SIC
close

IGBT (8343)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Власта - МАКС Wshod ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Ток - Колемкшионер (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) NTC Thermistor Odnana emcostath (cies) @ vce
FF225R12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies FF225R12ME4PB11BPSA1 177.0133
RFQ
 ECAD 8861 0,00000000 Infineon Technologies Econodual ™ 3 Поднос Актифен -40 ° С ~ 150 ° С. ШASCI Модул FF225R12 20 м Станода Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 6 Поломвинамос По -прежнему 1200 450 А. 2.15V @ 15V, 225A 3 мая В дар 13 nf @ 25 v
FZ1800R45HL4S7BPSA1 Infineon Technologies FZ1800R45HL4S7BPSA1 4.0000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Ihm-b Поднос Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул FZ1800 4000000 вес Станода AG-IHVB190 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 - По -прежнему 4500 В. 1800 А. 2,6 В @ 25 В, 1800A 5 май Не 297 NF @ 25 V
FZ600R17KE4HOSA1 Infineon Technologies FZ600R17KE4HOSA1 213 7400
RFQ
 ECAD 7963 0,00000000 Infineon Technologies В Поднос Актифен -40 ° С ~ 150 ° С. ШASCI Модул FZ600R17 3350 Вт Станода Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 Одинокий По -прежнему 1700 В. 1200 А. 2,3 В @ 15 В, 600A 1 май Не 49 NF @ 25 V
FGF65A4H Sanken FGF65A4H -
RFQ
 ECAD 9345 0,00000000 САНКЕН - МАССА Актифен 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack FGF65 Станода 72 Вт To-3pf СКАХАТА ROHS COMPRINT 1261-FGF65A4H Ear99 8541.29.0095 1440 400 В, 40:00, 10OM, 15 50 млн По -прежнему 650 65 а 120 А. 2,37 В @ 15 В, 40a 700 мкд (wklючen), 600 мкд (vыklючen) 75 NC 40NS/100NS
MKI50-12E7 IXYS MKI50-12E7 -
RFQ
 ECAD 9446 0,00000000 Ixys - Коробка Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI E2 MKI 350 Вт Станода E2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 6 СОЛНА МОСТОВО Npt 1200 90 а 2.4V @ 15V, 50a 800 мк Не 3,8 NF @ 25 V
AUIRGP4062D International Rectifier Auirgp4062d 5.4100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Auirgp4062 Станода 250 Вт ДО-247AC СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 56 400 В, 24а, 10 м, 15 89 м - 600 48 а 72 а 1,95 В @ 15 В, 24а 115 мкж (wklючen), 600 мкд (vыklючen) 50 NC 41NS/104NS
IXGE200N60B IXYS Ixge200n60b -
RFQ
 ECAD 1929 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Трубка Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Isoplus227 ™ IXGE200 416 Вт Станода Isoplus227 ™ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 Одинокий - 600 160 а 2,3 В @ 15 В, 120a 200 мк Не 11 nf @ 25 v
IRGP50B60PD1-EP Infineon Technologies IRGP50B60PD1-EP -
RFQ
 ECAD 7894 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack Станода 390 Вт DO-247AD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001532834 Ear99 8541.29.0095 400 390 В, 33а, 3,3, 15 42 м Npt 600 75 а 150 А. 2,85 В @ 15 В, 50a 255 мкд (на), 375 мк (В.Клхэн) 205 NC 30ns/130ns
IXA4IF1200UC-TUB IXYS Ixa4if1200uc-tub 2.6383
RFQ
 ECAD 1347 0,00000000 Ixys XPT ™ Трубка Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IXA4IF1200 Станода 45 Вт 252AA - Rohs3 DOSTISH 238-IXA4IF1200UC-TUB Ear99 8541.29.0095 70 600 В, 3А, 330 д.Мов, 15 Пет 1200 9 а 2.1V @ 15V, 3A 400 мкд (wklючen), 300 мкд 12 NC 70NS/250NS
RGWSX2TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGWSX2TS65DGC13 6.9700
RFQ
 ECAD 2566 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RGWSX2 Станода 288 Вт DO-247G СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RGWSX2TS65DGC13 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 60 A, 10OM, 15 88 м По -прежнему 650 104 а 180 А. 2V @ 15V, 60a 1,43MJ (ON), 1,2MJ (OFF) 140 NC 55NS/180NS
STGP8M120DF3 STMicroelectronics STGP8M120DF3 3.0492
RFQ
 ECAD 7985 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STGP8 Станода ДО-220 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 600V, 8A, 33OM, 15 103 м По -прежнему 1200 16 а 32 а 2,3 В @ 15 В, 8а 390 мкд (на), 370 мкд (выключен) 32 NC 20NS/126NS
IXGA20N120A3-TRL IXYS IXGA20N120A3-TRL 4.2118
RFQ
 ECAD 9948 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IXGA20 Станода 180 Вт 263 (D2PAK) - Rohs3 DOSTISH 238-IXGA20N120A3-TRLTR Ear99 8541.29.0095 800 960 -v, 20., 102, 15 В 44 м Пет 1200 40 А. 120 А. 2,5 -прри 15-, 20А 2,85MJ (ON), 6,47MJ (OFF) 50 NC 16NS/290NS
HGT1S20N36G3VLS Fairchild Semiconductor HGT1S20N36G3VLS 1.8700
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Лейка 150 Вт DO-263AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 300 В, 10A, 25OM, 5 В - 415 37,7 а 1,9 - @ 5V, 20a - 28,7 NC -/15 мкс
APTGF90DA60D1G Microsemi Corporation APTGF90DA60D1G -
RFQ
 ECAD 2309 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Пркрэно - ШASCI D1 445 Вт Станода D1 - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 Одинокий Npt 600 130 а 2,45 Е @ 15 В, 100a 500 мк Не 4,3 NF @ 25 V
APT75GN120LG Microchip Technology APT75GN120LG 16.3600
RFQ
 ECAD 172 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA APT75GN120 Станода 833 Вт 264 [L] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 800V, 75A, 1OM, 15 По -прежнему 1200 200 А. 225 а 2.1V @ 15V, 75A 8620 мк (на), 11400 мк (выключен) 425 NC 60NS/620NS
IXGP7N60B IXYS Ixgp7n60b -
RFQ
 ECAD 7527 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Ixgp7 Станода 54 Вт 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 480V, 7A, 22OM, 15 В Пет 600 14 а 30 а 2V @ 15V, 7A 70 мкд (wklючen), 300 мкб (vыklючen) 25 NC 9NS/100NS
FZ800R33KF2CS1NDSA1 Infineon Technologies FZ800R33KF2CS1NDSA1 -
RFQ
 ECAD 1580 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Управо -40 ° C ~ 125 ° C. ШASCI Модул FZ800 9600 Вт Станода - СКАХАТА DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 Поломвинамос - 3300 В. 1 а 4,25 -500, 800A 5 май Не 100 NF @ 25 V
IXGK320N60A3 IXYS IXGK320N60A3 -
RFQ
 ECAD 9756 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA IXGK320 Станода 1000 вес TO-264 (IXGK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 - Пет 600 320 А. 700 а 1,25 В @ 15 В, 100а - 560 NC -
STGB6NC60HD-1 STMicroelectronics STGB6NC60HD-1 -
RFQ
 ECAD 4313 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA STGB6 Станода 56 Вт I2pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 390V, 3A, 10OM, 15V 21 млн - 600 15 а 21 а 2,5- 15-, 3а 20 мкдж (wklючeno), 68 мкб (vыklючen) 13,6 NC 12NS/76NS
MIXG240W1200PT-PC IXYS MixG240W1200PT-PC 232.3058
RFQ
 ECAD 5150 0,00000000 Ixys - Коробка Актифен - - - Mixg240 - - СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 24 - - -
APTGV50H60T3G Microsemi Corporation APTGV50H60T3G -
RFQ
 ECAD 6755 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - ШASCI SP3 176 Вт Станода SP3 - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 СОЛНА МОСТОВО Npt, ostanowopol 600 80 а 1,9 В @ 15 В, 50a 250 мк В дар 3,15 NF @ 25 V
APT70GR120J Microchip Technology APT70GR120J 29 8400
RFQ
 ECAD 7380 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SOT-227-4 APT70GR120 543 Вт Станода SOT-227 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 Одинокий Npt 1200 112 а 3,2- 15-, 70A 1 май Не 7,26 NF @ 25 V
STGB20V60DF STMicroelectronics STGB20V60DF -
RFQ
 ECAD 8911 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STGB20 Станода 167 Вт D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 20А, 15 В 40 млн По -прежнему 600 40 А. 80 а 2,2 В прри 15 В, 20А 200 мкд (ON), 130 мкд (OFF) 116 NC 38NS/149NS
APTGLQ400A120T6G Microchip Technology Aptglq400a120t6g 378.7425
RFQ
 ECAD 6977 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru SP6 Aptglq400 1900 г. Станода SP6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 Поломвинамос По -прежнему 1200 700 а 2.4V @ 15V, 400A 200 мк В дар 24,6 NF @ 25 V
NGTG50N60FLWG onsemi Ngtg50n60flwg -
RFQ
 ECAD 4783 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 NGTG50 Станода 223 Вт 247-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 50 атмосфера, 10, 15 Поящь 600 100 а 200 А. 1,9 В @ 15 В, 50a 1,1MJ (ON), 600 мкд (В. 310 NC 116NS/292NS
CM100MX-12A Powerex Inc. CM100MX-12A -
RFQ
 ECAD 8043 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 400 Вт Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta Модул СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Q5926978 Ear99 8541.29.0095 1 Treхpaзnый -nertor -stormohom - 600 100 а 2.1V @ 15V, 100a 1 май В дар 11,3 NF @ 10 V
APTGT600DU60G Microchip Technology APTGT600DU60G 334.2625
RFQ
 ECAD 2514 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI SP6 APTGT600 2300 Вт Станода SP6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 ДОН, ОБИГИЯ ИСТОХАНЕК По -прежнему 600 700 а 1,8 В @ 15 В, 600A 750 мка Не 49 NF @ 25 V
CMSDC60H19B3G Microchip Technology CMSDC60H19B3G -
RFQ
 ECAD 8142 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * Поднос Управо - 150-CMSDC60H19B3G Управо 1
STGY50NC60WD STMicroelectronics STGY50NC60WD 16.9700
RFQ
 ECAD 1459 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Stgy50 Станода 278 Вт Max247 ™ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 390V, 40a, 10OM, 15 В 55 м - 600 110 а 180 А. 2.6V @ 15V, 40a 365 мк (на), 560 мкд (выключен) 195 NC 52NS/240NS
AUIRGSL30B60K-IR International Rectifier AUIRGSL30B60K-IR -
RFQ
 ECAD 1759 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA Auirgsl30 Станода 370 Вт 262 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 400 В, 30. Npt 600 78 А. 120 А. 2,35 -прри 15-, 30А 350 мкж (wklючen), 825 мкб (vыklючen) 153 NC 46ns/185ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть