SIC
close

IGBT (8343)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Синла - МАКС Wshod ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) NTC Thermistor Odnana emcostath (cies) @ vce
VIO50-12P1 IXYS VIO50-12P1 -
RFQ
 ECAD 4628 0,00000000 Ixys - Коробка Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Eco-Pac2 Vio 208 Вт Станода Eco-Pac2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 Одинокий Npt 1200 49 а 3,7 В @ 15 В, 50a 1,1 ма Не 1,65 NF при 25 В
STGP35N35LZ STMicroelectronics STGP35N35LZ -
RFQ
 ECAD 9741 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Stgp35 Лейка 176 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 300 В, 15А, 5 В - 345 40 А. 80 а 1,7 В @ 4,5 a, 15a - 49 NC 1,1 мкс/26,5 мкс
FGA6530WDF onsemi FGA6530WDF -
RFQ
 ECAD 3414 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 FGA6530 Станода 176 Вт 12 вечера СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2832-FGA6530WDF Ear99 8541.29.0095 450 400 В, 30., 6om, 15 В 81 м По -прежнему 650 60 а 90 а 2,2- 15-, 30A 960 мкд (на), 162 мкд (выключен) 37,4 NC 12ns/42.4ns
VS-GB300TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB300TH120U -
RFQ
 ECAD 8038 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо 150 ° C (TJ) ШASCI Double Int-A-Pak (3 + 4) GB300 2119 Вт Станода Дзоно int-a-pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSGB300TH120U Ear99 8541.29.0095 12 Поломвинамос - 1200 530 А. 3,6 В @ 15 В, 300A 5 май Не 25,3 NF @ 30 V
FP25R12KT4B15BOSA1 Infineon Technologies FP25R12KT4B15BOSA1 -
RFQ
 ECAD 9451 0,00000000 Infineon Technologies Econopim ™ 2 МАССА Пркрэно -40 ° С ~ 150 ° С. ШASCI Модул FP25R12 160 Вт Станода Модул СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 Треоф По -прежнему 1200 25 а 2.15V @ 15V, 25a 1 май В дар 1,45 NF при 25 В
IRG4RC10KTRL Infineon Technologies IRG4RC10KTRL -
RFQ
 ECAD 9871 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IRG4RC10K Станода 38 Вт D-PAK СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 480V, 5A, 100om, 15 - 600 9 а 18 а 2,62 -прри 15 a, 5A 160 мкд (на), 100 мк (vыklючenen) 19 NC 11ns/51ns
APT65GP60B2G Microchip Technology APT65GP60B2G 18.1100
RFQ
 ECAD 115 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Power MOS 7® Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 247-3 ВАРИАНТ APT65GP60 Станода 833 Вт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 400V, 65A, 5OM, 15 Пет 600 100 а 250 а 2.7V @ 15V, 65A 605 мкд (на), 896 мк (В.Клхэн) 210 NC 30NS/91NS
RGS00TS65DHRC11 Rohm Semiconductor RGS00TS65DHRC11 5.4900
RFQ
 ECAD 8290 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Трубка В аспекте -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RGS00 Станода 326 Вт TO-247N СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 50 атмосфера, 10, 15 103 м По -прежнему 650 88 а 150 А. 2.1V @ 15V, 50a 1,46MJ (ON), 1,29MJ (OFF) 58 NC 36NS/115NS
IXYH75N65C3D1 IXYS Ixyh75n65c3d1 15.3200
RFQ
 ECAD 8549 0,00000000 Ixys XPT ™, Genx3 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ixyh75 Станода 750 Вт TO-247 (IXYH) - Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 238-IXYH75N65C3D1 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 60А, 3 ОМ, 15 65 м Пет 650 175 А. 360 а 2,3 В @ 15 В, 60a 2MJ (ON), 950 мкж (OFF) 122 NC 26ns/93ns
IFT150B12N3E4BOSA1 Infineon Technologies Ift150b12n3e4bosa1 235 8480
RFQ
 ECAD 4125 0,00000000 Infineon Technologies MIPAQ ™ Поднос В аспекте IFT150 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 0000.00.0000 10
IRGP4790PBF Infineon Technologies IRGP4790PBF -
RFQ
 ECAD 9588 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 455 Вт ДО-247AC СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 400V, 75A, 10OM, 15 В - 650 140 А. 225 а 2V @ 15V, 75A 2,5mj (ON), 2,2MJ (OFF) 210 NC 50NS/200NS
MIXA225RF1200TSF IXYS MixA225RF1200TSF -
RFQ
 ECAD 3268 0,00000000 Ixys - Коробка Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул MixA225 1100 Вт Станода Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3 Одинокий Пет 1200 360 а 2.1V @ 15V, 225A 300 мк В дар
SIGC05T60SNCX7SA1 Infineon Technologies SIGC05T60SNCX7SA1 -
RFQ
 ECAD 3870 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират SIGC05 Станода Умират - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 1 400V, 4A, 67OM, 15V Npt 600 4 а 12 а 2,5 -прри 15 В, 4а - 22ns/264ns
FS10R12VT3BOMA1 Infineon Technologies FS10R12VT3BOMA1 -
RFQ
 ECAD 8805 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Управо -40 ° C ~ 125 ° C. ШASCI Модул FS10R12 64 Вт Станода Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 40 Треоф - 1200 16 а 2.45V @ 15V, 10a 1 май Не 700 pf @ 25 v
IRG4BC15UDPBF International Rectifier IRG4BC15UDPBF -
RFQ
 ECAD 5419 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Станода 49 Вт ДО-220AB - Rohs Продан 2156-IRG4BC15UDPBF-600047 1 480V, 7,8A, 75OM, 15V 28 млн - 600 14 а 42 а 2,4 В прри 15 В, 7,8а 240 мкд (на), 260 мкд (выключен) 23 NC 17ns/160ns
FZ3600R17HE4HOSA2 Infineon Technologies FZ3600R17HE4HOSA2 1.0000
RFQ
 ECAD 9830 0,00000000 Infineon Technologies Ihm-b Поднос Актифен -40 ° С ~ 150 ° С. ШASCI Модул FZ3600 21000 вес Станода Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 Один - 1700 В. 7200 а 2,3 В. @ 15 В, 3600A 5 май Не 295 NF @ 25 V
IXBH10N300HV IXYS IXBH10N300HV 67.9210
RFQ
 ECAD 2574 0,00000000 Ixys Bimosfet ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Ixbh10 Станода 180 Вт ДО-263HV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 960 v, 10A, 10OM, 15 В 1,6 мкс - 3000 34 а 88 а 2.8V @ 15V, 10a - 46 NC 36NS/100NS
SIGC07T60NCX7SA1 Infineon Technologies SIGC07T60NCX7SA1 -
RFQ
 ECAD 5000 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират SIGC07 Станода Умират - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 1 300 В, 6, 54OM, 15 Npt 600 6 а 18 а 2,5 -прри 15 В, 6A - 21ns/110ns
CM200TU-12F Powerex Inc. CM200TU-12F -
RFQ
 ECAD 6539 0,00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ МАССА Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 590 Вт Станода Модул - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 Треоф Поящь 600 200 А. 2,2 В @ 15 В, 200A 1 май Не 54 NF @ 10 V
CM600DY-24A Powerex Inc. CM600DY-24A -
RFQ
 ECAD 6165 0,00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ МАССА Пркрэно -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 3670 Вт Станода Модул СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 Поломвинамос - 1200 600 а 3V @ 15V, 600A 1 май Не 94 NF @ 10 V
STGWS38IH130D STMicroelectronics STGWS38IH130D -
RFQ
 ECAD 9557 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STGWS38 Станода 180 Вт 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 960 -v, 20., 102, 15 В - 1300 В. 55 а 125 а 2,8 В @ 15 В, 20А 3,4MJ (OFF) 127 NC -/284ns
FGL40N150DTU Fairchild Semiconductor FGL40N150DTU -
RFQ
 ECAD 3389 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA Станода 200 th СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2 - 170 млн - 1500 40 А. 120 А. 4,5- 15-, 40A - 170 NC -
DDB6U100N16RRBPSA1 Infineon Technologies DDB6U100N16RRBPSA1 104 7500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Прохл 150 ° C (TJ) ШASCI Модул DDB6U100 350 Вт Станода Ag-Econo2a СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 15 Одинофан - 1200 50 а 3,2 В @ 20 В, 50a 1 май Не 3,3 NF @ 25 V
IXXH140N65C4 IXYS IXXH140N65C4 18.5723
RFQ
 ECAD 8236 0,00000000 Ixys XPT ™, Genx4 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 1200 Вт TO-247 (IXTH) - Rohs3 DOSTISH 238-IXXH140N65C4 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 75а, 4,7 ОМ, 15 90 млн Пет 650 320 А. 730 А. 2,3 В @ 15 В, 120a 4,9MJ (ON), 1,7MJ (OFF) 250 NC 43NS/240NS
IKA06N60TXKSA1 Infineon Technologies IKA06N60TXKSA1 2.0900
RFQ
 ECAD 922 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- IKA06N60 Станода 28 wt PG-TO220-3-31 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 400 В, 6, 23om, 15 В 123 м По -прежнему 600 10 а 18 а 2.05V @ 15V, 6a 200 мкм 42 NC 9.4ns/130ns
MIW40N65RA-BP Micro Commercial Co MIW40N65RA-BP 4.9700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 MIW40 Станода 306 Вт TO-247AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 353-MIW40N65RA-BP Ear99 8541.29.0095 1800 400 В, 40:00, 10OM, 15 По -прежнему 650 80 а 160 а 2.4V @ 15V, 40a 1,5mj (ON), 590 мкд (OFF) 160 NC 12NS/124NS
IXXN200N60C3H1 IXYS IXXN200N60C3H1 50.7490
RFQ
 ECAD 4555 0,00000000 Ixys XPT ™, Genx3 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SOT-227-4, Minibloc IXXN200 780 Вт Станода SOT-227B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 Одинокий Пет 600 200 А. 2.1V @ 15V, 100a 50 мк Не 9,9 nf @ 25 v
IKD15N60RF Infineon Technologies IKD15N60RF 1.0000
RFQ
 ECAD 7799 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Станода 250 Вт PG-TO252-3-313 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 400 В, 15А, 15OM, 15 В 74 м По -прежнему 600 30 а 45 а 2,5 -прри 15 В, 15А 270 мкд (на), 250 мкб (В.Клэн) 90 NC 13ns/160ns
IXGT6N170AHV-TRL IXYS Ixgt6n170ahv-trl 12.1676
RFQ
 ECAD 4672 0,00000000 Ixys - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-268-3, D³PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA Ixgt6n170 Станода 75 Вт TO-268HV (IXGT) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 238-IXGT6N170AHV-TRLTR Ear99 8541.29.0095 400 850V, 6A, 33OM, 15 40 млн - 1700 В. 6 а 14 а 7 В @ 15 В, 3а 590 мкд (на), 180 мкд (выключен) 18,5 NC 46NS/220NS
IRGB4045DPBF Infineon Technologies IRGB4045DPBF -
RFQ
 ECAD 5896 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Станода 77 Вт ДО-220AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001537650 Ear99 8541.29.0095 50 400V, 6A, 47OM, 15V 74 м Поящь 600 12 а 18 а 2V @ 15V, 6a 56 мкб (мклэн), 122 мк (В.Клэн) 13 NC 27ns/75ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть