SIC
close

IGBT (8343)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Синла - МАКС Wshod ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) NTC Thermistor Odnana emcostath (cies) @ vce
FP25R12KS4CBPSA1 Infineon Technologies FP25R12KS4CBPSA1 158.4580
RFQ
 ECAD 3581 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Прохл -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI Модул FP25R12 230 Вт Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta Ag-Econo2b СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 15 Треоф - 1200 40 А. 3,7- 15-, 25а 5 май В дар 1,5 NF @ 25 V
IRG4PSC71KPBF International Rectifier IRG4PSC71KPBF 5.4900
RFQ
 ECAD 175 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО-274AA Станода 350 Вт Super-247 ™ (TO-274AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 480 В, 60, 5OM, 15 - 600 85 а 200 А. 2,3 В @ 15 В, 60a 790 мкд (на), 1,98mj (OFF) 340 NC 34NS/54NS
IXSK40N60BD1 IXYS Ixsk40n60bd1 -
RFQ
 ECAD 7512 0,00000000 Ixys - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA IXSK40 Станода 280 Вт TO-264AA (IXSK) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 480 В, 40., 2,7о, 15 35 м - 600 75 а 150 А. 2,2- 15-, 40A 1,8MJ (OFF) 190 NC 50NS/110NS
IRGB10B60KDPBF Infineon Technologies IRGB10B60KDPBF -
RFQ
 ECAD 3570 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IRGB10 Станода 156 Вт ДО-220AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 10А, 47 ОМ, 15 В 90 млн Npt 600 22 а 44 а 2,2- 15-, 10A 140 мкд (на), 250 мк (выключен) 38 NC 30NS/230NS
FS20R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies FS20R06W1E3BOMA1 38.0000
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Infineon Technologies EasyPack ™ Поднос Актифен -40 ° С ~ 150 ° С. ШASCI Модул FS20R06 135 Вт Станода Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 24 Треоф По -прежнему 600 35 а 2V @ 15V, 20a 1 май В дар 1.1 NF @ 25 V
SGR2N60UFDTF onsemi Sgr2n60ufdtf -
RFQ
 ECAD 5237 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Sgr2n Станода 25 Вт 252AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 300 В, 1,2а, 200, 15 - 600 2,4 а 10 а 2,6 -прри 15 В, 1,2а 30 мкд (на), 13 мкд (выключен) 9 NC 15NS/80NS
IXGR60N60C2G1 IXYS Ixgr60n60c2g1 -
RFQ
 ECAD 9605 0,00000000 Ixys - Трубка Управо - Чereз dыru 247-3 Ixgr60 Станода Isoplus247 ™ - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 - - 600 75 а - - -
IGC20T60TEX7SA1 Infineon Technologies IGC20T60TEX7SA1 -
RFQ
 ECAD 1378 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен - - - IGC20 - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 0000.00.0000 1 - - - - -
IXBX55N300 IXYS IXBX55N300 90.9480
RFQ
 ECAD 9891 0,00000000 Ixys Bimosfet ™ Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 247-3 ВАРИАНТ IXBX55 Станода 625 Вт Plus247 ™ -3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 - 1,9 мкс - 3000 130 а 600 а 3,2- 15-, 55A - 335 NC -
IRG4PH50UDPBF International Rectifier IRG4PH50UDPBF -
RFQ
 ECAD 3601 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 200 th ДО-247AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 800 В, 24а, 5om, 15 90 млн - 1200 45 а 180 А. 3,7 В @ 15 В, 24а 2,1mj (wklючeno), 1,5mj (OFF) 160 NC 47NS/110NS
IXGH34N60B2 IXYS IXGH34N60B2 -
RFQ
 ECAD 6416 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXGH34 Станода 190 Вт DO-247AD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 24а, 5 ОМ, 15 - 600 70 а 150 А. 1,55 В @ 15 В, 24а 640 мкд (vыklючen) 66 NC 13NS/150NS
IRGC75B60UB Infineon Technologies IRGC75B60UB -
RFQ
 ECAD 8671 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо - Пефер Умират Станода Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 1 - Npt 600 75 а 2,9 В @ 15 В, 75A - -
IXYH20N120C4 IXYS Ixyh20n120c4 16.7567
RFQ
 ECAD 4699 0,00000000 Ixys - Трубка Актифен - Rohs3 DOSTISH 238-IXYH20N120C4 Ear99 8541.29.0095 30
IRGS4615DPBF Infineon Technologies IRGS4615DPBF -
RFQ
 ECAD 2161 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Станода 99 Вт D2Pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 400 В, 8а, 47 ОМ, 15 В 60 млн - 600 23 а 24 а 1,85 Е @ 15V, 8a 70 мкд (на), 145 мк (выключен) 19 NC 30NS/95NS
IRGS4615DPBF International Rectifier IRGS4615DPBF 1.2700
RFQ
 ECAD 711 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - Трубка Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Станода 99 Вт D2Pak СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 236 400 В, 8а, 47 ОМ, 15 В 60 млн - 600 23 а 24 а 1,85 Е @ 15V, 8a 70 мкд (на), 145 мк (выключен) 19 NC 30NS/95NS
CM100DY-24NF Powerex Inc. CM100DY-24NF -
RFQ
 ECAD 6949 0,00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ МАССА Пркрэно -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 650 Вт Станода Модул СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 Поломвинамос - 1200 100 а 2,5 -прри 15 - 1 май Не 23 NF @ 10 V
P2000D45X168HPSA1 Infineon Technologies P2000D45X168HPSA1 -
RFQ
 ECAD 5906 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Управо - - - P2000d Станода - - Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 Одинокий - - Не
APT68GA60LD40 Microchip Technology APT68GA60LD40 11.3100
RFQ
 ECAD 4862 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Power MOS 8 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA APT68GA60 Станода 520 Вт 264 [L] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 400 В, 40А, 4,7 ОМ, 15 22 млн Пет 600 121 а 202 А. 2,5 -прри 15 -в, 40A 715 мкд (на), 607 мк (выключен) 198 NC 21ns/133ns
IRG4PC30WPBF Infineon Technologies IRG4PC30WPBF -
RFQ
 ECAD 6914 0,00000000 Infineon Technologies - Симка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IRG4PC30 Станода 100 y ДО-247AC СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 480V, 12A, 23ohm, 15V - 600 23 а 92 а 2,7 В @ 15 В, 12а 130 мкд (на), 130 мк (выключен) 51 NC 25NS/99NS
NGTB30N60FWG onsemi NGTB30N60FWG -
RFQ
 ECAD 8700 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 NGTB30 Станода 167 Вт 247-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 30. 72 м Поящь 600 60 а 120 А. 1,7 В @ 15 В, 30А 650 мкд (на), 650 мк (выключен) 170 NC 81ns/190ns
FF450R12KE7PEHPSA1 Infineon Technologies FF450R12KE7PEHPSA1 218.8163
RFQ
 ECAD 1790 0,00000000 Infineon Technologies C, TrenchStop ™ Поднос Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI Модул Станода Ag-62mmhb - Rohs3 8 Поломвинамос По -прежнему 1200 450 А. 1,75 Е @ 15V, 450A 100 мк Не 70800 PF @ 25 V
FP50R07N2E4BPSA1 Infineon Technologies FP50R07N2E4BPSA1 114 8300
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Infineon Technologies Econopim ™ 2 Поднос Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул FP50R07 20 м Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta Ag-Econo2b СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 15 Треоф По -прежнему 650 70 а 1,95 В @ 15 В, 50a 1 май В дар 3.1 NF @ 25 V
IRGB4062DPBF Infineon Technologies IRGB4062DPBF -
RFQ
 ECAD 7853 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IRGB4062 Станода 250 Вт ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 24а, 10 м, 15 89 м Поящь 600 48 а 72 а 1,95 В @ 15 В, 24а 115 мкж (wklючen), 600 мкд (vыklючen) 50 NC 41NS/104NS
MG06400D-BN1MM Littelfuse Inc. MG06400D-BN1MM -
RFQ
 ECAD 1345 0,00000000 Littelfuse Inc. - МАССА Управо - ШASCI D-3 МОДУЛ 1400 Вт Станода D3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 60 Поломвинамос - 600 460 а 2.45V @ 15V, 400A 1 май Не 18 NF @ 25 V
FP75R12N2T4PBPSA1 Infineon Technologies FP75R12N2T4PBPSA1 235.6200
RFQ
 ECAD 5316 0,00000000 Infineon Technologies Econopim ™ 2 Поднос Актифен - - FP75R12 - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 - - -
MUBW15-06A6K IXYS MUBW15-06A6K -
RFQ
 ECAD 5033 0,00000000 Ixys - Коробка Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI E1 MubW15 75 Вт Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta E1 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 Treхpaзnый -nertor -stormohom Npt 600 19 а 2,9 В @ 15 В, 15a 600 мк В дар 600 pf @ 25 v
FP35R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies FP35R12KT4B11BOSA1 74,5000
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Infineon Technologies Econopim ™ 2 МАССА Пркрэно -40 ° С ~ 150 ° С. ШASCI Модул FP35R12 210 Вт Станода Модул СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 Треоф По -прежнему 1200 35 а 2.15V @ 15V, 35A 1 май В дар 2 nf @ 25 v
IFS100B12N3E4B31BOSA1 Infineon Technologies IFS100B12N3E4B31BOSA1 262.1300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Infineon Technologies MIPAQ ™ Поднос Актифен -40 ° С ~ 150 ° С. ШASCI Модул IFS100 515 Вт Станода Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 Polnыйmost По -прежнему 1200 200 А. 2.1V @ 15V, 100a 1 май В дар 6,3 NF @ 25 V
VS-EMF050J60U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-EMF050J60U -
RFQ
 ECAD 5252 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо 150 ° C (TJ) ШASCI ЭMIPAK2 EMF050 338 Вт Станода ЭMIPAK2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSEMF050J60U Ear99 8541.29.0095 56 Тридж - 600 88 а 2.1V @ 15V, 50a 100 мк Не 9,5 nf @ 30 v
BSM100GB120DLCKHOSA1 Infineon Technologies BSM100GB120DLCKHOSA1 -
RFQ
 ECAD 8279 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Управо -40 ° C ~ 125 ° C. ШASCI Модул BSM100 830 Вт Станода Модул - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 Поломвинамос - 1200 100 а - В дар
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть