SIC
close

IGBT (8343)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Синла - МАКС Wshod ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) NTC Thermistor Odnana emcostath (cies) @ vce
CM150TX-24S1 Powerex Inc. CM150TX-24S1 -
RFQ
 ECAD 1862 0,00000000 Powerex Inc. - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Модул 935 Вт Станода Модул СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 835-1149 Ear99 8541.29.0095 1 Тридж - 1200 150 А. 2.25V @ 15V, 150a 1 май В дар 15 NF @ 10 V
AOK20B60D1 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK20B60D1 2.0924
RFQ
 ECAD 4477 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha Igbt ™ Трубка В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 AOK20 Станода 167 Вт 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 240 400 В, 20А, 15OM, 15 В 107 м - 600 40 А. 74 а 2.4V @ 15V, 20a 760 мк (на), 180 мкд (выключен) 24,6 NC 20NS/66NS
IHW30N120R3FKSA1 Infineon Technologies IHW30N120R3FKSA1 -
RFQ
 ECAD 3253 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Трубка Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IHW30 Станода 349 Вт PG-TO247-3-1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 240 600 В, 30., 10 м, 15 - 1200 60 а 90 а 1,75 В @ 15 В, 30А 1,47MJ (OFF) 263 NC -/326NS
STGB40V60F STMicroelectronics STGB40V60F 3.1000
RFQ
 ECAD 2994 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STGB40 Станода 283 Вт D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-14978-2 Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 40:00, 10OM, 15 По -прежнему 600 80 а 160 а 2,3 В @ 15 В, 40a 456 мкд (на), 411 мк (выключен) 226 NC 52ns/208ns
AUIRGF65G40D0 Infineon Technologies AUIRGF65G40D0 -
RFQ
 ECAD 9587 0,00000000 Infineon Technologies Coolirigbt ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Auirgf65 Станода 625 Вт DO-247AD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001511798 Ear99 8541.29.0095 400 400 В, 20А, 4,7 ОМ, 15 41 м - 600 62 а 84 а 2,2 В прри 15 В, 20А 298 мк (на), 147 мк (выключен) 270 NC 35NS/142NS
AUIRGP65G40D0 Infineon Technologies AUIRGP65G40D0 -
RFQ
 ECAD 9215 0,00000000 Infineon Technologies Coolirigbt ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Auirgp65 Станода 625 Вт ДО-247AC СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 400 400 В, 20А, 4,7 ОМ, 15 41 м - 600 62 а 84 а 2,2 В прри 15 В, 20А 298 мк (на), 147 мк (выключен) 270 NC 35NS/142NS
IRG6B330UDPBF Infineon Technologies IRG6B330UDPBF -
RFQ
 ECAD 4113 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IRG6B330 Станода 160 Вт ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 196v, 25a, 10om 60 млн Поящь 330 70 а 2.76V @ 15V, 120a - 85 NC 47ns/176ns
IRG7PH42UD2-EP Infineon Technologies IRG7PH42UD2-EP -
RFQ
 ECAD 3818 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IRG7PH42 Станода 321 Вт DO-247AD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 600 В, 30., 10 м, 15 Поящь 1200 60 а 90 а 2.02V @ 15V, 30a 1,32MJ (OFF) 234 NC -/233ns
IRGP4690DPBF Infineon Technologies IRGP4690DPBF -
RFQ
 ECAD 7424 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 454 Вт ДО-247AC СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001534080 Ear99 8541.29.0095 25 400V, 75A, 10OM, 15 В 155 м - 600 140 А. 225 а 2.1V @ 15V, 75A 2,47MJ (ON), 2,16MJ (OFF) 150 NC 50NS/200NS
RGTH60TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTH60TS65GC11 3.7200
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка В аспекте -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RGTH60 Станода 197 Вт TO-247N СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 30. По -прежнему 650 58 А. 120 А. 2.1V @ 15V, 30a - 58 NC 27ns/105ns
MG12100D-BA1MM Littelfuse Inc. MG12100D-BA1MM -
RFQ
 ECAD 3120 0,00000000 Littelfuse Inc. - МАССА Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 1000 вес Станода D3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 60 Поломвинамос - 1200 160 а 1,8 В @ 15V, 100a (typ) 1 май Не 8,58 NF @ 25 V
MG06200S-BN4MM Littelfuse Inc. MG06200S-BN4MM -
RFQ
 ECAD 4236 0,00000000 Littelfuse Inc. - МАССА Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI S-3 МОДУЛЕР 600 Вт Станода S3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 Поломвинамос - 600 300 а 1.45V @ 15V, 200a (typ) 1 май Не 13 nf @ 25 v
MG12100S-BN2MM Littelfuse Inc. MG12100S-Bn2mm -
RFQ
 ECAD 2868 0,00000000 Littelfuse Inc. - МАССА Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI S-3 МОДУЛЕР 450 Вт Станода S3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 Поломвинамос По -прежнему 1200 140 А. 1,7 В @ 15 В, Щеота 1 май Не 7.1 NF @ 25 V
VS-50MT060PHTAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50MT060PHTAPBF 72.2800
RFQ
 ECAD 7222 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Hexfred® МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 12-MeTrowый модул 50mt060 305 Вт Станода 12-METROWый СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 112-VS-50MT060PHTAPBF 1 Поломвинамос По -прежнему 600 121 а 1,64 В @ 15 В, 50a 100 мк В дар 6000 pf @ 25 v
VS-GT75LA60UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT75LA60UF 40.2600
RFQ
 ECAD 4260 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FERED PT® МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI SOT-227-4, Minibloc GT75 231 Вт Станода SOT-227 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 112-VS-GT75LA60UF 1 Одинофан По -прежнему 600 81 а 2.26V @ 15V, 70A 100 мк Не
FT150R12KE3B5BOSA1 Infineon Technologies FT150R12KE3B5BOSA1 -
RFQ
 ECAD 3694 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен - - - FT150 - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP000083610 Ear99 8541.29.0095 1 - - -
STGB7NC60HDT4 STMicroelectronics STGB7NC60HDT4 2.3700
RFQ
 ECAD 9276 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STGB7 Станода 80 Вт D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 390V, 7A, 10OM, 15 В 37 м - 600 25 а 50 а 2,5 -прри 15 В, 7A 95 мкд (на), 115 мкж (В.Клэн) 35 NC 18.5ns/72ns
IRGP6630DPBF Infineon Technologies IRGP6630DPBF -
RFQ
 ECAD 2645 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 192 Вт ДО-247AC СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001548332 Ear99 8541.29.0095 400 400V, 18A, 22OM, 15 В 70 млн - 600 47 а 54 а 1,95 В @ 15 В, 18а 75 мкб (wklючen), 350 мк (В. 30 NC 40NS/95NS
APTGT75SK120TG Microchip Technology APTGT75SK120TG 89 6700
RFQ
 ECAD 4707 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SP4 Aptgt75 357 Вт Станода SP4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 Одинокий По -прежнему 1200 110 а 2.1V @ 15V, 75A 250 мк В дар 5,34 NF @ 25 V
FP150R12KT4BPSA1 Infineon Technologies FP150R12KT4BPSA1 388.9400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Infineon Technologies Econopim ™ 3 Поднос Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул FP150R12 Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 Треоф По -прежнему 1200 150 А. 2.1V @ 15V, 150A 1 май В дар 9,35 NF @ 25 V
CPV363M4U Vishay General Semiconductor - Diodes Division CPV363M4U -
RFQ
 ECAD 1226 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 19-sip (13 лДОВ), IMS-2 CPV363 36 Вт Станода IMS-2 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 160 Треоф - 600 13 а 2V @ 15V, 13a 250 мк Не 1.1 NF @ 30 V
IRGTI090U06 Infineon Technologies IRGTI090U06 -
RFQ
 ECAD 4999 0,00000000 Infineon Technologies - Управо - ШASCI Int-a-pak (3 + 4) 298 Вт Станода Int-A-Pak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 Поломвинамос - 600 90 а 3V @ 15V, 90A 1 май Не 5,8 NF @ 30
IRG4PC30UPBF Infineon Technologies IRG4PC30UPBF -
RFQ
 ECAD 5777 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IRG4PC30 Станода 100 y ДО-247AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 400 480V, 12A, 23ohm, 15V - 600 23 а 92 а 2.1V @ 15V, 12A 160 мкд (на), 200 мкд (выключен) 50 NC 17ns/78ns
FGH40T120SMDL4 onsemi FGH40T120SMDL4 -
RFQ
 ECAD 1558 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-4 FGH40 Станода 555 Вт 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 450 600V, 40a, 10OM, 15 В 65 м По -прежнему 1200 80 а 160 а 2.4V @ 15V, 40a 2,24mj (ON), 1,02MJ (OFF) 370 NC 44NS/464NS
SKB04N60ATMA1 Infineon Technologies SKB04N60ATMA1 -
RFQ
 ECAD 4618 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SKB04N Станода 50 st PG-TO263-3-2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 400V, 4A, 67OM, 15V 180 млн Npt 600 9,4 а 19 а 2.4V @ 15V, 4a 131 мкм 24 NC 22NS/237NS
STGF7H60DF STMicroelectronics STGF7H60DF 1.6500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- STGF7 Станода 24 220FP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-16017-5 Ear99 8541.29.0095 50 400V, 7A, 47OM, 15 136 м По -прежнему 600 14 а 28 а 1,95, @ 15 В, 7а 99 мкд (на), 100 мкд (выключен) 46 NC 30ns/160ns
APTGT150DA120TG Microsemi Corporation APTGT150DA120TG -
RFQ
 ECAD 1594 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - ШASCI SP4 690 Вт Станода SP4 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 Одинокий Npt 1200 220 А. 2.1V @ 15V, 150A 350 мка В дар 10,7 nf@ 25 v
APTGF75DDA120TG Microsemi Corporation APTGF75DDA120TG -
RFQ
 ECAD 8001 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - ШASCI SP4 500 Вт Станода SP4 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 ДОН, ОБИГИЯ ИСТОХАНЕК Npt 1200 100 а 3,7 - @ 15V, 75A 250 мк В дар 5,1 NF @ 25 V
GB100XCP12-227 GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227 -
RFQ
 ECAD 4226 0,00000000 Genesnыйpoluprovovodonyk - МАССА Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI SOT-227-4 Станода SOT-227 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 10 Одинокий Пет 1200 100 а 2V @ 15V, 100a 1 май Не 8,55 NF @ 25 V
CM200RL-12NF Powerex Inc. CM200RL-12NF -
RFQ
 ECAD 9145 0,00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ МАССА Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 890 Вт Станода Модул СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 Treхpaзnый -nertor -stormohom - 600 200 А. 2,2 В @ 15 В, 200A 1 май Не 30 NF @ 10 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть