SIC
close

IGBT (8343)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Синла - МАКС Wshod ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) NTC Thermistor Odnana emcostath (cies) @ vce
NGB15N41ACLT4G Littelfuse Inc. NGB15N41ACLT4G -
RFQ
 ECAD 3889 0,00000000 Littelfuse Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Лейка 107 Вт D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 800 300 В, 6,5а, 1 кум - 440 15 а 50 а 2.2V @ 4V, 10a - -/4 мкс
APTGLQ100H65T3G Microchip Technology Aptglq100h65t3g 113.2700
RFQ
 ECAD 3526 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Активна -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI Модул Aptglq100 350 Вт Станода Sp3f СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 1 Polnыйmost По -прежнему 650 135 а 2,3 В @ 15 В, 100а 50 мк В дар 6,15 NF @ 25 V
SGL25N120RUFTU Fairchild Semiconductor SGL25N120RUFTU 1.0000
RFQ
 ECAD 6403 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA SGL25N Станода 270 Вт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 1 600 В, 25а, 10 м, 15 - 1200 40 А. 75 а 3V @ 15V, 25a 1,6mj (ON), 1,63MJ (OFF) 165 NC 30NS/70NS
IXGH25N100A IXYS IXGH25N100A -
RFQ
 ECAD 3923 0,00000000 Ixys - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXGH25 Станода 200 th DO-247AD СКАХАТА Neprigodnnый Додер Ear99 8541.29.0095 30 800V, 25a, 33ohm, 15v - 1000 50 а 100 а 4 В @ 15 В, 25А 5MJ (OFF) 130 NC 100NS/500NS
STGE50NC60VD STMicroelectronics STGE50NC60VD -
RFQ
 ECAD 8007 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SOT-227-4, Minibloc STGE50 260 Вт Станода Иотоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 10 Одинокий - 600 90 а 2,5 -прри 15 -в, 40A 150 мк Не 4,55 NF @ 25 V
IXGK35N120CD1 IXYS IXGK35N120CD1 -
RFQ
 ECAD 9486 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Трубка Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA Ixgk35 Станода 350 Вт TO-264 (IXGK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 25 960V, 35A, 5OM, 15 В 60 млн - 1200 70 а 140 А. 4V @ 15V, 35A 3MJ (OFF) 170 NC 50NS/150NS
2PS12017E34W32132NOSA1 Infineon Technologies 2PS12017E34W32132NOSA1 -
RFQ
 ECAD 9621 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Управо -25 ° C ~ 55 ° C. ШASCI Модул 2PS12017 Станода Модул СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8543.70.9860 1 Треоф - - Не
FGA40N60UFDTU onsemi FGA40N60UFDTU -
RFQ
 ECAD 5032 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 FGA40 Станода 160 Вт 12 с СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 30 300 В, 20. 95 м - 600 40 А. 160 а 3v @ 15v, 20a 470 мкд (на), 130 мкд (выключен) 77 NC 15NS/65NS
F43L50R07W2H3FB11BPSA2 Infineon Technologies F43L50R07W2H3FB11BPSA2 112.0500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Econopack ™ 2 Поднос Активна -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул F43L50 20 м Станода Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 15 Треоф По -прежнему 650 50 а 1,8 В @ 15 В, 50a 1 май В дар 3.1 NF @ 25 V
IXGR35N120BD1 IXYS IXGR35N120BD1 -
RFQ
 ECAD 1378 0,00000000 Ixys - Трубка Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ixgr35 Станода 250 Вт Isoplus247 ™ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 30 960V, 35A, 3OM, 15V 40 млн - 1200 54 а 200 А. 3,5- 15 -й, 35A 900 мкд (wklючen), 3,8mj (OFF) 140 NC 40NS/270NS
78124 Microsemi Corporation 78124 -
RFQ
 ECAD 3407 0,00000000 Microsemi Corporation * МАССА Управо - - 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1
APT100GF60JU3 Microchip Technology APT100GF60JU3 -
RFQ
 ECAD 3804 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Управо - ШASCI Иотоп 416 Вт Станода SOT-227 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 Одинокий Npt 600 120 А. 2,5 -прри 15 - 100 мк Не 4,3 NF @ 25 V
F4200R06KL4BOSA1 Infineon Technologies F4200R06KL4BOSA1 -
RFQ
 ECAD 1569 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Управо -40 ° C ~ 125 ° C. ШASCI Модул F4200R 695 Вт Станода Модул - Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 10 Polnыйmost - 600 225 а 2.55V @ 15V, 200a 5 май Не 9 NF @ 25 V
APTGT600A60G Microchip Technology APTGT600A60G 334.2600
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Активна -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI SP6 APTGT600 2300 Вт Станода SP6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 1 Поломвинамос По -прежнему 600 700 а 1,8 В @ 15 В, 600A 750 мка Не 49 NF @ 25 V
IXSH30N60BD1 IXYS IXSH30N60BD1 -
RFQ
 ECAD 2679 0,00000000 Ixys - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXSH30 Станода 200 th DO-247AD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 30 480 В, 30., 4,7 ОМ, 15 50 млн - 600 55 а 110 а 2.7V @ 15V, 55A 1,5mj (OFF) 100 NC 30NS/150NS
FGPF30N30 onsemi FGPF30N30 -
RFQ
 ECAD 5295 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- FGPF3 Станода 46 Вт TO-220F-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 1 - - 300 80 а 1,5- 15 -й, 10A - 39 NC -
IXYH75N65C3H1 IXYS Ixyh75n65c3h1 17,6000
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Ixys Genx3 ™, XPT ™ Трубка Активна -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ixyh75 Станода 750 Вт TO-247 (IXTH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 60А, 3 ОМ, 15 150 млн Пет 650 170 А. 360 а 2,3 В @ 15 В, 60a 2,8MJ (ON), 1MJ (OFF) 123 NC 27ns/93ns
IRGP4269D-EPBF Infineon Technologies IRGP4269D-EPBF -
RFQ
 ECAD 7197 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Додер SP001542378 Ear99 8541.29.0095 240
IRDM983-025MBTR Infineon Technologies IRDM983-025MBTR -
RFQ
 ECAD 4638 0,00000000 Infineon Technologies imotion ™ Lenta и катахка (tr) Управо IRDM983 - 3 (168 чASOW) Додер SP001540372 Управо 0000.00.0000 2000
IXGR60N60U1 IXYS Ixgr60n60u1 -
RFQ
 ECAD 1749 0,00000000 Ixys - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ixgr60 Станода 300 Вт Isoplus247 ™ СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 30 480 В, 60А, 2,7 ОМ, 15 - 600 75 а 200 А. 1,7 В @ 15 В, 60a 16MJ (OFF) 200 NC 50NS/600NS
BSM150GB170DLCE3256HDLA1 Infineon Technologies BSM150GB170DLCE3256HDLA1 -
RFQ
 ECAD 9812 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Управо -40 ° C ~ 125 ° C. ШASCI Модул BSM150 1250 Вт Станода - - 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 1 Поломвинамос - 1700 В. 300 а 3,2- 15-, 150A 300 мк Не 10 NF @ 25 V
F4-50R12MS4 Infineon Technologies F4-50R12MS4 50.1300
RFQ
 ECAD 901 0,00000000 Infineon Technologies Econodual ™ 2 МАССА Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI Модул F4-50R 355 Вт Станода - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 1 СОЛНА МОСТОВО - 1200 70 а 3,75 В @ 15 В, 50a 1 май В дар 3,4 NF @ 25 V
AOT20B65M1 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT20B65M1 1.5339
RFQ
 ECAD 1363 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha Igbt ™ Трубка Активна -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 AOT20 Станода 227 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер 785-1764 Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 20А, 15OM, 15 В 322 м - 650 40 А. 60 а 2.15V @ 15V, 20a 470 мкд (на), 270 мкд (выключен) 46 NC 26NS/122NS
DDB2U30N08VRBOMA1307 Infineon Technologies DDB2U30N08VRBOMA1307 1.0000
RFQ
 ECAD 6912 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Активна -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI Модул 20 м Станода Модул СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 3 neзaviymый - 600 25 а 2,55 В @ 15 В, 20А 1 май В дар 880 pf @ 25 v
BSM75GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies BSM75GB60DLCHOSA1 -
RFQ
 ECAD 2728 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо -40 ° C ~ 125 ° C. ШASCI Модул BSM75G 355 Вт Станода Модул СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 10 Одинокий - 600 100 а 2.45V @ 15V, 75A 500 мк Не 3,3 NF @ 25 V
HGTD10N50F1 Harris Corporation HGTD10N50F1 1.6700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА Станода 75 Вт I-pak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 - - 500 12 а 2,5 -прри 10-, 5а - 13,4 NC -
IXGL200N60B3 IXYS Ixgl200n60b3 -
RFQ
 ECAD 9725 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA Ixgl200 Станода 400 Вт Isoplus264 ™ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 25 300 В, 100A, 1 омер, 15 Пет 600 150 А. 600 а 1,5- 15 -й. 1,6mj (ON), 2,9MJ (OFF) 750 NC 44NS/310NS
CM600DXL-24S Powerex Inc. CM600DXL-24S -
RFQ
 ECAD 5360 0,00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ МАССА Пркрэно -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Модул 4545 Станода Модул СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 Поломвинамос - 1200 600 а 2,3 В @ 15 В, 600A 1 май В дар 60 NF @ 10 V
IRG4BC20K-S Infineon Technologies IRG4BC20K-S -
RFQ
 ECAD 2205 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Станода 60 D2Pak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Додер *IRG4BC20K-S Ear99 8541.29.0095 50 480V, 9A, 50OM, 15 В - 600 16 а 32 а 2.8V @ 15V, 9a 150 мкд (на), 250 мкд (выключен) 34 NC 28NS/150NS
NXH35C120L2C2S1G onsemi NXH35C120L2C2S1G 60.6317
RFQ
 ECAD 7919 0,00000000 OnSemi - Трубка Активна -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru Модул 26-PowerDip (1,199 ", 47,20 мм) NXH35 20 м Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta 26-Dip - Rohs3 Neprigodnnый Додер 488-NXH35C120L2C2S1G Ear99 8541.29.0095 6 Treхpaзnый -nertor -stormohom - 1200 35 а 2.4V @ 15V, 35A 250 мк В дар 8,33 NF @ 20 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть