OFF) 554 NC 122NS/250NS
IKFW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies IKFW40N65ES5XKSA1 7.4700
RFQ
 ECAD 99 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IKFW40 Станода 106 Вт PG-HSIP247-3-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 30., 13 ОМ, 15 75 м По -прежнему 650 60 а 120 А. 1,7 В @ 15 В, 30А 560 мкд (на), 320 мкд (выключен) 70 NC 17ns/124ns
RGWSX2TS65GC13 Rohm Semiconductor RGWSX2TS65GC13 6 8400
RFQ
 ECAD 5230 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RGWSX2 Станода 288 Вт DO-247G СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RGWSX2TS65GC13 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 60 A, 10OM, 15 По -прежнему 650 104 а 180 А. 2V @ 15V, 60a 1,43MJ (ON), 1,2MJ (OFF) 140 NC 55NS/180NS
HGTH20N40C1 Harris Corporation HGTH20N40C1 -
RFQ
 ECAD 6547 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru До-218-3 Иолированажа Кладка, 218AC Станода 100 y ДО 218 ИСЛОЛИРОВАН СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 53 - - 400 20 а 35 а 3,2- прри 20 В, 35а - 33 NC -
RGCL80TS60GC13 Rohm Semiconductor RGCL80TS60GC13 5.9400
RFQ
 ECAD 2877 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RGCL80 Станода 148 Вт DO-247G СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RGCL80TS60GC13 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 40:00, 10OM, 15 По -прежнему 600 65 а 160 а 1,8 В @ 15 В, 40a 1,11mj (ON), 1,68MJ (OFF) 98 NC 53NS/227NS
FGA90N33ATTU onsemi FGA90N33ATTU -
RFQ
 ECAD 9657 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 FGA90 Станода 223 Вт 12 с СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 - Поящь 330 90 а 330 А. 1,4 В @ 15 В, 20А - 95 NC -
IRGBC30S Infineon Technologies IRGBC30S -
RFQ
 ECAD 3570 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Станода 100 y ДО-220AB СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 - 600 34 а 2.2V @ 15V, 18a
FGD3245G2-F085 onsemi FGD3245G2-F085 2.3200
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 OnSemi Automotive, AEC-Q101, EcoSpark® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 FGD3245 Лейка 150 Вт 252AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 - - 450 23 а 1,25 h @ 4v, 6a - 23 NC 900NS/5,4 мкс
IXYX30N170CV1 IXYS Ixyx30n170cv1 25,4000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Ixys XPT ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 247-3 ВАРИАНТ Ixyx30 Станода 937 Вт Plus247 ™ -3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 850 В, 30А, 2,7о, 15 160 м - 1700 В. 108 а 255 а 3,7 В @ 15 В, 30А 5,9mj (ON), 3,3MJ (OFF) 140 NC 28NS/150NS
STGW35HF60WDI STMicroelectronics STGW35HF60WDI -
RFQ
 ECAD 5212 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STGW35 Станода 200 th 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-10074-5 Ear99 8541.29.0095 30 390 В, 20. 85 м - 600 60 а 150 А. 2,5 -прри 15-, 20А 185 мк (В.Клхэн) 140 NC 30ns/175ns
IKW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies IKW60N60H3FKSA1 8,7000
RFQ
 ECAD 240 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IKW60N60 Станода 416 Вт PG-TO247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 240 400 В, 60., 6om, 15 143 м По -прежнему 600 80 а 180 А. 2,3 В @ 15 В, 60a 2,1MJ (ON), 1,13MJ (OFF) 375 NC 27ns/252ns
HGTD3N60C3S9A onsemi HGTD3N60C3S9A -
RFQ
 ECAD 1428 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 HGTD3N60 Станода 33 Вт 252AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 480V, 3A, 82OM, 15V - 600 6 а 24 а 2V @ 15V, 3A 85 мкж (wklючen), 245 мк (В.Клнун) 10,8 NC -
IRG4RC10UTRL Infineon Technologies IRG4RC10UTRL -
RFQ
 ECAD 8381 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IRG4RC10U Станода 38 Вт D-PAK СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 480V, 5A, 100om, 15 - 600 8,5 а 34 а 2.6V @ 15V, 5a 80 мкд (на), 160 мкд (выключен) 15 NC 19NS/116NS
STGFW30V60F STMicroelectronics STGFW30V60F -
RFQ
 ECAD 3110 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack STGFW30 Станода 58 Вт To-3pf - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 300 400 В, 30. По -прежнему 600 60 а 120 А. 2,3 В @ 15 В, 30А 383 мк (на), 233 мк (vыklючen) 163 NC 45ns/189ns
IXBH20N300 IXYS IXBH20N300 44 8100
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 Ixys Bimosfet ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXBH20 Станода 250 Вт DO-247AD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 - 1,35 мкс - 3000 50 а 140 А. 3,2- 15-, 20А - 105 NC -
IRF7805ZTRPBFXTMA1 Infineon Technologies IRF7805ZTRPBFXTMA1 0,4779
RFQ
 ECAD 7472 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Актифен - Rohs3 448-IRF7805ZTRPBFXTMA1TR 4000
SGW5N60RUFDTM onsemi Sgw5n60rufdtm -
RFQ
 ECAD 2601 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо - Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SGW5N Станода 60 D²PAK (DO 263) - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 300 В, 5А, 40OM, 15 55 м - 600 8 а 15 а 2.8V @ 15V, 5a 88 мк (на), 107 мкж (В.Клэн) 16 NC 13NS/34NS
AUXMIGP4063D Infineon Technologies Auxmigp4063d -
RFQ
 ECAD 2315 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо - - - Auxmigp4063 - - - 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001591248 Управо 0000.00.0000 400 - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть