SIC
close

IGBT (8343)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Nabahuvый nomer prodikta ТИПВ Синла - МАКС Wshod ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) NTC Thermistor Odnana emcostath (cies) @ vce
IXGT20N60B IXYS Ixgt20n60b -
RFQ
 ECAD 1227 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-268-3, D³PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA Ixgt20 Станода 150 Вт DO-268AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 480 В, 20. - 600 40 А. 80 а 2V @ 15V, 20a 150 мкд (на), 700 мк (выключен) 90 NC 15NS/150NS
IKP20N65F5XKSA1 Infineon Technologies IKP20N65F5XKSA1 2.0854
RFQ
 ECAD 2306 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IKP20N65 Станода 125 Вт PG-TO220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 400 В, 10А, 32 ОМ, 15 53 м Поящь 650 42 а 60 а 2.1V @ 15V, 20a 160 мкд (на), 60 мкд (выключен) 48 NC 20NS/165NS
STGWA30HP65FB STMicroelectronics STGWA30HP65FB -
RFQ
 ECAD 9203 0,00000000 Stmicroelectronics HB Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STGWA30 Станода 260 Вт Долин. - Rohs3 DOSTISH 497-stgwa30hp65fb Ear99 8541.29.0095 600 400 В, 30. 140 млн По -прежнему 650 60 а 120 А. 2V @ 15V, 30a 293 мкж (В.Клхен) 149 NC -/146ns
AIKQ200N75CP2XKSA1 Infineon Technologies AIKQ200N75CP2XKSA1 23.4900
RFQ
 ECAD 240 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 AIKQ200 Станода 576 Вт 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 - Поящь 750 200 А. 600 а - 15.3mj (ON), 7MJ (OFF) 1256 NC 89NS/266NS
STB1081L3 onsemi STB1081L3 0,8100
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен STB1081 - Rohs 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
IHFW40N65R5SXKSA1 Infineon Technologies IHFW40N65R5SXKSA1 6.5600
RFQ
 ECAD 429 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ihfw40 Станода 108 Вт PG-HSIP247-3-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 40А, 23,1 ОМ, 15 103 м По -прежнему 650 61 а 120 А. 2V @ 15V, 40a 1,52MJ (ON), 700 мкд (OFF) 142 NC 44ns/363ns
STGB30H60DLLFBAG STMicroelectronics STGB30H60DLLFBag 3.6300
RFQ
 ECAD 2592 0,00000000 Stmicroelectronics HB Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STGB30 Лейка 260 Вт D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 30А, 10OM, 5 В По -прежнему 600 60 а 120 А. 2.15V @ 5V, 30A 600 мкм (В. 110 NC -/320ns
IKW40N65F5FKSA1 Infineon Technologies IKW40N65F5FKSA1 55500
RFQ
 ECAD 2239 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IKW40N65 Станода 255 Вт PG-TO247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 20А, 15OM, 15 В 60 млн - 650 74 а 120 А. 2.1V @ 15V, 40a 360 мкд (на), 100 мк (В.Клхэн) 95 NC 19ns/160ns
IXSH15N120B IXYS IXSH15N120B -
RFQ
 ECAD 6559 0,00000000 Ixys - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXSH15 Станода 150 Вт DO-247AD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 960 В, 15А, 10OM, 15 В Пет 1200 30 а 60 а 3,4 В @ 15 В, 15а 1,5mj (OFF) 57 NC 30ns/148ns
VS-ENM040M60P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENM040M60P 64 7100
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay * Коробка Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 112-VS-ENM040M60P Ear99 8541.29.0095 100
RGT16NS65DGC9 Rohm Semiconductor RGT16NS65DGC9 2.7900
RFQ
 ECAD 663 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA RGT16 Станода 94 Вт 262 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 400 В, 8а, 10 м, 15 42 м По -прежнему 650 16 а 24 а 2.1V @ 15V, 8a - 21 NC 13NS/33NS
GT30J121(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT30J121 (Q) 3.3300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 GT30J121 Станода 170 Вт To-3p (n) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 300 В, 30., 242, 15 - 600 30 а 60 а 2,45 -прри 15-, 30А 1MJ (ON), 800 мкд (OFF) 90NS/300NS
IRGR4610DPBF International Rectifier IRGR4610DPBF -
RFQ
 ECAD 4991 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - Трубка Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Станода 77 Вт D-PAK - Rohs3 Ear99 8541.29.0095 75 400V, 6A, 47OM, 15V 74 м - 600 16 а 18 а 2V @ 15V, 6a 56 мкб (мклэн), 122 мк (В.Клэн) 13 NC 27ns/75ns
STGB8NC60KT4 STMicroelectronics STGB8NC60KT4 1.7100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STGB8 Станода 65 Вт D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 390V, 3A, 10OM, 15V - 600 15 а 30 а 2.75V @ 15V, 3A 55 мкд (wklючen), 85 мкб (В.Клнун) 19 NC 17ns/72ns
AOK10B60D Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK10B60D 2.0865
RFQ
 ECAD 6425 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha Igbt ™ Трубка В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 AOK10 Станода 163 Вт 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 785-1593-5 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 10А, 30 ОМ, 15 В 105 м - 600 20 а 40 А. 1,8 В @ 15 В, 10а 260 мкд (на), 70 мк (выключен) 17,4 NC 10NS/72NS
IKQ75N120CT2 Infineon Technologies IKQ75N120CT2 -
RFQ
 ECAD 4575 0,00000000 Infineon Technologies * МАССА Актифен СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 1
IKP04N60TXKSA1 Infineon Technologies IKP04N60TXKSA1 1.6800
RFQ
 ECAD 497 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IKP04N60 Станода 42 Вт PG-TO220-3-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 400V, 4A, 47OM, 15V 28 млн По -прежнему 600 8 а 12 а 2.05V @ 15V, 4a 143 мк 27 NC 14ns/164ns
IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies IKZ75N65EL5XKSA1 10.9400
RFQ
 ECAD 3114 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-4 IKZ75N65 Станода 536 Вт PG-TO247-4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 23ohm, 15V 59 м - 650 100 а 300 а 1,35 В @ 15V, 75A 1,57MJ (ON), 3,2MJ (OFF) 436 NC 120NS/275NS
VS-GB200TS60NPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB200TS60NPBF -
RFQ
 ECAD 7396 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Int-a-pak (3 + 4) GB200 781 Вт Станода Int-A-Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSGB200TS60NPBF Ear99 8541.29.0095 15 Поломвинамос Npt 600 209 а 2.84V @ 15V, 200a 200 мк Не
IRGS4630DTRRPBF Infineon Technologies IRGS4630DTRRPBF -
RFQ
 ECAD 5052 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Станода 206 Вт D2Pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001534256 Ear99 8541.29.0095 800 400V, 18A, 22OM, 15 В 100 млн - 600 47 а 54 а 1,95 В @ 15 В, 18а 95 мкд (на), 350 мк (выключен) 35 NC 40NS/105NS
GPA015A120MN-ND SemiQ GPA015A120MN-ND -
RFQ
 ECAD 1402 0,00000000 Полук - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 Станода 212 Вт 12 вечера СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 600 В, 15А, 10OM, 15 320 млн Npt и щит 1200 30 а 45 а 2,5 -прри 15 В, 15А 1,61MJ (ON), 530 мкд (OFF) 210 NC 25ns/166ns
CM1400E3U-24NF Powerex Inc. CM1400E3U-24NF -
RFQ
 ECAD 1914 0,00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ МАССА Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Модул 3900 Вт Станода Модул - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 10 Одинокий - 1200 1400 А. 2,5 Е @ 15 n, 1400A 1 май Не 220 NF @ 10 V
APTGT150A120D1G Microsemi Corporation APTGT150A120D1G -
RFQ
 ECAD 6590 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - ШASCI D1 700 Вт Станода D1 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 Поломвинамос По -прежнему 1200 220 А. 2.1V @ 15V, 150A 4 май Не 10,8 NF @ 25 V
MG200Q2YS60A Powerex Inc. MG200Q2YS60A -
RFQ
 ECAD 4217 0,00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ МАССА Управо -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 2000 Вт Станода Модул СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 Поломвинамос - 1200 200 А. 2.8V @ 15V, 200a 1 май Не 15 NF @ 10 V
IKZ75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Ikz75n65es5xksa1 9.5400
RFQ
 ECAD 4655 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-4 IKZ75N65 Станода 395 Вт PG-TO247-4 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 15А, 22,3 ОМ, 15 72 м Поящь 650 80 а 300 а 1,75 Е @ 15V, 75A 1,3mj (wklючeno), 1,5mj (OFF) 164 NC 46NS/405NS
MG1225H-XBN2MM Littelfuse Inc. MG1225H-XBN2MM -
RFQ
 ECAD 8629 0,00000000 Littelfuse Inc. - МАССА Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI Модул 105 Вт Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 80 Treхpaзnый -nertor -stormohom - 1200 25 а 1,7 - @ 15V, 25a 50 мк В дар 1.1 NF @ 25 V
FF225R17ME4B11BPSA1 Infineon Technologies FF225R17ME4B11BPSA1 221.5850
RFQ
 ECAD 1717 0,00000000 Infineon Technologies Econodual ™ 3 Поднос Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул FF225R17 1500 Вт Станода Ag-Econod СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 2 neзaviymый По -прежнему 1700 В. 340 а 2,3 В. @ 15 В, 225A 3 мая В дар 18,5 NF @ 25 V
HGTD10N40F1S Harris Corporation HGTD10N40F1S 0,8400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Станода 75 Вт 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 - - 400 12 а 2,5 -прри 10-, 5а - 13,4 NC -
FGP3440G2-F085 onsemi FGP3440G2-F085 3.0600
RFQ
 ECAD 770 0,00000000 OnSemi Automotive, AEC-Q101, EcoSpark® Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FGP3440 Лейка 166 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 - - 400 26,9 а 1.2V @ 4V, 6a - 24 NC 1 Млокс/5,3 мкс
FS100R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies FS100R12KT4GBOSA1 188.9300
RFQ
 ECAD 3273 0,00000000 Infineon Technologies Econopack ™ 3 Поднос В аспекте -40 ° С ~ 150 ° С. ШASCI Модул FS100R12 515 Вт Станода Модул СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 Треоф По -прежнему 1200 100 а 2,2- 15-, Щеотушитель 1 май В дар 6,3 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть