SIC
close

IGBT (8343)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Синла - МАКС Wshod ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) NTC Thermistor Odnana emcostath (cies) @ vce
FF450R12ME4B61BPSA1 Infineon Technologies FF450R12ME4B61BPSA1 133 5700
RFQ
 ECAD 8755 0,00000000 Infineon Technologies Econodual ™ 3 МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 2250 Вт Станода Ag-Econod-3-2 СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 2 Полевина мостеово По -прежнему 1200 675 а 2.1V @ 15V, 450A 3 мая В дар 28 NF @ 25 V
STGW25H120F2 STMicroelectronics STGW25H120F2 7.7800
RFQ
 ECAD 5933 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STGW25 Станода 375 Вт 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 600 В, 25а, 10 м, 15 По -прежнему 1200 50 а 100 а 2.6V @ 15V, 25a 600 мкд (klючen), 700 мкд (В. 100 NC 29ns/130ns
SIGC100T60R3EX1SA1 Infineon Technologies SIGC100T60R3EX1SA1 -
RFQ
 ECAD 7611 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер Умират SIGC100 Станода Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156 SIGC100T60R3EX1SA1-448 0000.00.0000 1 - По -прежнему 600 200 А. 600 а 1,9 В @ 15 В, 200A - -
APTCV60HM45BT3G Microchip Technology APTCV60HM45BT3G 120.6600
RFQ
 ECAD 8430 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SP3 APTCV60 250 Вт Станода SP3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 Powshitth wertotolet, polnыйmot По -прежнему 600 50 а 1,9 В @ 15 В, 50a 250 мк В дар 3,15 NF @ 25 V
FS300R17KE3BOSA1 Infineon Technologies FS300R17KE3BOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 9786 0,00000000 Infineon Technologies Econopack ™+ Поднос В аспекте -40 ° C ~ 125 ° C. ШASCI Модул FS300R17 1650 г. Станода Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4 Polnыйmost По -прежнему 1700 В. 375 а 2.45V @ 15V, 300A 3 мая В дар 27 nf @ 25 v
FGH40T120SMD-F155 onsemi FGH40T120SMD-F155 9.6300
RFQ
 ECAD 4809 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 FGH40 Станода 555 Вт 247-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 600V, 40a, 10OM, 15 В 65 м По -прежнему 1200 80 а 160 а 2.4V @ 15V, 40a 2,7MJ (ON), 1,1MJ (OFF) 370 NC 40NS/475NS
IXYH24N170C IXYS Ixyh24n170c 14.1300
RFQ
 ECAD 437 0,00000000 Ixys XPT ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ixyh24 Станода 500 Вт TO-247 (IXYH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 960 В, 30., 15 ч, 15 30 млн - 1700 В. 58 А. 145 а 3,8 В @ 15 В, 20А 4,9MJ (ON), 1,95MJ (OFF) 96 NC 12NS/160NS
IRG8P15N120KDPBF International Rectifier IRG8P15N120KDPBF 2.8000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 125 Вт ДО-247AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 0000.00.0000 1 600 В, 10A, 10OM, 15 В 60 млн - 1200 30 а 30 а 2V @ 15V, 10a 600 мкд (wklючen), 600 мкд (В. 98 NC 15NS/170NS
GSID100A120T2C1 SemiQ GSID100A120T2C1 -
RFQ
 ECAD 2280 0,00000000 Полук Amp+™ МАССА Управо -40 ° С ~ 150 ° С. ШASCI Модул GSID100 640 Вт Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta Модул СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3 Треоф - 1200 200 А. 2.1V @ 15V, 100a 1 май В дар 13,7 nf@ 25 v
RJH1CV6DPK-00#T0 Renesas Electronics America Inc RJH1CV6DPK-00#T0 5.7700
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- Станода 290 Вт 12 с СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Rjh1cv6dpk00t0 Ear99 8541.29.0095 1 600 В, 30., 5OM, 15 В 180 млн Поящный 1200 60 а 2,6 - 15-, 30А 2,3MJ (ON), 1,7MJ (OFF) 105 NC 46NS/125NS
AIMZH120R060M1TXKSA1 Infineon Technologies AIMZH120R060M1TXKSA1 14.0424
RFQ
 ECAD 9696 0,00000000 Infineon Technologies * Трубка Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 448-aimzh120r060m1txksa1 240
IXGH41N60 IXYS IXGH41N60 -
RFQ
 ECAD 6968 0,00000000 Ixys - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXGH41 Станода 200 th DO-247AD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 480V, 41A, 10OM, 15V - 600 76 а 152 а 1,6 -прри 15 В, 41а 8MJ (OFF) 120 NC 30NS/600NS
APTCV60TLM24T3G Microchip Technology APTCV60TLM24T3G 149 6800
RFQ
 ECAD 8362 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI Модул APTCV60 250 Вт Станода SP3 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 Тридж По -прежнему 600 100 а 1,9 В @ 15V, 75A 250 мк В дар 4,62 NF @ 25 V
IXGH20N140C3H1 IXYS IXGH20N140C3H1 -
RFQ
 ECAD 4108 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXGH20 Станода 250 Вт DO-247AD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 700 В, 20А, 5OM, 15 В 70 млн Пет 1400 42 а 108 а 5 В @ 15 В, 20А 1,35MJ (ON), 440 мкд (OFF) 88 NC 19NS/110NS
IKD04N60RATMA1 Infineon Technologies Ikd04n60ratma1 1.1100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IKD04N60 Станода 75 Вт PG-TO252-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 400V, 4A, 43OM, 15 43 м По -прежнему 600 8 а 12 а 2.1V @ 15V, 4a 90 мкд (на), 150 мк (выключен) 27 NC 14ns/146ns
IRG4BC30F-SPBF Infineon Technologies IRG4BC30F-SPBF -
RFQ
 ECAD 2890 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRG4BC30F-SPBF Станода 100 y D2Pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 480V, 17a, 23ohm, 15v - 600 31 а 120 А. 1,8 В @ 15 В, 17а 230 мкд (klючen), 11,18 мк (В.Клхейни) 51 NC 21ns/200ns
FS75R12N2T4B85BPSA1 Infineon Technologies FS75R12N2T4B85BPSA1 203.2627
RFQ
 ECAD 3806 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Актифен - Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 15
FP7G50US60 onsemi FP7G50US60 -
RFQ
 ECAD 4885 0,00000000 OnSemi Power-Spm ™ Трубка Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI EPM7 FP7G50 250 Вт Станода EPM7 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5 Поломвинамос - 600 50 а 2,8 В @ 15 В, 50a 250 мк Не 2,92 нф.
AIKB30N65DF5ATMA1 Infineon Technologies AIKB30N65DF5ATMA1 5.3300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB AIKB30 Станода 188 Вт PG-TO263-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 15А, 23om, 15 67 м По -прежнему 650 55 а 90 а 2.1V @ 15V, 30a 330 мкб (wklючen), 100 мкд (В.Клнун) 70 NC 25ns/188ns
RGS50TSX2DHRC11 Rohm Semiconductor RGS50TSX2DHRC11 10.6100
RFQ
 ECAD 406 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RGS50 Станода 395 Вт TO-247N СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RGS50TSX2DHRC11 Ear99 8541.29.0095 30 600 В, 25а, 10 м, 15 182 м По -прежнему 1200 50 а 75 а 2.1V @ 15V, 25a 1,4MJ (ON), 1,65MJ (OFF) 67 NC 37NS/140NS
FF450R12KE4HOSA1 Infineon Technologies FF450R12KE4HOSA1 213.3600
RFQ
 ECAD 2477 0,00000000 Infineon Technologies В Поднос Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул FF450R12 2400 Вт Станода Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 Поломвинамос По -прежнему 1200 520 А. 2.15V @ 15V, 450A 5 май Не 28 NF @ 25 V
FP75R12N2T4B16BPSA1 Infineon Technologies FP75R12N2T4B16BPSA1 184.2700
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 15
IXGK35N120B IXYS IXGK35N120B -
RFQ
 ECAD 1153 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA Ixgk35 Станода 350 Вт TO-264 (IXGK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 960V, 35A, 5OM, 15 В Пет 1200 70 а 140 А. 3,3- 15-, 35A 3,8MJ (OFF) 170 NC 50NS/180NS
SGH15N60RUFDTU onsemi SGH15N60RUFDTU -
RFQ
 ECAD 3826 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 SGH15 Станода 160 Вт 12 вечера СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 300 В, 15А, 13 ОМ, 15 В 60 млн - 600 24 а 45 а 2,8 В @ 15 В, 15a 320 мкм (на), 356 мк (В.Клхэн) 42 NC 17ns/44ns
FZ1200R33KF2CNOSA4 Infineon Technologies FZ1200R33KF2CNOSA4 -
RFQ
 ECAD 8685 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Управо -40 ° C ~ 125 ° C. ШASCI Модул FZ1200 14500 Вт Станода - СКАХАТА DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 Polnыйmost - 3300 В. 2000 А. 4,25 -пр. 15 -й, 1,2ka 12 май Не 150 NF @ 25 V
APT50GR120L Microchip Technology APT50GR120L 10.5700
RFQ
 ECAD 6455 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA APT50GR120 Станода 694 Вт 264 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 600 В, 50А, 4,3 ОМ, 15 Npt 1200 117 а 200 А. 3,2- 15-, 50А 2.14MJ (ON), 1,48MJ (OFF) 445 NC 28NS/237NS
STGD20N40LZ STMicroelectronics STGD20N40LZ 1.2089
RFQ
 ECAD 9717 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, PowerMesh ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 STGD20 Лейка 125 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 300 В, 10А, 1 кум, 5 - 390 25 а 40 А. 1,6 - @ 4V, 6a - 24 NC 700NS/4,3 мкс
APTGLQ50H65T3G Microchip Technology Aptglq50h65t3g 80.1407
RFQ
 ECAD 1550 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI Модул Aptglq50 175 Вт Станода Sp3f СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 Polnыйmost По -прежнему 650 70 а 2,3 В @ 15 В, 50a 50 мк В дар 3.1 NF @ 25 V
CM100TF-24H Powerex Inc. CM100TF-24H -
RFQ
 ECAD 8634 0,00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ МАССА Пркрэно -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 780 Вт Станода Модул - Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 Треоф - 1200 100 а 3,4 -прри 15 - 1 май Не 20 NF @ 10 V
FMG2G50US60 Fairchild Semiconductor FMG2G50US60 31.7500
RFQ
 ECAD 148 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 7 250 Вт Станода 7 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 15 Поломвинамос - 600 50 а 2,8 В @ 15 В, 50a 250 мк Не 3,46 NF @ 30 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть